Решение задач для государственного экзамена "Радиоприемные устройства" (Шушнов М.Г.)

1)Назначение и виды РПрУ РД И РС. Структура и принцип действия устройств приема и обработки радиосигналов. Показатели РПрУ РД И РС.

2)Структурные схемы РПрУ РД И РС. РПрУ РД И РС с обработкой на промежуточной частоте. РПрУ РД И РС с преобразованием на нулевую частоту. РПрУ РД И РС с цифровой обработкой сигнала на ПЧ и на нулевой ПЧ.

3)Входные цепи РПрУ РД И РС. Назначение и характеристики входных цепей. Эквиваленты приемных антенн. Входные цепи приемников СВЧ.

4)Малошумящие транзисторные усилители СВЧ. СВЧ с использованием современной элементной базы.

5)Фильтры сосредоточенной избирательности для трактов промежуточной частоты. Микроминиатюризация УПЧ.

6)Преобразователи частоты (ПЧ) и параметрические усилители. Назначение, структура и основные параметры ПЧ. Побочные каналы преобразования.

7)Выбор наименьшей и наибольшей величин промежуточной частоты для супергетеродинного приемника, исходя из избирательностей по зеркальному и соседнему каналам приема. Двойное преобразования частоты.

8)Транзисторные преобразователи частоты. Транзисторные преобразователи СВЧ.

9)Типы фазовых детекторов. Схемы фазовых детекторов. Демодуляторы дискретных видов модуляции (BPSK, QPSK, QAM).

10)Регулировки в РПРУ РД И РС. Назначение и виды регулировок. Частотная автоподстройка частоты (ЧАПЧ). Фазовая автоподстройка частоты. Функциональная схема системы ФАПЧ.

11)Синтезаторы частоты. Применение ФАПЧ в синтезаторах частоты. Особенности построения двух и трехдиапазонных синтезаторов частоты.













Задачи:
№1
Определить полосу пропускания преселектора на уровне 0.9, если контур настроен на частоту 80МГц и обеспечивает избирательность по зеркальному каналу 20дБ, а промежуточная частота fПР=10МГц.
№2
Чему равно максимальное значение крутизны транзисторного преобразователя частоты, если под действием напряжения гетеродина крутизна меняется по гармоническому закону и ее минимальное значение SМИН=10мА/В. Резонансный коэффициент усиления преобразователя равен К0=10, эквивалентное резонансное сопротивление RЭ=2кОм, коэффициенты включения контура m=1, n=0.5
№3
Определить амплитуду сигнала на входе транзисторного преобразователя частоты, если известно, что амплитуда тока транзистора с промежуточной частотой при короткозамкнутой нагрузке Yпч=4мкА, а крутизна характеристики транзистора меняется под действием напряжения гетеродина в пределах от Sмин=0.01А/В до Sмакс=0.11А/В.
№4
Определить шумовую температуру приемника, структурная схема которого приведена на рисунке

 Кр1=10 Кр2=0.2

 g1=1 g2=0.8  g3=0.5
 Ш1=3 Ш2=6 Ш3=10
№5
Определить полосу пропускания на уровне N=0.707 преселектора, состоящего из одноконтурной входной цепи и одноконтурного УРЧ. Контуры входной цепи и УРЧ одинаковы и каждый имеет полосу пропускания П =80кГц на уровне =0.707.
№6
Рассчитайте коэффициенты включения контура УРЧ m (коэффициент включения в коллекторную цепь) и n (коэффициент включения в базовую цепь следующего каскада), обеспечивающие максимально реализуемый устойчивый коэффициент передачи напряжения одноконтурного УРЧ при заданной полосе пропускания =2МГц. Параметры транзистора и элементов схемы следующие
• крутизна =32 мСм;
• проводимость обратной связи = 0.4 мСм;
• выходная проводимость транзистора УРЧ g22 =1.3 мСм;
• эквивалентная проводимость входного контура при резонансе gэ1=1.0 мСм;
• емкость контура УРЧ Ск=15 пФ;
• проводимость нагрузки контура УРЧ gн=13 мСм;
• коэффициент подключения УРЧ ко входному контуру n1=1.0;
• коэффициент запаса устойчивости Ку=0.9;
• коэффициент расширения полосы пропускания ,
где Пк 0.7- собственная полоса пропускания контура УПЧ на уровне 0.7; П0.7 – полоса пропускания УРЧ на уровне 0.7.

№7
Найдите и исправьте ошибки в схеме УПЧ (усилитель промежуточной частоты).

Определите полосу пропускания УПЧ на уровне на частоте f0=500кГц при следующих данных: m=0.5; n=0.2; Lк=200мкГ; Qк=100; Rвых VT1 =10кОм; Rвхсл =2 кОм.
№8
Определить амплитуду напряжения гетеродина, при которой коэффициент усиления транзисторного преобразователя частоты равен К0=12, если эквивалентное резонансное сопротивление контура Rэ=8кОм, коэффициенты включения контура m=1, n=0.3. Зависимость крутизны характеристики транзистора от напряжения гетеродина имеет вид: s=S0+aUг где S0 – значение крутизны при Uг=0, а=0.5А/В.