Онлайн Тест 7 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем.
-
Категории:
СибГУТИ, Элементная база телекоммуникационных систем, Тесты
-
Добавлен:
29.09.2023
-
Размер:
118 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
IT-STUDHELP
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
A982684D-11BD-4D7B-99EA-ED152B790C7A.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос №1
Как называются выводы биполярного транзистора?
База, коллектор, эмиттер
Сетка, катод, анод
Затвор, исток, сток
Затвор, коллектор, эмиттер
База, катод, анод
Нет правильного ответа
Вопрос №2
Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:
усиление тока
усиление мощности
усиление напряжения
мощность и ток
усиление тока и напряжения
нет правильного ответа
Вопрос №3
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №4
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Ватт-амперная характеристика ППЛ - это зависимость:
Амплитуды от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №6
В индуктивном элементе происходит:
Накопление электрической энергии
Рассеивание электрической энергии
Накопление магнитной энергии
Рассеивание магнитной энергии
Нет правильного ответа
Вопрос №7
Общее сопротивление параллельной резистивной цепи...
Больше, чем сопротивление наименьшего резистора цепи
Равно сопротивлению наименьшего резистора цепи
Меньше, чем сопротивление наименьшего резистора цепи
Нет правильного ответа
Вопрос №8
При параллельном соединении элементов R, L и C общая реактивная проводимость электрической цепи равна...
Полному комплексному сопротивлению схемы
Полной комплексной проводимости схемы
Суммарному значению сопротивлений всех элементов схемы
Нет правильного ответа
Вопрос №9
Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется:
областью насыщения
линейной областью
областью модуляции
нет правильного ответа
Вопрос №10
Какая из схем включения биполярного транзистора инвертирует входной сигнал?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №11
Основной элемент аналоговых микросхем:
тиристор
диод
транзистор
динистор
тринистор
нет правильного ответа
Вопрос №12
Электроны не могут находиться на энергетических уровнях...
Акцепторов
Валентной зоны
Запрещенной зоны
Зоны проводимости
Нет правильного ответа
Вопрос №13
Что не содержит внутри себя пассивный четырехполюсник?
Набор реактивных элементов и источник тока
Набор реактивных элементов
Набор резистивных элементов
Набор резистивных элементов и источник тока
Нет правильного ответа
Вопрос №14
Из каких элементов можно составить сглаживающие фильтры?
Из резисторов
Из конденсаторов
Из катушек индуктивности
Нет правильного ответа
Вопрос №15
Светоизлучающий диод изготавливается из полупроводников...
l- и п- типа
р- и l- типа
р- и п- типа
р- типа диэлектрика
Нет правильного ответа
Вопрос №16
В цепи синусоидального тока с конденсатором C происходит...
Обратимый процесс обмена энергией между электрическим полем конденсатора и источником
Необратимый процесс обмена энергией между электрическим полем конденсатора и источником
Процесс передачи энергии от конденсатора к источнику
Процесс передачи энергии от источника к конденсатору
Нет правильного ответа
Вопрос №17
В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и эмиттером:
равно выходному напряжению
равно входному току
равно выходному току
равно входному напряжению
все ответы верны
нет правильного ответа
Вопрос №18
Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов?
Только активные сопротивления
Только реактивные сопротивления
Наличие переходных процессов не зависит от типа элементов цепи
Нет правильного ответа
Вопрос №19
Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора?
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и база-эмиттер, соответственно
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и коллектор-база, соответственно
Это отношения приращения тока эмиттера к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база, соответственно
Нет правильного ответа
Вопрос №20
Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора?
Она должна быть больше диффузионной длины электрона, но меньше длины волны электрона
Она должна быть больше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть меньше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть равна меньшему из значений диффузионной длины и длины волны электрона
Нет правильного ответа
=============================================
Как называются выводы биполярного транзистора?
