Решение задач для государственного экзамена Дисциплина «Радиоприемные устройства для телерадиовещения»
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
ОТВЕТЫ К ГОСУДАРСТВЕННОМУ ЭКЗАМЕНУ ПО НАПРАВЛЕНИЮ: «инфокоммуникационные технологии и системы связи» (11.03.02)
профиль: системы радиосвязи, мобильной связи и радиодоступа
No 1
Определить полосу пропускания на края диапазона входного контура с частотами 150–415кГц, если эквивалентная добротность контура QЭ=15, неравномерность в полосе пропускания =0,8.
No2
Как изменится избирательность одноконтурной входной цепи по соседнему каналу при изменении частоты настройки от 0,5 МГц до 1,5 МГц, если на минимальной частоте эта избирательность 20 дБ. Эквивалентное затухание остаётся постоянным, а ∆fСК =9 кГц.
No3
Определить коэффициенты включения m и n в одноконтурной входной цепи, обеспечивающие согласование настроенной антенны со входом приемника при требуемой полосе пропускания П=37,5 МГц, если f0=150 МГц, RА=100 Ом , СК= 20 пФ, dК=0,05, Ом.
No4
Рассчитать избирательность по зеркальному каналу контура входной цепи, настроенной на частоту МГц и имеющей полосу пропускания МГц на уровне =0,6. Частота гетеродина приёмника равна МГц.
No5
Определить коэффициент перекрытия диапазона входной цепи, если избирательность по соседнему каналу на границах диапазона 2,28 дБ и 8,3 дБ, а эквивалентное затухание при перестройке не изменяется (∆fСК = 9 кГц).
No6
Определить собственное резонансное сопротивление контура одноконтурного усилителя, если коэффициенты включения контура m=1 и n=0,2, крутизна характеристики транзистора S=100 мА/В, конструктивная добротность контура , резонансный коэффициент усиления =5, резонансная частота =50 МГц, полоса пропускания на уровне 0,707 равна П=10 МГц.
No7
Определить эквивалентное затухание контура одноконтурного усилителя, работающего на частоте МГц, если коэффициенты включения контура m=1 и n=0,1, крутизна характеристики транзистора S=100 мА/В, емкость контура =2000 пФ, резонансный коэффициент усиления =32.
No8
Определить полосу пропускания одноконтурного усилителя на уровне 0,707, если крутизна характеристики транзистора S=100 мА/В, резонансный коэффициент усиления =16, коэффициенты включения m=0,5 и n=0,2, емкость контура =1000 пФ.
No9
Определить индуктивность контура одноконтурного усилителя, если крутизна характеристики транзистора S = 100 мА/В, резонансный коэффициент усиления , эквивалентная добротность контура , ёмкость контура пФ, коэффициенты включения m=0,5 и n=0,2.
No10
Определить резонансную частоту одноконтурного усилителя, если крутизна характеристики транзистора S = 100 мА/В, резонансный коэффициент усиления , эквивалентная добротность контура , индуктивность контура мкГн, коэффициенты включения m=1 и n=0,1.
No11
Вычислите минимальное значение g21МИН мгновенной крутизны транзистора ПЧ, если зависимость этой крутизны от напряжения гетеродина определяется равенством g21=a+2bUГ, в котором a = 100мА/В, а крутизна преобразования G21ПР=45 мА/В.
No12
Определите резонансный коэффициент усиления триодного преобразователя частоты, если эквивалентное резонансное сопротивление RЭ= 10 кОм, коэффициенты включения контура m=n=0,5 и мгновенная крутизна транзистора из-за действия напряжения гетеродина меняется по гармоническому закону в пределах от g21МИН =20 мА/В до g21МАКС =100 мА/В.
No13
Найти амплитуду составляющей выходного тока транзистора с промежуточной частотой в транзисторном преобразователе частоты при короткозамкнутой нагрузке, если амплитуда входного сигнала UС=80 мкВ, амплитуда напряжения гетеродина UГ=0,03 В и вольтамперная характеристика транзистора описывается выражением i2=i20+a∆U+b∆U2,в котором b=0,3 А/В2.
No14
Определите амплитуду сигнала на входе транзисторного преобразователя частоты, если известно, что амплитуда тока транзистора с промежуточной частотой при короткозамкнутой нагрузке IПЧ=4 мкА, а крутизна характеристики транзистора меняется под действием напряжения гетеродина в пределах
No15
Определите коэффициент передачи преобразователя частоты, если крутизна преобразователя G21ПР=12 мА/В, собственная добротность контура QК=100, выходная проводимость преобразовательного прибора 1 мСм, входная проводимость транзистора следующего каскада 7 мСм, m=1, n=0,5, СК=1000 пФ, f0=2 МГц.
