Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №13

Цена:
600 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 4346ED3A-CE8B-4D11-B118-D7C7DAA29CEE.docx [ 362 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Билет №13

1. Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.

2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

Оценка - отлично!
Год сдачи: 2023 г.
Преподаватель: Борисов А.В.
Помогу с другим вариантом.

Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru

Похожие материалы

Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет 9
1. Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGOODy : 22 июля 2018
350 руб.
promo
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). Билет №16
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведит
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGOODy : 20 июля 2018
350 руб.
promo
Экзаменационная работа по дисциплине: «Электротехника, электроника и схемотехника»
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-
Электротехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User selkup : 16 марта 2017
250 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.

Другие работы

Контрольная работа по ЛОГИКЕ. Билет 12
1. Определите вид понятия (по содержанию: положительное/отрицательное, конкретное/абстрактное, соотносительное/безотносительное, собирательное/разделительное; по объему: единичное, общее, пустое) Солнце 2. Определить отношения понятий. Изобразить графически. А) медицинский полис, автостраховка, страховая компания; 3. Провести обобщение понятия (не менее трех уровней). 4. Провести ограничение понятия (не менее трех уровней). 5. Проведите операцию деления данного понятия по видообразующему при
******* Не известно Логика Работа Контрольная
User yumi : 2 июня 2015
180 руб.
Контрольная работа. Методы и средства измерений в ТКС.
Контрольная работа. Методы и средства измерений в ТКС. Часть 1 ОБЪЕКТИВНЫЕ ОЦЕНКИ РЕЗУЛЬТАТОВ ИЗМЕРЕНИЙКОЭФФИЦИЕНТА ОШИБОК. Часть 2 ГЕНЕРАТОРЫ ГАРМОНИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ ДЛЯИЗМЕРЕНИЯ В КАНАЛАХ И ТРАКТАХ. 1. Технические и метрологические характеристики генераторов. 2.Особенности построения генераторов на основе синтезаторов частот . Часть 3 ОЦЕНКА КАЧЕСТВА КАНАЛОВ ТОНАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫМЕТОДОМ ШУМОВОЙ ЗАГРУЗКИ. 1.Имитация реального сигнала в групповом тракте. 2.Основные преимущества метода шумовой загру
СибГУТИ Методы и средства измерений в ТС Работа Контрольная
User Алиса8 : 6 июля 2019
150 руб.
Контрольная работа. Методы и средства измерений в ТКС.
Алгоритмические языки и программирование. Лабораторная №1. Вариант № 4
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 1 Тема: Первое приложение на DELPHI Цель работы: Ознакомиться с основными приемами работы в среде DELPHI Задание 1. Выполните последовательно следующие действия Запустите Delphi. (Пуск → Программы → Borland Delphi 5) Выберите в Палитре компонентов закладку Standard. Перенесите с Палитры компонентов на форму компоненты TLabel и TButton. Для этого поочередно подводите курсор мыши к компонентам, читая подсказки, до тех пор, пока не появится Label. Выберете его, нажав
СибГУТИ Программирование Работа Лабораторная
User andreyka1486 : 25 февраля 2013
50 руб.
Экономические циклы
ВВЕДЕНИЕ 3 ГЛАВА 1. ВИДЫ ЦИКЛОВ В ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ДИНАМИКЕ 5 1.1. Понятие экономического цикла 5 1.2. Описание и анализ циклов 12 ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ТЕОРИИ БОЛЬШИХ ЦИКЛОВ 18 2.1. Общая характеристика 18 2.2. Политика на длинных волнах 20 2.3. Анализ циклов в экономике США 23 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 27 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 29
СибГУТИ Работа Курсовая Экономическая теория
User ninok : 4 февраля 2013
500 руб.
up Наверх