База, коллектор, эмиттер
Сетка, катод, анод
Затвор, исток, сток
Затвор, коллектор, эмиттер
База, катод, анод
Нет правильного ответа
Вопрос №2
Особенностью включения биполярного транзистора по схеме с ОБ является:
усиление тока
усиление мощности
усиление напряжения
мощность и ток
усиление тока и напряжения
нет правильного ответа
Вопрос №3
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: возможность усиления и по току, и по напряжению, достаточно высокое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №4
К какой из схем включения биполярного транзистора относятся указанные характеристики коэффициентов усиления и входного сопротивления: не дает усиления по току, имеет усиление по напряжению и малое входное сопротивление?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №5
Ватт-амперная характеристика ППЛ - это зависимость:
Амплитуды от тока накачки
Сопротивления от тока накачки
Температуры от тока накачки
Нет правильного ответа
Вопрос №6
В индуктивном элементе происходит:
Накопление электрической энергии
Рассеивание электрической энергии
Накопление магнитной энергии
Рассеивание магнитной энергии
Нет правильного ответа
Вопрос №7
Общее сопротивление параллельной резистивной цепи...
Больше, чем сопротивление наименьшего резистора цепи
Равно сопротивлению наименьшего резистора цепи
Меньше, чем сопротивление наименьшего резистора цепи
Нет правильного ответа
Вопрос №8
При параллельном соединении элементов R, L и C общая реактивная проводимость электрической цепи равна...
Полному комплексному сопротивлению схемы
Полной комплексной проводимости схемы
Суммарному значению сопротивлений всех элементов схемы
Нет правильного ответа
Вопрос №9
Область рабочих параметров полевого транзистора, в которой канал существует от истока до стока называется:
областью насыщения
линейной областью
областью модуляции
нет правильного ответа
Вопрос №10
Какая из схем включения биполярного транзистора инвертирует входной сигнал?
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Схема с общим коллектором
Нет правильного ответа
Вопрос №11
Основной элемент аналоговых микросхем:
тиристор
диод
транзистор
динистор
тринистор
нет правильного ответа
Вопрос №12
Электроны не могут находиться на энергетических уровнях...
Акцепторов
Валентной зоны
Запрещенной зоны
Зоны проводимости
Нет правильного ответа
Вопрос №13
Что не содержит внутри себя пассивный четырехполюсник?
Набор реактивных элементов и источник тока
Набор реактивных элементов
Набор резистивных элементов
Набор резистивных элементов и источник тока
Нет правильного ответа
Вопрос №14
Из каких элементов можно составить сглаживающие фильтры?
Из резисторов
Из конденсаторов
Из катушек индуктивности
Нет правильного ответа
Вопрос №15
Светоизлучающий диод изготавливается из полупроводников...
l- и п- типа
р- и l- типа
р- и п- типа
р- типа диэлектрика
Нет правильного ответа
Вопрос №16
В цепи синусоидального тока с конденсатором C происходит...
Обратимый процесс обмена энергией между электрическим полем конденсатора и источником
Необратимый процесс обмена энергией между электрическим полем конденсатора и источником
Процесс передачи энергии от конденсатора к источнику
Процесс передачи энергии от источника к конденсатору
Нет правильного ответа
Вопрос №17
В режиме насыщения у транзисторного ключа напряжение между коллектором и эмиттером:
равно выходному напряжению
равно входному току
равно выходному току
равно входному напряжению
все ответы верны
нет правильного ответа
Вопрос №18
Какие элементы должны содержаться в цепи для отсутствия переходных процессов?
Только активные сопротивления
Только реактивные сопротивления
Наличие переходных процессов не зависит от типа элементов цепи
Нет правильного ответа
Вопрос №19
Что представляют собой коэффициенты передачи эмиттерного и базового токов биполярного транзистора?
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и база-эмиттер, соответственно
Это отношения приращения тока коллектора к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и коллектор-база, соответственно
Это отношения приращения тока эмиттера к приращению тока базы при постоянных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база, соответственно
Нет правильного ответа
Вопрос №20
Какое требование предъявляется к ширине базы биполярного транзистора?
