Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №13
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Билет №13
1. Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1. Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Оценка - отлично!
Год сдачи: 2023 г.
Преподаватель: Борисов А.В.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Год сдачи: 2023 г.
Преподаватель: Борисов А.В.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника»
selkup
: 16 марта 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-
250 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет 9
SibGOODy
: 22 июля 2018
1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №16
SibGOODy
: 20 июля 2018
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведит
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №2 по дисциплине: Оптические мультисервисные сети. Вариант №3
ramzes14
: 1 марта 2014
Цель работы: Изучение характеристик технологии GFP, структуры кадра GFP, управления GFP.
Теоретические сведения:
Структура кадра GFP.
В составе клиентского GFP-кадра можно выделить два блока: основной заголовок размером 4 байта и область полезной нагрузки переменного размера от 4 до 65535 байт.
50 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине: «Инфраструктура линейных сооружений в инфокоммуникационных системах» Коррозия оболочек кабелей связи Вариант общий
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 11 октября 2025
Описание
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучение коррозии оболочек кабелей связи
ВЫПОЛНЕНИЕ РАБОТЫ
Лабораторная работа представлена в форме обучающей программы.
1. Откроем папку с лабораторной работой.
2. Изучим теоретический материал разделов.
3. Перейдем в раздел «Тест».
1) Что такое анодная зона?
2) Чем вызвана электрокоррозия?
3) Как называется отвод блуждающих токов с защищаемого кабеля посредством проводника?
4) Такие факторы как неоднородность химического состава грунта, насыщенность грунта к
340 руб.
Программа для "Школьный журнал"
Den45
: 15 декабря 2015
Программа была создана для курсовой работы студента физ мата. По умолчанию логин "учитель" пароль 123456.
Для запуска необходимо поменять путь в файле "put.ini" (под цифрой 1 путь к базе SCHOOL.FDB второй для резервного копирования).
В архиве предоставлен весь исходный код и база. База firebird 2.1 язык программирования delphi 7
500 руб.
Унитарное предприятие "ИП Марханов", его характеристика и анализ работы
Elfa254
: 15 ноября 2013
1. Общая характеристика предприятия
УП «ИП Марханов» было создано в ноябре 2005 г. Форма собственности – частная; правовая организационная структура – унитарное предприятие. Предприятие было создано на основе ранее действующей в течении двух лет структуры ИП Марханов в виде индивидуального предпринимателя. Название предприятия осталось прежним, чтобы старые клиенты знали что УП «ИП Марханов» тот же самый ИП Марханов к ассортименту товаров и уровню цен которому они привыкли за два года.
За три
10 руб.