No16
Определите напряжение на выходе последовательного диодного детектора, если постоянная составляющая тока диода I0=0,2мА, угол отсечки тока диода θ=30°, внутреннее сопротивление диода с идеальной характеристикой Ri =100Ом
No17
Какой должна быть емкость нагрузки диодного детектора, чтобы искажения из-за инерционности нагрузки отсутствовали для коэффициента амплитудной модуляции m≤0,8, если при емкости С ́Н=200пФ искажения отсутствуют для m ́≤0,3?
No18
Определите сопротивление RУ, разделительной цепи СР, RУ на выходе диодного детектора, при котором искажения из-за этой цепи и из-за нелинейности начального участка характеристики детектирования возникают при одно и том же коэффициенте амплитудной модуляции сигнала, если амплитуда сигнала UВХ=3В, протяженность нелинейного участка характеристики UНЕЛ=0,2В, сопротивление нагрузки детектора RН=15кОм.
No19
Определите постоянную времени τ=RНСН нагрузки диодного детектора, при которой искажения из-за инерционности нагрузки и из-за нелинейности начального участка характеристики детектирования возникают при одном и том же коэффициенте амплитудной модуляции сигнала, если частота модуляции F=12кГц, Um ВХ=1,5В и протяженность нелинейного участка характеристики Uнел=0,3В.
No20
Определите сопротивление нагрузки RН диодного детектора (рисунок 4.8), при которой искажения из-за нелинейности начального участка характеристики детектирования и из-за разделительной цепи RУСР наступают при одном и том же коэффициенте амплитудной модуляции входного сигнала, если амплитуда сигнала UВХ=1В, протяженность нелинейного участка характеристики UНЕЛ=0,1В и сопротивление RУ=90кОм.
No21
Рассчитайте сопротивление резистора R1 в цепи питания усилителя (рис. ниже), если ток базы iБ0=0,15 мА, напряжение источника питания E=10 В, постоянное напряжение на резисторе R2 равно UR2=2 В и R2=2 кОм.
No22
1 Определите ток покоя базы транзистора в схеме (рис. ниже), если напряжение источника питания E=8 В, постоянное напряжение на резисторе R1=5 кОм равно UR1=5 В и R2=4 кОм.
No23
Определите напряжение Е источника питания усилителя (рис. ниже), если ток базы iБ0=0,1 мА, напряжение база-земля UБЗ=2 В, R1=3 кОм, R2=1 кОм
No24
Рассчитайте сопротивление резистора R2 в цепи питания усилителя (рис. ниже), если ток покоя эмиттера iЭ0=2 мА, напряжение эмиттер-база UЭБ0=0,2 В, ток через резистор R2 равен iR2=2 мА, RЭ=1,5 кОм, EК=9 В.
No25
Определите напряжение UСИ в схеме усилителя радиочастоты (рис. ниже), если напряжение источника питания Е=12 В, сопротивление в цепи истока R2=910 Ом, сопротивление в цепи питания R3=410 Ом, а падение напряжения на нем составляет 1,2 В.
профиль: системы радиосвязи, мобильной связи и радиодоступа
No 1
Определить полосу пропускания на края диапазона входного контура с частотами 150–415кГц, если эквивалентная добротность контура QЭ=15, неравномерность в полосе пропускания =0,8.
No2
Как изменится избирательность одноконтурной входной цепи по соседнему каналу при изменении частоты настройки от 0,5 МГц до 1,5 МГц, если на минимальной частоте эта избирательность 20 дБ. Эквивалентное затухание остаётся постоянным, а ∆fСК =9 кГц.
No3
Определить коэффициенты включения m и n в одноконтурной входной цепи, обеспечивающие согласование настроенной антенны со входом приемника при требуемой полосе пропускания П=37,5 МГц, если f0=150 МГц, RА=100 Ом , СК= 20 пФ, dК=0,05, Ом.
No4
Рассчитать избирательность по зеркальному каналу контура входной цепи, настроенной на частоту МГц и имеющей полосу пропускания МГц на уровне =0,6. Частота гетеродина приёмника равна МГц.
No5
Определить коэффициент перекрытия диапазона входной цепи, если избирательность по соседнему каналу на границах диапазона 2,28 дБ и 8,3 дБ, а эквивалентное затухание при перестройке не изменяется (∆fСК = 9 кГц).
No6
Определить собственное резонансное сопротивление контура одноконтурного усилителя, если коэффициенты включения контура m=1 и n=0,2, крутизна характеристики транзистора S=100 мА/В, конструктивная добротность контура , резонансный коэффициент усиления =5, резонансная частота =50 МГц, полоса пропускания на уровне 0,707 равна П=10 МГц.