Она должна быть больше диффузионной длины электрона, но меньше длины волны электрона
Она должна быть больше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть меньше диффузионной длины и длины волны электрона
Она должна быть равна меньшему из значений диффузионной длины и длины волны электрона
Нет правильного ответа
=============================================
Дополнительная информация
Не нашли нужный ответ на тесты СибГУТИ? Пишите, помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
radist2020
: 30 января 2022
600 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР2
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Транзистор с управляющим p-n переходом
2.Транзистор с индуцированным каналом
Vladislaw
: 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 7
antoxa231
: 15 марта 2025
Контрольная работа по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
«Разработка интегрального цифрового устройства»
Вариант - 7
Цель работы: научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС)
Задание :
вариант уравнение мощность/ток время
7 Y_1=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅+X_1∙X_2∙X_3 I_(потр.ср)<60 мкА 〖t^1,0〗_(зд р)<120нс
Y_2=(X_4∙X_5∙X_6 ) ̅∙X_1∙X_2∙X_3
Y_3=(X_1 ) ̅+(X_2 ) ̅+(X_3 ) ̅+(X_4 ) ̅+(X_5 ) ̅
Цель пер
antoxa231
: 15 марта 2025
300 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. вариант №55
ScienceMonkey
: 22 февраля 2022
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже
таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
ЗАДАЧА 2
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
По заданным характеристикам, приведенным в таблице 2.1 выбрать
транзисторы. Для выбора транзисторов использовать справочник транзисторов
(для выхода в справочник необ
ScienceMonkey
: 22 февраля 2022
310 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №29
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА № 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таб-лице 1. (формулы для расчета приведены в Приложении А).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
№ ВАРИАНТА
Предпоследняя цифра
2
Последняя цифра
9
400
360
Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить выбор стабилит
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
ЗАДАЧА No 1
ВЫБОР ТИПА ДИОДОВ ДЛЯ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
No ВАРИАНТА Последняя цифра 3
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 400
U2, В 360
Тип выпрямителя Однополупериодный выпрямитель
ЗАДАЧА 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задание:
1.Осуществить
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
580 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №1
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. ВАХ диода
1.1 Исследование прямой ветви ВАХ диода
1.2 Исследование обратной ветви ВАХ диода
1.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ диода Zelex BAV70
2. ВАХ стабилитрона
2.1 Исследование обратной ветви ВАХ стабилитрона
2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
2.3 Графики прямой и обратной ветвей ВАХ стабилитрона motor 1n 1N5924B
Vladislaw
: 5 июня 2021
200 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. ЛР №3
Vladislaw
: 5 июня 2021
1. Расчет и испытание транзисторного ключа
1.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2. Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа
2.2 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
2.3 Передаточные характеристики (графические зависимости) транзисторных ключей.
Vladislaw
: 5 июня 2021
200 руб.
Другие работы
Система налогов и сборов в РФ
Elfa254
: 22 октября 2013
1. ТОРГОВЫЕ ОРГАНИЗАЦИИ КАК СУБЪКТЫ НАЛОГОВЫХ ПРАВООТНОШЕНИЙ
1.1 Понятие налогового права. Предмет налогового права, метод правового регулирования
Под субъектом налогообложения понимаются лица, на которых НК РФ возложена обязанность по оплате того или иного налога.
Основную категорию субъектов налогообложения составляют налогоплательщики и плательщики сборов. Налогоплательщиками и плательщиками сборов признаются организации и физические лица, на которых в соответствии с НК РФ возложена обя
Elfa254
: 22 октября 2013
5 руб.
Внутренний контроль как инструмент банковского менеджмента
VikkiROY
: 6 ноября 2012
Содержание
1. Теоретические основы внутреннего контроля как инструмента банковского менеджмента
1.1 Цели и задачи внутреннего контроля
1.1.1 Основная цель и направления системы внутреннего контроля
1.2 Служба внутреннего контроля в банках
1.3 Организация внутреннего контроля за рисками банковской деятельности
1.3.1 Содержание контроля на индивидуальном уровне
1.3.2 Организация контроля на уровне структурных подразделений
1.3.3 Внутренний контроль за банковскими рисками на макроуровне
2.1 Содержа
VikkiROY
: 6 ноября 2012
10 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств.лабораторная работа №2. 18 вариант.
kakau
: 14 мая 2013
“Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе”
Цель работы.
Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
2.1 Исследование АЧХ.
kakau
: 14 мая 2013
99 руб.
Теплотехника Задача 27.11 Вариант 18
Z24
: 12 февраля 2026
Отработавшее масло дизеля охлаждается в противоточном водяном теплообменнике. Расход масла G, его температура на входе t′м, на выходе t″м, теплоемкость срм=2 кДж/(кг·К). Температура воды на входе t′в, на выходе t″в. Коэффициент теплопередачи k=200 Вт/(м²·К). Определить площадь поверхности теплообмена.
Z24
: 12 февраля 2026
150 руб.
