Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №30
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вариант №30
Задание №1
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Исходные данные:
U_СИ0=9 В;
U_ЗИ0=-3,2 В;
Строим характеристику прямой передачи:
, В
0 -0,4 -0,8 -1,2 -1,6 -2 -2,4
, мА
4,77 3,77 2,8 1,95 1,3 0,7 0,3
Задание №2
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Исходные данные:
U_КЭ=30 В;
Решение:
, мА
2,5 7,5 12,5 17,5 22,5 27,5
, В
0,15 0,05 0,04 0,035 0,03 –
, Ом
30 10 8 7 6 –
Задание №3
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Исходные данные:
Принципиальная схема элемента - Рис. 1а
Принципиальная схема элемента - 5
Напряжение питания, В. - 2
Пороговые напряжения МДП транзисторов VT1 и VT2 - 1
На схеме изображен элемент НЕ на nМОП-транзисторах с положительным источником питания.
Задача №4
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Исходные данные:
R_1=1 кОм;
R_2=10 кОм;
R_3=0,82 кОм;
U_вх=100 мВ;
U_пит=6 В;
Решение:
=============================================
Задание №1
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Исходные данные:
U_СИ0=9 В;
U_ЗИ0=-3,2 В;
Строим характеристику прямой передачи:
, В
0 -0,4 -0,8 -1,2 -1,6 -2 -2,4
, мА
4,77 3,77 2,8 1,95 1,3 0,7 0,3
Задание №2
Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12-19) транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1.
Исходные данные:
U_КЭ=30 В;
Решение:
, мА
2,5 7,5 12,5 17,5 22,5 27,5
, В
0,15 0,05 0,04 0,035 0,03 –
, Ом
30 10 8 7 6 –
Задание №3
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Исходные данные:
Принципиальная схема элемента - Рис. 1а
Принципиальная схема элемента - 5
Напряжение питания, В. - 2
Пороговые напряжения МДП транзисторов VT1 и VT2 - 1
На схеме изображен элемент НЕ на nМОП-транзисторах с положительным источником питания.
Задача №4
В соответствии со второй цифрой пароля выберете принципиальную схему устройства на основе идеального операционного усилителя и приведите исходные данные вашего варианта в соответствии с таблицей 2. Варианты схем приведены на рисунке 2.
Исходные данные:
R_1=1 кОм;
R_2=10 кОм;
R_3=0,82 кОм;
U_вх=100 мВ;
U_пит=6 В;
Решение:
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а): Борисов Александр Васильевич
Оценка: Отлично
Дата оценки: 04.10.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки: 04.10.2023г.
Помогу с вашим вариантом, другой дисциплиной, онлайн-тестом, либо сессией под ключ.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 14
Roma967
: 14 октября 2024
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 - Исходные данные.
№ варианта: 14
Тип ПТ: КП302А
Uси0, В: 6
Uзи0, В: -2,5
Задача 2
Используя характеристики заданного биполя
1500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 31
SibGOODy
: 10 июля 2023
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 - Исходные данные к задаче №1
№ варианта: 31
Тип ПТ: КП307Ж
UСИ0, В: 9
UЗИ0, В: -4
Задача 2
Используя характеристики задан
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант 11
SibGOODy
: 10 июля 2023
Задача 1
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные представлены в таблице 1.1.
Таблица 1.1 - Исходные данные к задаче №1
№ варианта: 11
Тип ПТ: КП903Б
UСИ0, В: 5
UЗИ0, В: -4
Задача 2
Используя характеристики задан
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №04
IT-STUDHELP
: 3 июля 2023
Контрольная работа
Вариант №04
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП303Д; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.
------------------------------------------------------------------------------
Задача 2.
Используя
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №19
IT-STUDHELP
: 29 апреля 2023
Вариант №19
Задача №1
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Полевой транзистор КП307Ж,
UСИ0, В = 7,
UЗИ0, В = - 4
---------
400 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Вариант №10
IT-STUDHELP
: 25 декабря 2022
Контрольная работа
Вариант №10
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, R_i, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные: КП903A; U_CИ0=10B; U_ЗИ0=-8В.
Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистор
400 руб.
Другие работы
Актуальные вопросы иммунизации: предоставление иммунизационных услуг
DocentMark
: 22 декабря 2012
В здравоохранении США и России много сходных проблем. Мы многому можем научиться друг у друга. В частности, в области иммунизации перед нами стоят одинаковые задачи: защитить каждого человека и общество в целом путем создания такой системы, при которой каждый ребенок (и взрослый) пройдет полную, эффективную, безопасную и своевременную иммунизацию, позволяющую предотвратить заболевания. Однако сегодня мы сталкиваемся со многими трудностями при решении задачи по поддержанию здоровья популяции в ус
Электронные устройства мехатронных и робототехнических систем. Тест с ответами. МФПУ «Синергия», МОИ, МТИ, МОСАП
kolonokus1
: 27 августа 2025
1. В результате непосредственного воздействия на кристаллическую решётку полупроводника в области p-n-перехода сильного электрического поля возникает:
· Электрический пробой
· Лавинный пробой
· Тепловой пробой
· Поверхностный пробой
2 … - это приборы, которые могут проводить ток в обе стороны, то есть это не что иное, как два тиристора включенных параллельно
3 … транзистор – это полупроводниковый прибор, ток которого управляется электрическим полем и который предназначен для
180 руб.
Теплотехника КНИТУ Задача ТД-4 Вариант 61
Z24
: 16 января 2026
Водяной пар при давлении р1 и температуре t1, дросселируется до давления p2. Определить неизвестные параметры пара h, υ, s в начале и в конце дросселирования и потерю работоспособности Dh=T0·Δs.
Принять температуру окружающей среды равной t0. Изобразить процессы на hs — диаграмме.
150 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Системы сигнализации в сетях связи. Вариант №3
IT-STUDHELP
: 26 июня 2023
Контрольная работа
Вариант №3
Расшифровка результатов измерений в ОКС №7
Исходные данные: 1. Файлы результатов измерений в ОКС №7; 2. Рек. ITU-T – Q.763, Q.850
Задание:
По результатам измерений, представленных в виде текстового файла в шестнадцатеричных кодах, необходимо:
Для каждого из сообщений подсистемы ISUP, представленных в шестнадцатеричной форме, привести полную расшифровку сообщений в текстовом варианте.
Сообщение:
TLink1B 00:07.742
000: EB FD 25 85 41 60 00 B8 CB 00 01 08
1050 руб.