Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №19
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Контрольная работа
Вариант No19
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Исходные данные:
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
19 AMD Sempron M 2600+ КТ373Б 6С52Н ATF1502ASV
Таблица 2.2 – Параметры ЭВП
No Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
2 6С52Н 130 6,3 8 120 12 11 20,3 3,2 144
Таблица 2.3 – Параметры транзисторов
No Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
9 КТ373Б 100 15 5 2,5 0,2 13,90
Таблица 2.4 – Параметры БИС
No Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
17 ATF1502ASV 180 3000 3,3 44 100 1,2 10 85,8
Таблица 2.5 – Параметры наноизделий
No Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Технология, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
19 AMD Sempron M 2600+ 109 754 25 35 1,6 112 1,1 1,3 3,2 90 1742
Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
=============================================
Вариант No19
Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
Исходные данные:
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.
Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
19 AMD Sempron M 2600+ КТ373Б 6С52Н ATF1502ASV
Таблица 2.2 – Параметры ЭВП
No Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
2 6С52Н 130 6,3 8 120 12 11 20,3 3,2 144
Таблица 2.3 – Параметры транзисторов
No Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
9 КТ373Б 100 15 5 2,5 0,2 13,90
Таблица 2.4 – Параметры БИС
No Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
17 ATF1502ASV 180 3000 3,3 44 100 1,2 10 85,8
Таблица 2.5 – Параметры наноизделий
No Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Технология, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
19 AMD Sempron M 2600+ 109 754 25 35 1,6 112 1,1 1,3 3,2 90 1742
Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01
=============================================
Дополнительная информация
Проверил(а): Елистратова Ирина Борисовна
Оценка: Отлично
Дата оценки: 10.11.2023г.
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Оценка: Отлично
Дата оценки: 10.11.2023г.
Помогу с вашим онлайн тестом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
E-mail: ego178@mail.ru
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине "Элементная база электронной техники". Вариант 02
apexgen
: 22 мая 2023
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ
НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).
Таблица 1.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
2 Intel Core 2 Duo E6600 KT316A 6С53Н ATF2500B
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые испол
720 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 7
Roma967
: 25 марта 2023
"Анализ технико-экономической эффективности внедрения наноэлектронных изделий"
1. Задание контрольной работы
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, тра
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 17
Roma967
: 26 января 2023
Задача №1
Выбор типа диодов для выпрямителей
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1.
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Вариант задания
№ варианта: 17
Rн,Ом: 200
U2,В: 220
Ток выпрямителя: Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
Задача №2
Выбор стабилитронов для вторичных источников питания
Задание:
1. Осуществить выбор стабилитрона из Приложения Б.
2.
900 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант №5
IT-STUDHELP
: 16 ноября 2022
Контрольная работа
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
по дисциплине
«Элементная база телекоммуникационных систем»
--------------------------------------------------------------
Задание:
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому о
950 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 12
Учеба "Под ключ"
: 7 ноября 2022
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 6
3. Расчёты 7
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 7
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 9
3.3. Определение выигрыша в массе 11
3.4. Определение выигрыша по потребляемой мощности 12
3.5. Определение выигрыша в стоимости 13
Список использованных источников 15
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффек
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 07
Учеба "Под ключ"
: 8 августа 2022
Задача №1
Выбор типа диодов для выпрямителей
Задание:
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1.
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Вариант задания
№ варианта: 07
Rн,Ом: 200
U2,В: 220
Ток выпрямителя: Двухполупериодный выпрямитель со средней точкой
Задача №2
Выбор стабилитронов для вторичных источников питания
Задание:
1. Осуществить выбор стабилитрона из Приложения Б.
2.
900 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. Вариант 01
IT-STUDHELP
: 9 апреля 2022
Контрольная работа
Задание No1
1 Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам,
приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже
таблицы 1).
2 Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами,
удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Таблица 1.1 – Исходные данные
No Варианта Последняя цифра 1
Предпоследняя цифра
0 Rн, Ом 200
U2, В 220
Тип выпрямителя Двухполупериодный
Задание 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
1.Осуществить выбор стабилитрон
580 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база электронной техники. ВАРИАНТ 01
KVASROGOV
: 27 сентября 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Элементная база электронной техники
ВАРИАНТ 01
200 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №2 (LR2_2) по дисциплине: «Метрология, стандартизация, сертификация». Вариант №02.
freelancer
: 4 декабря 2017
Поверка аналогового измерительного прибора
Исследование проводится для трех значений напряжения в трех точках шкалы:
U1 = 3 В; U2 = 5 В; U3 = 9 В;
Частота: f = 40 Гц.
Число наблюдений: n =7
Доверительный интервал измерений: Рдов=0,95
Предел измерения напряжения поверяемого аналогового вольтметра устанавливается равным Uк = 10 В, образцового − 15 В.
150 руб.
Витрина в ТЦ
grom555
: 11 сентября 2014
3 чертёжа,формат А3, перечень элементов не отображён на листе, строительный чертеж Витрина в ТЦ , выполнен в компасе 8ой версии. На 1 листе изображён Витрина в ТЦ в з-х мерной проекции и вид сверху, пронумерованы элементы, проставлены размеры,даны пояснения, основная надпись не заполнена, на 2 листе Профили изображен разрез профилей пронумерованы элементы, проставлены размеры, на 3 листе Витраж внутренний изображен витраж пронумерованы элементы, проставлены размеры файл имеет расширение cdw. , у
350 руб.
Теплотехника ТОГУ-ЦДОТ 2013 Задача 5 Вариант 19
Z24
: 23 января 2026
Определить индикаторную мощность Ni двухтактного двигателя внутреннего сгорания по его конструктивным параметрам и среднему индикаторному давлению. Значения диаметра цилиндра двигателя D, ход поршня s, угловую скорость коленчатого вала ω, число цилиндров z и среднее индикаторное давление pi выбрать из табл. 30.
150 руб.
Генератор однополярных прямоугольных импульсов на базе «идеального» ОУ и транзисторного каскада
Viktorrr1984
: 14 января 2012
Содержание
Введение………………………………………………………………..…...….2
1. Схема электрическая структурная………………………………3
2. Схема электрическая функциональная……………………….5
3. Схема электрическая принципиальная………………………..6
4. Транзисторный усилитель………………………………………...…8
5. Операционный усилитель ………………………………………….13
6. Погрешность выходного импульса…………………………….18
Заключение………………………………………………………………….19
Список используеиой литературы………………………………....20
Приложения:
1. Перечень элементов П1
2. Схема электрическая принципиал