Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант №01
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
лабораторная работа №1
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. Последовательно сняты вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов IПР=f(UПР).
=============================================
лабораторная работа №2
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем.
2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения.
2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.
2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и предельные параметры.
2.1.8 Дифференциальные параметры БТ.
2.1.9 Усилитель на БТ.
=============================================
лабораторная работа №3
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
Снятие передаточной характеристики IC=F(U3И).
Устанавливаем UCИ=10В и измеряем напряжение U3И до тех пор, пока IC не станет равным нулю. Результаты измерений заносим в таблицу 1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА).
=============================================
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
Снятие вольтамперных характеристик диодов при прямом включении. Последовательно сняты вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов IПР=f(UПР).
=============================================
лабораторная работа №2
1. Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство БТ, схемы включения (ОБ, ОЭ и ОК), режимы работы ( с точки зрения состояния переходов).
2.1.2 Потенциальные диаграммы для различных структур БТ в активном режиме работы.
2.1.3 Принцип действия БТ и основные физические процессы в нем.
2.1.4 Статический коэффициент передачи тока и уравнения коллекторного тока для всех схем включения.
2.1.5 Статические характеристики транзистора в схемах включения ОБ и ОЭ.
2.1.6 Предельные параметры режима работы БТ. Рабочая область характеристик.
2.1.7 Влияние температуры на работу БТ, его характеристики в схеме ОБ и ОЭ и предельные параметры.
2.1.8 Дифференциальные параметры БТ.
2.1.9 Усилитель на БТ.
=============================================
лабораторная работа №3
1 . Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
Снятие передаточной характеристики IC=F(U3И).
Устанавливаем UCИ=10В и измеряем напряжение U3И до тех пор, пока IC не станет равным нулю. Результаты измерений заносим в таблицу 1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА).
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а): Борисов Александр Васильевич
Оценка: Зачет
Дата оценки: 16.05.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Зачет
Дата оценки: 16.05.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой работой, дисциплиной или онлайн-тестом.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант №01
IT-STUDHELP
: 16 мая 2023
Вариант No01
Задача 1
Задача посвящена знакомству с методами расчета сложных резистивных цепей.
На рис. 1 приведены схемы резистивных цепей в режиме постоянного тока. Номер схемы и параметры элементов схемы определяются в соответствии с вариантом по таблицам 1 и 2 соответственно.
Выполните следующее:
1. Перерисуйте схему своего варианта. Выпишите значения элементов схемы. Во всех вариантах внутреннее сопротивление источника тока равно 100 кОм.
2. Составьте систему уравнений электрического рав
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант 01
xtrail
: 1 июля 2025
Задача 1
Задача посвящена знакомству с методами расчета сложных резистивных цепей.
На рис. 1.1 приведены схемы резистивных цепей в режиме постоянного тока. Номер схемы и параметры элементов схемы определяются в соответствии с вариантом по таблицам 1 и 2 соответственно.
Выполните следующее:
1. Перерисуйте схему своего варианта. Выпишите значения элементов схемы. Во всех вариантах внутреннее сопротивление источника тока равно 100 кОм.
2. Составьте систему уравнений электрического равновесия цепи
1500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант №01
IT-STUDHELP
: 16 мая 2023
Вариант No01
Задача 1
Задача посвящена знакомству с методами расчета сложных резистивных цепей.
На рис. 1 приведены схемы резистивных цепей в режиме постоянного тока. Номер схемы и параметры элементов схемы определяются в соответствии с вариантом по таблицам 1 и 2 соответственно.
Выполните следующее:
1. Перерисуйте схему своего варианта. Выпишите значения элементов схемы. Во всех вариантах внутреннее сопротивление источника тока равно 100 кОм.
2. Составьте систему уравнений электрического рав
500 руб.
Контрольная работа №3 по дисциплине: Электротехника и электроника.
Udacha2013
: 4 сентября 2014
Электротехника и электроника
Контрольная работа No3
Задача 3.1
Задача посвящена анализу переходного процесса в цепи первого порядка, содержащей резисторы, конденсатор или индуктивность. В момент времени t = 0 происходит переключение ключа К, в результате чего в цепи возникает переходной процесс.
1. Перерисуйте схему цепи (см. рис. 3.1) для Вашего варианта (таблица 1).
2. Выпишите числовые данные для Вашего варианта (таблица 2).
