Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №04
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Контрольная работа
Вариант №04
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП303Д; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.
------------------------------------------------------------------------------
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КТ605А; U_KЭ=6B.
------------------------------------------------------------------------------
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”.
Исходные данные:
- напряжение питания 9В;
- пороговые напряжения МДП транзисторов 1B;
- уровень входного напряжения 0.5В.
------------------------------------------------------------------------------
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта.
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Исходные данные: U_пит=±10В; R_1=11кОм; R_2=330кОм; R_3=12кОм; U_вх=60мВ.
=============================================
Вариант №04
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП303Д; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.
------------------------------------------------------------------------------
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КТ605А; U_KЭ=6B.
------------------------------------------------------------------------------
Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”.
Исходные данные:
- напряжение питания 9В;
- пороговые напряжения МДП транзисторов 1B;
- уровень входного напряжения 0.5В.
------------------------------------------------------------------------------
Задача 4.
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта.
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Исходные данные: U_пит=±10В; R_1=11кОм; R_2=330кОм; R_3=12кОм; U_вх=60мВ.
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а): Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки: 04.07.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки: 04.07.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 04
SibGOODy
: 22 июля 2018
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 - Исходные данные.
№ варианта: 4
Тип ПТ: КП303Д
Uси0=10 В
Uзи0=-8 В
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного
1000 руб.
Контрольная и Лабораторная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №04
IT-STUDHELP
: 3 июля 2023
Контрольная работа
Вариант №04
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП303Д; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.
------------------------------------------------------------------------------
Задача 2.
Используя
700 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (4 сем.). Вариант №04.
teacher-sib
: 4 апреля 2017
ЗАДАЧА 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Варианты задания для полевых транзисторов:
Таблица П.1.1.
№ вар Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0,В
04 КП 303Д 1
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 02
Учеба "Под ключ"
: 2 августа 2026
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, μ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 − Исходные данные к задаче №1
№ варианта: 2
Тип ПТ: КП303А
UСИ0, В: 4
UЗИ0, В: -2,5
Задача 2
Используя характ
1200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 14
Roma967
: 14 октября 2024
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 - Исходные данные.
№ варианта: 14
Тип ПТ: КП302А
Uси0, В: 6
Uзи0, В: -2,5
Задача 2
Используя характеристики заданного биполя
1500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №30
IT-STUDHELP
: 4 октября 2023
Вариант №30
Задание №1
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Исходные данные:
U_СИ0=9 В;
U_ЗИ0=-3,2 В;
Строим характеристику прямо
400 руб.
Другие работы
Структуризация телекоммуникационных сетей
VikkiROY
: 14 ноября 2012
РЕФЕРАТ
на тему: «Структуризация телекоммуникационных сетей»
1. Особенности структуризации сетей
Структура связей и процедуры организации взаимодействия наиболее просты в локальных сетях. С точки зрения технологий передачи данных локальные сети, как правило, однородны, т.е. все узлы используют одни и те же алгоритмы и средства передачи данных. Эта однородность обеспечивает высокий уровень стандартизации, что существенно облегчает как создание сетей, так и их эксплуатацию. Технология сети в осно
5 руб.
Мануфактурный период в России. Крепостная мануфактура
alfFRED
: 31 октября 2013
Капиталистическое производство в области промышленности возникло не сразу, а проходило ряд ступеней развития, прежде чем сложилась крупная машинная индустрия. Капиталистическое производство возникает из мелкотоварного и проходит через три стадии:
1) простой капиталистической кооперации;
2) капиталистической мануфактуры;
3) крупной машинной индустрии.
На стадии простой капиталистической кооперации предприниматель, применяя наемный труд, эксплуатирует одновременно в своей мастерской более или
10 руб.
История
Mega1
: 1 августа 2020
Тест
по дисциплине «История»
№ п/п Содержание вопроса Варианты ответа
1. Как называется функция исторической науки, которая позволяет выработать на основе
исторического опыта научно-обоснованный курс? А) Практически-рекомендательная
Б) Познавательная
В) Социальной памяти
Г) Воспитательная
2. Какой диктат испытывала на себе советская историческая наука? А) Самодержавия
Б) Цивилизационной методологии
В) Теологии
Г) Формационной методологии
3. Кого следует считать автором норманнской теории обр
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Космические и наземные системы радиосвязи и сети телерадиовещания. Билет №9
Roma967
: 16 августа 2019
Билет №9
1. Методика расчета устойчивости связи при одинарном приеме.
2. Структурная схема передающей части современной цифровой системы радиосвязи.
3. Задача.
Рассчитайте, во сколько раз изменится (не изменится) величина минимально - допустимого множителя ослабления на пролете ЦРРЛ при увеличении диаметра передающих и приемных параболических антенн от 1 до 2 м. Частота сигнала на входе приемника равна 11 ГГц. Затухание сигнала в фидерных трактах передачи и приема равно 2 дБ. Чувствительность
600 руб.