Контрольная и Лабораторные 1-2 . Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 02. Поможем сдать все по ДО СИБГУТИ

Помогу сдать все виды работ по ДО СИБГУТИ. Работаем с 2016 года.


Лабораторная работа 1
РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО ЦИФРОВОГО УСТРОЙСТВА

Разработка интегрального цифрового устройства

ЦЕЛЬ РАБОТЫ:
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).

ЗАДАНИЕ
1.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упро-щение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
1.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести список необходимых базовых элементов. Количество типов ЦИМС и корпусов ИМС должно быть по возможности минимальным.
1.3. На основе анализа данных задания обосновать выбор типа логики (ТТЛ, ТТЛШ, КМДП) и подходящих по параметрам серий. При выборе ИМС возможно использование ИМС с различным типом логики (например, ТТЛ и ТТЛШ, ТТЛШ и КМДП и т.д.) при условии их совместимости по параметрам, совместимости по питанию (все ИМС должны питаться от одного источника).
1.4. Выводы о результатах выполненной работы (в частности, можно указать и другие варианты реализации устройства).

В задании приведены уравнения с параметрами Y и Х. В этих уравнениях Y1, Y2, Y3, Y4 – выходные логические сигналы устройства, Х1, Х2, Х3, Х4, Х5, Х6, X7, X8 – входные логические сигналы (их количество в разных вариантах может быть до восьми).

Заданная функция для варианта 02: !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
Y2=X1⋅X2⋅X3+X4⋅X5⋅X6

=============================================

Лабораторная работа 2
Изучение интегральных операционных усилителей

Цель работы:
Изучить типы, характеристики и параметры интегральных операционных усилителей (ИОУ).

Задание

1.1. Привести схему устройства на ИОУ, предусмотренную индивидуальным заданием.
1.2. Пояснить назначение устройства, привести виды амплитудной и амплитудно-частотной характеристик.
1.3. Оформить отчет о проделанной работе, отчет должен содержать:
̶ схему устройства;
̶ виды характеристик (амплитудной и АЧХ);
̶ список использованных источников информации.

Исходные данные для варианта 02 - Инвертирующий усилитель!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

=============================================
=============================================

Контрольная работа

АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ
НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ

В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1).

Таблица 1.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
2 Intel Core 2 Duo E6600 KT316A 6С53Н ATF2500B

Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, представлены в таблицах 1.2-1.5.

Таблица 1.2 – Параметры ЭВП
Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
6С53Н 130 6,3 9 120 5 11 20 2,5 447

Таблица 1.3 - Параметры транзисторов
Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
KT316A 40 5 6 4,5 0,6 23,01

Таблица 1.4 – Параметры БИС
Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
ATF2500B 110 6000 5,0 44 676 3,5 30 394

Таблица 1.5 – Параметры наноизделий
Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Техно-логия, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
Intel Core 2 Duo E6600 291 775 55 75 2,40 144 0,85 1,36 2,6 65 8216

------------------------------------------------------------------------------

1.1 Задания к практическим занятиям

1.1. Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2. Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3. Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4. Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5. Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.


2.1 Определение выигрыша во времени безотказной работы

- интенсивность отказов λ наноэлектронного изделия указано в таблице 2.1

Таблица 2.1 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01