Онлайн Тест 2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.

Цена:
480 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 4403D8D0-D246-4EE3-B9ED-52575EB90595.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос №1
В цепи синусоидального тока с конденсатором C происходит...
Обратимый процесс обмена энергией между электрическим полем конденсатора и источником
Необратимый процесс обмена энергией между электрическим полем конденсатора и источником
Процесс передачи энергии от конденсатора к источнику
Процесс передачи энергии от источника к конденсатору
Нет правильного ответа

Вопрос №2
Значение индуктивности прямо пропорционально:
Силе тока в цепи
Величине потокосцепления
Диэлектрической проницаемости среды
Нет правильного ответа

Вопрос №3
Излучение СИД является:
Стимулированным
Вынужденным
Индуцированным
Спонтанным
Нет правильного ответа

Вопрос №4
Что такое транзисторный ключ?
Это схема на диодах, соединенных эквивалентно транзистору, но с увеличенным быстродействием, благодаря чему эта схема может скачком переходить из одного состояния в другое
Это схема на транзисторе, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на базу транзистора напряжения определенной полярности и уровня
Это схема на транзисторе, обеспечивающая коммутацию тока в нагрузке при достижении напряжением коллектор-эмиттер определенного уровня
Это схема на диодах, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на вход схемы напряжения определенной полярности и уровня
Нет правильного ответа

Вопрос №5
Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда и к эмиттерному, и к коллекторному переходам приложено прямое напряжение?
Насыщения
Отсечки
Активный
Инверсный активный
Нет правильного ответа

Вопрос №6
Ватт-амперная характеристика светодиода - это зависимость:
Излучаемой мощности от напряжения на входе
Амплитуды напряжения от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа

Вопрос №7
Какой транзистор называется полевым?
Это транзистор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака, протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим полем
Это транзистор, в котором физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков - инжекцией и диффузией неосновных носителей, дрейфом основных и неосновных носителей заряда
Это транзистор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда разных знаков, протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим током
Это транзистор, в котором маленький ток затвора позволяет управлять большим током сток-исток
Нет правильного ответа

Вопрос №8
Укажите полярность напряжения на эмиттере и коллекторе транзистора типа p-n-p.
минус, плюс
плюс, минус
минус, минус
нет правильного ответа

Вопрос №9
Что такое транзистор?
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не меньше трех электродов и предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий два или три электрода и предназначенный для избирательного пропускания электрических сигналов
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойством односторонней проводимости
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойствами усиления сигнала и накопления электрического заряда
Нет правильного ответа

Вопрос №10
Что такое инжекция и экстракция?
Инжекция – ввод в область основных носителей заряда под действием прямого напряжения, а экстракция - извлечение неосновных носителей для данной области под действием обратного напряжения
Инжекция – ввод в область неосновных носителей заряда под действием обратного напряжения, а экстракция - извлечение основных носителей для данной области под действием прямого напряжения
Инжекция – ввод в область основных носителей заряда под действием обратного напряжения, а экстракция - извлечение неосновных носителей для данной области под действием прямого напряжения
Инжекция – ввод в область неосновных носителей заряда под действием прямого напряжения, а экстракция - извлечение основных носителей для данной области под действием обратного напряжения
Нет правильного ответа

Вопрос №11
При последовательном соединении элементов R, L и C при отрицательных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь в целом носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа

Вопрос №12
В p- слое светодиода носителями являются...
электроны
ионы
дырки
фотоны
нет правильного ответа

Вопрос №13
Электронные устройства, преобразующие постоянное напряжение в переменное напряжение, называются:
Выпрямителями
Стабилитронами
Инверторами
Фильтрами
Нет правильного ответа

Вопрос №14
Уровень максимальной мощности, на котором измеряется ширина спектра излучения СИДа, равен...
0,2
0,5
0,707
0,9
Нет правильного ответа

Вопрос №15
В емкостном элементе происходит:
Накопление электрической энергии
Рассеивание электрической энергии
Накопление магнитной энергии
Рассеивание магнитной энергии
Нет правильного ответа

Вопрос №16
При последовательном соединении элементов R, L и C при положительных значениях реактивного сопротивления и угла сдвига фаз электрическая цепь носит следующий характер:
Активно-емкостной
Индуктивный
Активно-индуктивный
Емкостной
Нет правильного ответа

Вопрос №17
Лавинный фотодиод по своей структуре отличается от Р-l-п фотодиода наличием...
Сильно легированной п- области
Сильно легированной р- области
Слабо легированной п- области
Слабо легированной р- области
Нет правильного ответа