3. Рассчитайте все токи и напряжение на С или L в три момента
200 руб.
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Информатика. Вариант №01
holm4enko87
: 25 февраля 2025
Лабораторная работа № 1
Задание
В соответствии с вариантом разработайте алгоритм обработки элементов массива.
Напишите программу на алгоритмическом языке в соответствии со схемой алгоритма.
Проведите тестирование программы в среде программирования.
Варианты заданий:
1 Массив Х[30] нецелых элементов задать датчиком случайных чисел. Записать в массив Y подряд отрицательные элементы массива Х. Найти их среднее арифметическое.
--------------------------------------------------------------------
500 руб.
Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Информатика. Вариант №01
IT-STUDHELP
: 17 мая 2023
Лабораторная работа № 1
Задание
В соответствии с вариантом разработайте алгоритм обработки элементов массива.
Напишите программу на алгоритмическом языке в соответствии со схемой алгоритма.
Проведите тестирование программы в среде программирования.
Варианты заданий:
1 Массив Х[30] нецелых элементов задать датчиком случайных чисел. Записать в массив Y подряд отрицательные элементы массива Х. Найти их среднее арифметическое.
-------------------------------------------------------------------
600 руб.
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Электротехника и электроника. Вариант общий
Учеба "Под ключ"
: 2 декабря 2022
Лабораторная работа №1
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обрат
400 руб.
Лабораторная работа №1-3 по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)
Леший
: 18 января 2021
Лабораторная работа 1
Тема работы
Исследование статических характеристик
полупроводниковых диодов
==============================
Лабораторная работа 2
Тема работы
Исследование статических характеристик
биполярного транзистора
==============================
Лабораторная работа 3
Тема работы
Исследование статических характеристик
и параметров полевых транзисторов
150 руб.
Другие работы
Подъемник канавный, навесной передвижной для вывешивания осей автомобилей грузоподъемностью до 5 т
proekt-sto
: 27 декабря 2021
3. КОНСТРУКТОРСКАЯ ЧАСТЬ
3.1. Патентный поиск
3.2. Обоснование конструкции
3.3. Описание конструкции
3.4. Прочностные и технологические расчеты
3.4.1. Расчёт сварного соединения крепления опоры к тележки
3.4.2. Проверочный расчет оси на срез
3.4.3 Расчёт рычага на изгиб
3.4.4 Проверочный расчет пружины
3.4.5 Расчет пластины на изгиб
500 руб.
Социально ответственное инвестирование
Slolka
: 29 сентября 2013
Этику рекламы можно определить как всё положительное или правильное в процессе осуществления рекламной функции. Этичной называется деятельность, соответствующая не только законодательству, но и моральным принципам. Хотя этическая сторона скрыто присутствует почти во всех рекламных решениях, об этой теме говорится лишь в немногих учебных материалах о рекламе. А в тех немногочисленных материалах, в которых все же вскользь упоминают об этике, анализ темы обычно ограничен рассмотрением законов, регу
Теплотехника ЮУрГАУ 2017 Задача 2 Цикл ДВС Вариант 17
Z24
: 5 декабря 2025
Идеальный цикл двигателя внутреннего сгорания с комбинированным подводом теплоты
Цикл осуществляется одним кг воздуха, как идеальным газом,
где R – газовая постоянная R = 287 Дж/(кг•К);
ср — удельная теплоемкость при постоянном давлении, ср =1009 Дж/(кг•К);
сυ — удельная теплоемкость при постоянном объеме, ср =721 Дж/(кг•К);
ε — степень сжатия ε = υ1/υ2;
λ — степень повышения давления λ = р3/р2;
ρ — степень предварительного расширения ρ = υ4/υ3.
Исходные данные принять по таблице 1
Зада
500 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача К1 Рисунок 5 Вариант 7
Z24
: 8 ноября 2025
Кинематика плоских механизмов
Плоский кривошипно-шатунный механизм связан с системой зубчатых колес, насаженных на неподвижные оси, которые приводятся в движение ведущим звеном (зубчатая рейка – схема К1.0; рукоятка – схема К1.1; груз на нити – схема К1.2 и т. д.). Рукоятка О1А и кривошип О2С жестко связаны с соответствующими колесами. Длина кривошипа О2С = L1, шатуна CD = L2.
Схемы механизмов приведены на рис. К1.0 – К1.9, а размеры и уравнения движения точки А ведущего звена S = f (t) –
600 руб.