Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №13
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Билет №13
1. Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1. Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Оценка - отлично!
Год сдачи: 2023 г.
Преподаватель: Борисов А.В.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Год сдачи: 2023 г.
Преподаватель: Борисов А.В.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника»
selkup
: 16 марта 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-
250 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет 9
SibGOODy
: 22 июля 2018
1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и
350 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №16
SibGOODy
: 20 июля 2018
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приведит
350 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 11 июня 2021
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Илья272
: 21 мая 2021
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе.
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.
Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
Алексей134
: 4 марта 2021
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
SibGUTI2
: 9 мая 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями.
2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа.
Приведите передаточн
100 руб.
Другие работы
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА по дисциплине «Электропитание устройств и систем связи». Вариант 22.
freelancer
: 9 августа 2016
ВАРИАНТ 22
1.Задание.
- Рассчитать емкость и количество аккумуляторных батарей (элементов), выбрать тип аккумуляторных батарей; найти ток выпрямителя и мощность, потребляемую ЭПУ от внешней сети, выбрать типовое выпрямительное устройство; рассчитать заземляющее устройство и выбрать автомат защиты.
- составить функциональную схему системы электропитания с указанием всех типов выбранного оборудования.
Исходные данные.
Таблица 1.
Предпоследняя цифра номера зачетной книжки 2
Напряжение питания ос
80 руб.
Контрольная работа №2. Английский язык (часть 2)
Игорь661
: 11 июня 2015
Контрольная работа № 2
I. Перепишите и письменно переведите на русский язык следующие предложения. Помните, что объектный и субъектный инфинитивные обороты соответствуют придаточным предложениям.
1. Some liquids are known to conduct current without any changes to themselves.
100 руб.
Клапан предохранительный - КИГД.ХХ0Х07.000 СБ
.Инженер.
: 20 июня 2026
КИГД.ХХ0Х07.000 СБ - Клапан предохранительный. Сборочный чертеж. Спецификация. Чертежи.
Клапан предохранительный предназначен для исключения возможности повышения давления сверх установленного в обслуживаемом объекте путем сброса рабочей среды. Клапан состоит из корпуса 1, в нижней части которого установлен фланец 2 при помощи болтов 11, гаек 14 и шайб 16 . В цилиндрическое отверстие фланца 2 входит клапан 3, который торцевой плоскостью цилиндрического бортика клапана упирается в торцевую пло
700 руб.
Экзаменационная работа.Методы и средства измерений в телекоммуникационных системах. Билет11.
gerts
: 27 марта 2016
1. Влияние соединительных шнуров на погрешность измерения уровня
2. Метод вносимых потерь
3. Измерение относительной спектральной чувствительности фотоприемных устройств
149 руб.