Контрольная и Лабораторные 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 03 Поможем сдать все по ДО СИБГУТИ

Помогу сдать все виды работ по ДО СИБГУТИ. Работаем с 2016 года.

Контрольная работа
Вариант No03
дание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.2 Определить выигрыш по занимаемому объему наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.3 Определить выигрыш по массе наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.4 Определить выигрыш по потребляемой мощности наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.
1.5 Определить выигрыш по стоимости наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложности на электровакуумных приборах, транзисторах и на интегральных схемах большой степени интеграции.

Исходные данные
Наноэлектронное изделие представляет собой интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), приведенную в таблице 2.1.
Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, которые используются для реализации изделия соответствующего по сложности наноэлектронному, приведены в таблицах 2.2-2.5.

Таблица 2.1 – Данные для вариантов элементной базы
Цифра пароля Тип наноизделия Тип транзистора Тип ЭВП Тип БИС
03 Dual-Core Intel Xeon 5060 KT325Б 6С52Н ATF1502ASV

Таблица 2.2 – Параметры ЭВП
No Тип Iнак, мА Uнак, В Iанод, мА Uанод, В Nвывод Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
2 6С52Н 130 6,3 8 120 12 11 20,3 3,2 144

Таблица 2.3 – Параметры транзисторов
No Наименование Iпотр, мА Uпит, В Диаметр Ø, м∙10^(-3) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
13 KT325Б 30 10 9,4 6,6 1,2 11,68

Таблица 2.4 – Параметры БИС
No Наименование Iпот, мА Nэлем Uпит, В Nвывод Площадь S, м^2∙10^(-6) Высота h, м∙10^(-3) Масса, г Цена, руб
17 ATF1502ASV 180 3000 3,3 44 100 1,2 10 85,8

Таблица 2.5 – Параметры наноизделий
No Наименование процессора Количество элементов, млн Количество выводов Потребляемая мощность, Вт Тактовая частота, ГГц Площадь S, кв. мм Напряжение питания, В Высота h, мм Технология, нм Цена, руб.
Min Max Min Max
10 Dual-Core Intel Xeon 5060 321 771 65 95 3,20 80 1,2 1,4 2,6 65 13444

Таблица 2.6 – Интенсивность отказов дискретных элементов
Название радиоэлемента Интенсивность отказов, 10^(-6), 1/час
Транзисторы 0,01
Паяное соединение 0,0003
БИС 0,02
Наноиздение 0,03
ЭВП 0,25
Механическое соединение 0,01

------------------------------------------------------------------------------

Содержание:

1 Задание.
2 Исходные данные
3 Определение выигрыша во времени безотказной работы
4 Определение выигрыша по занимаемому объему
5 Определение выигрыша в массе
6 Определение выигрыша по потребляемой мощности
7 Определение выигрыша в стоимости
Выводы

===========================================
=============================================

Вариант No03

Лабораторная работа No1

Цель работы
Научиться составлять электрические схемы цифровых устройств на основе базовых цифровых интегральных микросхем (ЦИМС).

Задание
2.1. На основе анализа исходных уравнений задания произвести их упрощение (если это возможно) и преобразование. Цель преобразования – привести уравнения к виду, удобному для реализации.
2.2. Составить формальную электрическую схему устройства и привести
список необходимых базовых элементов. Количество типов ЦИМС и корпусов
ИМС должно быть по возможности минимальным.
2.3. На основе анализа данных задания обосновать выбор типа логики
(ТТЛ, ТТЛШ, КМДП) и подходящих по параметрам серий. При выборе ИМС возможно использование ИМС с различным типом логики (например, ТТЛ и ТТЛШ, ТТЛШ и КМДП и т.д.) при условии их совместимости по параметрам, совместимости по питанию (все ИМС должны питаться от одного источника).
2.4. Выводы о результатах выполненной работы (в частности, можно указать и другие варианты реализации устройства).

Разработка цифрового устройства
Преобразование уравнения
Задано исходное уравнение
Y2=X1⋅X2⋅X3+X4⋅X5⋅X6.

Формальная электрическая схема устройства.

=============================================

Лабораторная работа No2

1 Цель работы
Изучить типы, характеристики и параметры интегральных операционных усилителей (ИОУ).

2 Задание
2.1 Привести схему устройства на ИОУ, предусмотренную
индивидуальным заданием.
3.2 Пояснить назначение устройства, привести виды амплитудный и
амплитудно-частотной характеристик.
3.3 Оформить отчет о проделанной работе, отчет должен содержать:
схему устройства;
виды характеристик (амплитудной и АЧХ);
список использованных источников информации.

3 Выполнение работы
В соответствии с вариантом, требуется изучить узкополосный LC-фильтр.
Схема узкополосного LC-фильтра приведена на рисунке 3.1.

Помогу сдать все виды работ по ДО СИБГУТИ. Работаем с 2016 года.