Онлайн Тест 6 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.

Цена:
480 руб.

Состав работы

material.view.file_icon BC09BFA5-CEFB-4B00-8893-3B68C9E99C04.docx
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Вопрос №1
Какой транзистор называется полевым?

Это транзистор, в котором маленький ток затвора позволяет управлять большим током сток-исток

Нет правильного ответа
Это транзистор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда разных знаков, протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим током
Это транзистор, в котором физические процессы обусловлены переносом носителей заряда обоих знаков - инжекцией и диффузией неосновных носителей, дрейфом основных и неосновных носителей заряда
Это транзистор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда одного знака, протекающим через проводящий канал, и управляемым электрическим полем

Вопрос №2
Какое условное графическое обозначение соответствует полевому транзистору с р-n переходом и каналом р –типа?

Вопрос №3
Какая характеристика передачи соответствует полевому транзистору со структурой МДП и встроенным каналом р-типа?

Вопрос №4
Какая из схем включения биполярного транзистора называется эмиттерным повторителем и почему?

Схема с общим коллектором, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе
Схема с общей базой, потому что уровни напряжения на коллекторном и эмиттерном переходах этой схемы абсолютно совпадают

Схема с общим эмиттером, потому что эмиттер является общим электродом, относительно которого задаются и измеряются все остальные напряжения

Схема с общим эмиттером, потому что выходное напряжение на эмиттере практически повторяет входное напряжение на базе и отличается от него только на величину падения напряжения на эмиттерном переходе

Схема с общим коллектором, потому что уровни напряжения на базе и коллекторе относительно эмиттера в точности совпадают
Нет правильного ответа

Вопрос №5
Как называется такой режим работы биполярного транзистора, когда к эмиттерному переходу приложено обратное напряжение, а к коллекторному - прямое?

Инверсный активный
Нет правильного ответа
Активный
Отсечки
Насыщения

Вопрос №6
Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора?

Она должна быть больше диффузионной длины электрона, но меньше длины волны электрона

Она должна быть больше диффузионной длины и длины волны электрона

Она должна быть меньше диффузионной длины и длины волны электрона

Она должна быть равна меньшему из значений диффузионной длины и длины волны электрона

Нет правильного ответа

Вопрос №7
Что такое транзисторный ключ?

Это схема на транзисторе, обеспечивающая коммутацию тока в нагрузке при достижении напряжением коллектор-эмиттер определенного уровня
Это схема на диодах, соединенных эквивалентно транзистору, но с увеличенным быстродействием, благодаря чему эта схема может скачком переходить из одного состояния в другое
Это схема на транзисторе, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на базу транзистора напряжения определенной полярности и уровня
Это схема на диодах, обеспечивающая переключение тока в нагрузке при подаче на вход схемы напряжения определенной полярности и уровня
Нет правильного ответа

Вопрос №8
Устройство, преобразующее оптическую энергию в электрическую называют

Приемником света
Передатчиком света
Регенератором света
Усилителем света
Нет правильного ответа

Вопрос №9
Какая характеристика передачи соответствует полевому транзистору со структурой МДП и индуцированным каналом n-типа?

Вопрос №10
Какое условное графическое обозначение соответствует полевому транзистору с р-n переходом и каналом р –типа?

Вопрос №11
Какое условное графическое обозначение соответствует полевому транзистору со структурой МДП и индуцированным каналом n-типа?

Вопрос №12
Какие диоды применяют для выпрямления переменного тока?

Те и другие
Никакие
Точечные
Плоскостные

Вопрос №13
Назовите какие типы приборов соответствуют выпрямительным диодам?

КС808А

КД226А

КВ101

ГД201

Вопрос №14
Что такое транзистор ?

Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не меньше трех электродов и предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов

Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий два или три электрода и предназначенный для избирательного пропускания электрических сигналов

Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойством односторонней проводимости

Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойствами усиления сигнала и накопления электрического заряда

Нет правильного ответа

Вопрос №15
Лавинным пробоем р-n перехода называется …

пробой, вызванный эффектом перехода электронов из валентной зоны одного полупроводника в зону проводимости другого

пробой, вызванный образованием потока носителей под действием сильного электрического поля

пробой, вызванный повышением температуры

пробой, вызванный уменьшением (по абсолютной величине) обратного напряжения

Вопрос №16
Укажите полярность напряжения на эмиттере и коллекторе транзистора типа p-n-p.