No7
Определить эквивалентное затухание контура одноконтурного усилителя, работающего на частоте МГц, если коэффициенты включения контура m=1 и n=0,1, крутизна характеристики транзистора S=100 мА/В, емкость контура =2000 пФ, резонансный коэффициент усиления =32.
No8
Определить полосу пропускания одноконтурного усилителя на уровне 0,707, если крутизна характеристики транзистора S=100 мА/В, резонансный коэффициент усиления =16, коэффициенты включения m=0,5 и n=0,2, емкость контура =1000 пФ.
No9
Определить индуктивность контура одноконтурного усилителя, если крутизна характеристики транзистора S = 100 мА/В, резонансный коэффициент усиления , эквивалентная добротность контура , ёмкость контура пФ, коэффициенты включения m=0,5 и n=0,2.
No10
Определить резонансную частоту одноконтурного усилителя, если крутизна характеристики транзистора S = 100 мА/В, резонансный коэффициент усиления , эквивалентная добротность контура , индуктивность контура мкГн, коэффициенты включения m=1 и n=0,1.
No11
Вычислите минимальное значение g21МИН мгновенной крутизны транзистора ПЧ, если зависимость этой крутизны от напряжения гетеродина определяется равенством g21=a+2bUГ, в котором a = 100мА/В, а крутизна преобразования G21ПР=45 мА/В.
No12
Определите резонансный коэффициент усиления триодного преобразователя частоты, если эквивалентное резонансное сопротивление RЭ= 10 кОм, коэффициенты включения контура m=n=0,5 и мгновенная крутизна транзистора из-за действия напряжения гетеродина меняется по гармоническому закону в пределах от g21МИН =20 мА/В до g21МАКС =100 мА/В.
No13
Найти амплитуду составляющей выходного тока транзистора с промежуточной частотой в транзисторном преобразователе частоты при короткозамкнутой нагрузке, если амплитуда входного сигнала UС=80 мкВ, амплитуда напряжения гетеродина UГ=0,03 В и вольтамперная характеристика транзистора описывается выражением i2=i20+a∆U+b∆U2,в котором b=0,3 А/В2.
No14
Определите амплитуду сигнала на входе транзисторного преобразователя частоты, если известно, что амплитуда тока транзистора с промежуточной частотой при короткозамкнутой нагрузке IПЧ=4 мкА, а крутизна характеристики транзистора меняется под действием напряжения гетеродина в пределах
No15
Определите коэффициент передачи преобразователя частоты, если крутизна преобразователя G21ПР=12 мА/В, собственная добротность контура QК=100, выходная проводимость преобразовательного прибора 1 мСм, входная проводимость транзистора следующего каскада 7 мСм, m=1, n=0,5, СК=1000 пФ, f0=2 МГц.
No16
Определите напряжение на выходе последовательного диодного детектора, если постоянная составляющая тока диода I0=0,2мА, угол отсечки тока диода θ=30°, внутреннее сопротивление диода с идеальной характеристикой Ri =100Ом
No17
Какой должна быть емкость нагрузки диодного детектора, чтобы искажения из-за инерционности нагрузки отсутствовали для коэффициента амплитудной модуляции m≤0,8, если при емкости С ́Н=200пФ искажения отсутствуют для m ́≤0,3?
No18
Определите сопротивление RУ, разделительной цепи СР, RУ на выходе диодного детектора, при котором искажения из-за этой цепи и из-за нелинейности начального участка характеристики детектирования возникают при одно и том же коэффициенте амплитудной модуляции сигнала, если амплитуда сигнала UВХ=3В, протяженность нелинейного участка характеристики UНЕЛ=0,2В, сопротивление нагрузки детектора RН=15кОм.
No19
Определите постоянную времени τ=RНСН нагрузки диодного детектора, при которой искажения из-за инерционности нагрузки и из-за нелинейности начального участка характеристики детектирования возникают при одном и том же коэффициенте амплитудной модуляции сигнала, если частота модуляции F=12кГц, Um ВХ=1,5В и протяженность нелинейного участка характеристики Uнел=0,3В.
No20
Определите сопротивление нагрузки RН диодного детектора (рисунок 4.8), при которой искажения из-за нелинейности начального участка характеристики детектирования и из-за разделительной цепи RУСР наступают при одном и том же коэффициенте амплитудной модуляции входного сигнала, если амплитуда сигнала UВХ=1В, протяженность нелинейного участка характеристики UНЕЛ=0,1В и сопротивление RУ=90кОм.