Вопрос №18
Чем характеризуется индуктивность катушки индуктивности?
Способностью изменять силу протекающего через катушку тока
Способностью изменять напряжение в цепи
Способностью оставлять неизменным напряжение в цепи
Нет правильного ответа

Вопрос №19
Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов?
Только активные сопротивления
Только реактивные сопротивления
Наличие переходных процессов не зависит от типа элементов цепи
Нет правильного ответа

Вопрос №20
Как определяется дифференциальное сопротивление коллекторного перехода биполярного транзистора?
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном токе базы или эмиттера
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении коллектор-эмиттер
Как соотношение приращения напряжения на коллекторном переходе к приращению тока коллектора при постоянном напряжении эмиттерного перехода
Нет правильного ответа

=============================================

Дополнительная информация

Не нашли нужный ответ на тесты СибГУТИ? Пишите, пройду тест БЕСПЛАТНО!
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.

E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Элементная база телекоммуникационных систем
Вариант 15 Задание 1 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Задача 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задача 3 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
User radist2020 : 30 января 2022
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
1. Транзистор с управляющим p-n переходом 2.Транзистор с индуцированным каналом
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
Контрольная работа по дисциплине «Элементная база телекоммуникационных систем» «Разработка интегрального цифрового устройства» Вариант - 7 Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС) Задание : вариант уравнение мощность/ток время 7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3 Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅ Цель пер
User antoxa231 : 15 марта 2025
300 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). ЗАДАЧА 2 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов (для выхода в справочник необ
User ScienceMonkey : 22 февраля 2022
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). № ВАРИАНТА Предпоследняя цифра 2 Последняя цифра 9 400 360 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить выбор стабилит
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
ЗАДАЧА No 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). No ВАРИАНТА Последняя цифра 3 Предпоследняя цифра 0 Rн, Ом 400 U2, В 360 Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
1. ВАХ диода 1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода 1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода 1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70 2. ВАХ стабилитрона 2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона 2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №3
1. Расчет и испытание транзисторного ключа 1.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе 2. Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа 2.2 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе 2.3 Передаточные характеристики (графические зависимости) транзисторных ключей.
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Международные валютно-финансовые и кредитные организации
1. Группа Всемирного Банка 1.1. Международный Банк Реконструкции и Развития 1.2. Международная ассоциация развития 1.3. Международная Финансовая Корпорация 1.4. Многостороннее агентство по гарантированию инвестиций 1.5. Международный центр по урегулированию инвестиционных споров 2. Международный Валютный Фонд 3. Европейский Банк Реконструкции и Развития 4. Банк Международных Расчетов 5. Азиатский Банк Развития 6. Межамериканский Банк Развития 7. Европейский Инве
User evelin : 26 октября 2013
10 руб.
Контрольная работа по дисциплине «Технология конструкционных материалов» 12 вариант КнАГТУ
Вопрос 1 Приведите схему профиля доменной печи и опишите принцип ее работы. Изложите основные физико-химические процессы, происходящие в доменной печи и укажите назначение основного продукта доменной плавки Вопрос 2 По эскизу детали разработайте эскизы: Элементов линейной формы, модельных плит, стержневого ящика и собранной литейной формы (в разрезе). Опишите последовательность изготовления литейной формы методом ручной формовки. Материал детали – Сталь 35Л. Вопрос 3 Приведите эскизы п
User yashaas : 30 мая 2011
Зачет по дисциплине: Менеджмент. Билет № 17
1. Задание. Объект и субъект управления. Дать примеры объектов и субъектов управления на примере хозяйства России, какой- либо отрасли и организации. 2. Основные понятия теории управления 3. Управленческое решение Методы управления Примеры объектов и субъектов управления Литература
User xtrail : 12 апреля 2013
150 руб.
Макросередовище організації і необхідність його вивчення і врахування в стратегії розвитку
Вступ Будь-яке підприємство перебуває і функціонує у середовищі. Ана­ліз середовища є початковим етапом формування стратегії діяль­ності підприємства, оскільки забезпечує відповідну базу для визна­чення місії і цілей його функціонування. Аналіз середовища передба­чає вивчення і дослідження трьох його складових: • макросередовища; • мікросередовища; • внутрішнього середовища. Мікросередовище — учасники ринку, які безпосередньо контакту­ють з підприємством і впливають на нього. Це насамперед
User alfFRED : 22 октября 2013
10 руб.
up Наверх