Нет правильного ответа
минус, минус
плюс, минус
минус, плюс

Вопрос №17
Спектральная характеристика СИД – это зависимость:

Излучаемой мощности от длины волны излучения
Тока накачки от длины волны
Длины волны от мощности излучения
Длины волны от тока накачки
Нет правильного ответа

Вопрос №18
Ток коллектора связан с токами эмиттера и базы соотношением…

Ток базы не связан с токами IK и IЭ

Вопрос №19
Укажите отличительные свойства полевого транзистора включенного по схеме с общим стоком, по сравнению с биполярным транзистором включенным по схеме с общим эмиттером (транзисторы имеют одинаковые геометрические размеры).

имеет большее входное сопротивление

имеет меньшее входное сопротивление

обеспечивает меньшие значения Кu

обеспечивает большие значения Кu

обеспечивает большие значения Кi

обеспечивает меньшие значения Кi

Вопрос №20
Какая из схем включения биполярного транзистора уступает двум другим по всем остальным параметрам и в настоящее время почти не применяется?

Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором

=============================================

Дополнительная информация

Не нашли нужный ответ на тесты СибГУТИ? Пишите, пройду тест БЕСПЛАТНО!
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.

E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Элементная база телекоммуникационных систем
Вариант 15 Задание 1 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Задача 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задача 3 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
User radist2020 : 30 января 2022
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
1. Транзистор с управляющим p-n переходом 2.Транзистор с индуцированным каналом
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
Контрольная работа по дисциплине «Элементная база телекоммуникационных систем» «Разработка интегрального цифрового устройства» Вариант - 7 Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС) Задание : вариант уравнение мощность/ток время 7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3 Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅ Цель пер
User antoxa231 : 15 марта 2025
300 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). ЗАДАЧА 2 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов (для выхода в справочник необ
User ScienceMonkey : 22 февраля 2022
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
ЗАДАЧА № 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). № ВАРИАНТА Предпоследняя цифра 2 Последняя цифра 9 400 360 Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить выбор стабилит
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
ЗАДАЧА No 1 ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ Задание: 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). No ВАРИАНТА Последняя цифра 3 Предпоследняя цифра 0 Rн, Ом 400 U2, В 360 Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель ЗАДАЧА 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задание: 1.Осуществить
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
580 руб.
promo
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
1. ВАХ диода 1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода 1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода 1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70 2. ВАХ стабилитрона 2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона 2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №3
1. Расчет и испытание транзисторного ключа 1.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе 2. Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа 2.2 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе 2.3 Передаточные характеристики (графические зависимости) транзисторных ключей.
User Vladislaw : 5 июня 2021
200 руб.
Лабораторная работа № 1 по дисциплине: Основы системного программирования. Вычисление арифметических выражений
Вычисление арифметических выражений Цель работы: Научиться использовать арифметические команды языка ассемблера. Порядок выполнения работы: 1. В Far Manager создадим файл lab1.asm. 2. В файле lab1.asm наберем программу, которая вычисляет выражение 7•А - 2•В - 100 + С и результат заносит в регистр CХ. Строки программы прокомментированы.
User vereney : 20 октября 2012
50 руб.
Проектирование и расчет дробилки с простым движением щеки
СОДЕРЖАНИЕ Обзор: дробильные машины 3 Щековые дробилки 4 Введение 11 1. Определение основных параметров щековых дробилок 13 1.1 Определение частоты вращения эксцентрикового вала 14 1.2 Производительность щековой дробилки 15 1.3 Мощность привода 15 2. Расчет основных элементов на прочность 17 2.1 Расчет и подбор размеров шатуна 17 2.2 Расчет распорной плиты 18 2.3 Расчет подвижной щеки 20 2.4 Расчет оси подвижной щеки 24 2.5 Р
User Рики-Тики-Та : 25 октября 2011
55 руб.
Экзамен по дисциплине: «Электромагнитная совместимость» . Билет №6.
Билет №6 1. Для каких систем радиосвязи предусмотрены планы распределения частот в метровом и дециметровом диапазонах? 2. Укажите причины возникновения излучений на субгармониках. 3. В каком случае может возникать Побочный канал на промежуточной частоте? 4. Особенности распространения радиоволн в диапазоне частот выше 20 ГГц. 5. Чем определяется величина используемой напряженности поля ? 6. В чем заключается межсистемная и внутрисистемная ЭМС сетей сотовой связи? 7. Каким требованиям должно уд
User Pifpav8672 : 25 апреля 2021
375 руб.
up Наверх