Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 31

Состав работы

material.view.file_icon 34B04C3F-C062-434C-96FB-B1AFAC1AC0EC.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.

Таблица 1.1 - Исходные данные к задаче №1
№ варианта: 31
Тип ПТ: КП307Ж
UСИ0, В: 9
UЗИ0, В: -4


Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 2.1.

Таблица 2.1 - Исходные данные к задаче №2
№ варианта: 31
Тип БТ: КТ601А
UКЭ, В: 60


Задача 3
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи.
Укажите на схеме полярность источника питания, соответствующую вашему варианту. Укажите, какую логическую функцию выполняет элемент. Поясните назначение каждого транзистора. Приведите таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики рассматриваемого Вами логического элемента. Используя данные задания Вашего варианта, приведите на передаточных характеристиках эпюру входного напряжения и определите, в каком логическом состоянии находится цепь, рассматриваемого вами элемента.
Исходные данные представлены в таблице 3.1.

Таблица 3.1 - Исходные данные к задаче №3
Цифра студенческого пароля: 3
Принципиальная схема элемента: Рис. 1а
Напряжение питания, В: 5
Пороговые напряжения МДП
транзисторов VT1 и VT2: 2
Уровень входного напряжения, В: 1


Задача 4
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта.
Изобразите передаточную характеристику устройства, соответствующего Вашему варианту. Поясните назначение каждого элемента устройства. Определите коэффициент усиления Вашего устройства и амплитуду выходного напряжения. Укажите, какое входное сопротивление имеет рассматриваемое Вами устройство. Приведите примерный вид амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) Вашего устройства и причины отклонения реальной АЧХ от идеальной.
Исходные данные представлены в таблице 4.1.

Таблица 4.1- Исходные данные к задаче №4
Цифра студенческого пароля: 1
Схема устройства: Рис.2б
Напряжение питания операционного усилителя, В: +-9
Номиналы резисторов, кОм:
- R1: 2
- R2: 11
- R3: 1,8
Амплитуда входного напряжения, мВ: 200

Дополнительная информация

Зачет без замечаний!
Год сдачи: 2020 г.
Преподаватель: Борисов А.В.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 02
Задача 1 По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, μ полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные представлены в таблице 1.1. Таблица 1.1 − Исходные данные к задаче №1 № варианта: 2 Тип ПТ: КП303А UСИ0, В: 4 UЗИ0, В: -2,5 Задача 2 Используя характ
User Учеба "Под ключ" : 2 августа 2026
1200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 02 promo
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 14
Задача 1 По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные представлены в таблице 1.1. Таблица 1.1 - Исходные данные. № варианта: 14 Тип ПТ: КП302А Uси0, В: 6 Uзи0, В: -2,5 Задача 2 Используя характеристики заданного биполя
User Roma967 : 14 октября 2024
1500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 14 promo
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №30
Вариант №30 Задание №1 По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Исходные данные: U_СИ0=9 В; U_ЗИ0=-3,2 В; Строим характеристику прямо
User IT-STUDHELP : 4 октября 2023
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №30 promo
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 11
Задача 1 По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные представлены в таблице 1.1. Таблица 1.1 - Исходные данные к задаче №1 № варианта: 11 Тип ПТ: КП903Б UСИ0, В: 5 UЗИ0, В: -4 Задача 2 Используя характеристики задан
User SibGOODy : 10 июля 2023
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 11 promo
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №04
Контрольная работа Вариант №04 Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные: КП303Д; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В. ------------------------------------------------------------------------------ Задача 2. Используя
User IT-STUDHELP : 3 июля 2023
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №04 promo
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №19
Вариант №19 Задача №1 По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Полевой транзистор КП307Ж, UСИ0, В = 7, UЗИ0, В = - 4 ---------
User IT-STUDHELP : 29 апреля 2023
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №19 promo
Модернизация двухвинтового мультифазного насоса А5-2 ВВ-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
Выпускная квалификационная работа по теме «Модернизация многофазного двухвинтового насоса А5-2 ВВ», содержит ___ страниц текстового документа, __ приложение, __ использованных источников, __ листов графического материала. МОДЕРНИЗАЦИЯ, МНОГОФАЗНЫЙ, ДВУХВИНТОВОЙ, НАСОС А5 2ВВ, ПЕРЕКАЧКА ГЖС, БМНС, ВИНТОВОЙ НАСОС, НАСОС-КОМПРЕССОР, МУЛЬТИФАЗНЫЙ НАСОС. Объект модернизации: двухвинтовой насос А5-2 ВВ. Цели модернизации: • снизить вспенивание масла; • улучшить условие смазки шестерен; • увеличение р
3485 руб.
Модернизация двухвинтового мультифазного насоса А5-2 ВВ-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
Чертеж редуктора червячно-цилиндрической передачи
Украинская государственая академия железнодорожного транспорта,Харьков,Надтока,2011,Курс III,Дисциплина"Детали машин".Сборочный чертеж рудуктора(формат А1) 1. Допустимый крутящий момент на тихоходном валу при длительной работе со спокойной постоянной нагрузкой и частотой вращения червяка 1500 об/мин М =3440 Нм 2. Осевой зазор подшипника на червяке 0,02-0,05 мм обеспечить подгонкой прокладки поз.25 3. Суммарный осевой зазор в подшипниках 7210 должен быть 0,1-0,2 мм, в подшипниках 214-0,16..
User GnobYTEL : 9 декабря 2011
5 руб.
Клиника интеллектуальных нарушений при раннем детском аутизме
Синдром раннего детского аутизма был описан американским детским психиатром Л. Каннером в 1943 г. Независимо от него близкий вариант синдрома описан в 1944 г. австрийским исследователем Х. Аспергер под названием "аутистическая психопатия". Ученик Фрейда Б. Беттельхейм имел в своей практике множество случаев успешного преодоления аутизма. Изучением его, поиском путей гармонизации развития аутичного ребенка занимались многие специалисты разного профиля. Сегодня есть разные точки зрения на происхож
User Aronitue9 : 31 января 2013
Исследование электрических свойств полупроводниковых материалов
Вывод:Построенный график даёт понятие о температурной зависимости различных областей проводимости полупроводников. У Ge наблюдается яркий переход от области истощения примесей к области собственной электропроводности. Si находится у порога собственной электропроводности при 125, что соответствует достаточно высокому содержанию примесей. SiC находится в области ионизации примесей на всём температурном диапазоне, что соответствует достаточно высокой энергии ионизации примесей и большой ширине запр
User muradza : 26 ноября 2016
300 руб.
up Наверх