No21
Рассчитайте сопротивление резистора R1 в цепи питания усилителя (рис. ниже), если ток базы iБ0=0,15 мА, напряжение источника питания E=10 В, постоянное напряжение на резисторе R2 равно UR2=2 В и R2=2 кОм.
No22
1 Определите ток покоя базы транзистора в схеме (рис. ниже), если напряжение источника питания E=8 В, постоянное напряжение на резисторе R1=5 кОм равно UR1=5 В и R2=4 кОм.
No23
Определите напряжение Е источника питания усилителя (рис. ниже), если ток базы iБ0=0,1 мА, напряжение база-земля UБЗ=2 В, R1=3 кОм, R2=1 кОм
No24
Рассчитайте сопротивление резистора R2 в цепи питания усилителя (рис. ниже), если ток покоя эмиттера iЭ0=2 мА, напряжение эмиттер-база UЭБ0=0,2 В, ток через резистор R2 равен iR2=2 мА, RЭ=1,5 кОм, EК=9 В.
No25
Определите напряжение UСИ в схеме усилителя радиочастоты (рис. ниже), если напряжение источника питания Е=12 В, сопротивление в цепи истока R2=910 Ом, сопротивление в цепи питания R3=410 Ом, а падение напряжения на нем составляет 1,2 В.
Дополнительная информация
ГОСЫ 2024 ГОДА!!!
Похожие материалы
Решение задач для государственного экзамена по дисциплине «Радиопередающие устройства систем радиосвязи и радиодоступа»
Ирина36
: 2 сентября 2024
ОТВЕТЫ К ГОСУДАРСТВЕННОМУ ЭКЗАМЕНУ ПО НАПРАВЛЕНИЮ: «инфокоммуникационные технологии и системы связи» (11.03.02)
профиль: системы радиосвязи, мобильной связи и радиодоступа
НЕСКОЛЬКО ВАРИАНТОВ РЕШЕНИЯ!!!!
1. Определить мощность потерь на аноде лампы в критическом режиме (Pa), если угол отсечки θ=90 ̊ (αо=0,318; α1=0,5), постоянный ток Io =10А, напряжение питания Ea =10 кВ, сопротивление нагрузки Ra =600 Ом.
2. Определите электронный к.п.д. генератора в критическом режиме (η), если угол отсечки
1000 руб.
Другие работы
ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫХ СИСТЕМ. Лабораторная 2. Вариант 2.
aleshin
: 2 июля 2023
Лабораторная работа 2
Построение функциональной модели телекоммуникационной системы с
помощью пакета PragmaDev Studio
Цель: Изучить принцип построения функциональной модели системы и алгоритм ее реализации с помощью пакета PragmaDev Studio.
Задание:
1. С помощью раздела 2 в методических указаниях выполнить демонстрационный пример, который реализуете в проекте, сделанном в лабораторной работе 1 с помощью пакета PragmaDev Studio. Созданный проект сохранить для использования при выполнении заданий
162 руб.
Задача №2 по экономике
anderwerty
: 30 января 2014
На рынке совершенной конкуренции действуют фирмы, имеющие одинаковые средние издержки TC=0,2Q3 – 8Q2 + 120Q. Спрос на продукцию отрасли описывается зависимостью Qd=1360-10Р. Какое число фирм остается в отрасли в долгосрочной перспективе?
20 руб.
Предмет и особенности социально-экономической статистики
evelin
: 20 декабря 2013
Социально-экономическая статистика — особый раздел статистической науки, отрасль которая относится к числу дисциплин прикладного характера.
Она изучает национальную экономику, экономический потенциал общества в неразрывной связи и взаимозависимости всех его составных элементов, а также анализирует результаты деятельности человека во всех подсистемах национальной экономики — отраслях и секторах экономики.
Предмет исследования социально-экономической статистики — национальная экономика страны.
15 руб.
Установка каталитического крекинга УКК-Машины и аппараты нефтехимических производств-Дипломная работа
leha.nakonechnyy.2016@mail.ru
: 12 декабря 2018
Установка каталитического крекинга УКК-Машины и аппараты нефтехимических производств-Дипломная работа
Дипломный проект 132 с. машинописного текста, 23 иллюстраций, 64 таблицы, 30 использованных источников.
Ключевые слова: КАТАЛИТИЧЕСКИЙ КРЕКИНГ, КАТАЛИЗА-ТОР, РЕАКТОР ЛИФТНОГО ТИПА, БЕНЗИНОВАЯ ФРАКЦИЯ, ТЕП-ЛООБМЕННИК, НАСОС.
В данной работе объектами изучения являются реактор, теплообмен-ное и насосное оборудование установки каталитического крекинга.
В соответствии с заданием на выпускную работ
1934 руб.