Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №19

Контрольная работа
Вариант No19

Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.

Исходные данные:
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.

Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
19 AMD Sempron M 2600+ КТ373Б 6С52Н ATF1502ASV

Таблица 2.2 – Параметры ЭВП
No Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
2 6С52Н 130 6,3 8 120 12 11 20,3 3,2 144

Таблица 2.3 – Параметры транзисторов
No Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
9 КТ373Б 100 15 5 2,5 0,2 13,90

Таблица 2.4 – Параметры БИС
No Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
17 ATF1502ASV 180 3000 3,3 44 100 1,2 10 85,8

Таблица 2.5 – Параметры наноизделий
No Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Технология, нм Цена, руб.
    Min Max   Min Max   
19 AMD Sempron M 2600+ 109 754 25 35 1,6 112 1,1 1,3 3,2 90 1742

Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01

=============================================

Проверил(а): Елистратова Ирина Борисовна
Оценка: Отлично
Дата оценки: 10.11.2023г.

Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru