Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. Билет №1

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 1668C438-BA7D-4C8F-B352-F730015FD19A.rar [143 KB]
material.view.file_icon Билет-1,ч-2.docx [Office 2016+, 14 стр., 157 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1. Аналоговые ключи на транзисторах.

2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки

Дополнительная информация

Комментарии: Оценка - отлично!
Дата сдачи: апрель 2024 г.
Преподаватель: Игнатов А.Н.

Похожие материалы

Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. Билет №1
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с об
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User SibGOODy : 2 апреля 2018
350 руб.
promo
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1). Билет №1
Билет №1 для зачета по дисциплине "Электротехника и электроника" 1. Переходные процессы. Законы коммутации. Начальные условия. 2. Записать в общем виде выражение H(jw). Качественно построить АЧХ и ФЧХ.
Электротехника и электроника ДО СИБГУТИ Работа Зачетная
User SibGOODy : 1 апреля 2018
250 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электротехника, электроника и схемотехника (часть 1). Билет №1 promo
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User snrudenko : 31 января 2017
100 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиал
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User natin83 : 31 января 2015
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине «Электроника»
1. Свойства р-n перехода при прямом включении. 2. Сумматор на основе ОУ.
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nataliykokoreva : 2 апреля 2013
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине «Электроника»
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель 3 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики 6 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристи
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User kisa7 : 21 июля 2012
100 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине "Электроника"
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом р-типа. составьте таблицу истинности. приведите пример передаточной характеристики. объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общ
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User levis434 : 17 января 2012
50 руб.
Экзаменационная работа По дисциплине: «Электроника» 15
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. При
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Jerryamantipe03 : 19 мая 2021
150 руб.

Другие работы

Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 09
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ В качестве наноэлектронного изделия студенты рассматривают интегральную схему ультравысокой степени интеграции (УБИС), тип которой соответствует двум последним цифрам пароля (см. табл. 1.1). Таблица 1.1 - Данные для вариантов элементной базы Цифра пароля: 9 Тип наноизделия: Dual-Core Intel Xeon 5130 Тип транзистора: КТ372А Тип ЭВП: 6С51Н Тип БИС: ATF2500BQ Данные наноэлектронного изделия и параметры компонентов, ко
ДО СИБГУТИ Элементная база телекоммуникационных систем Работа Контрольная
User xtrail : 9 августа 2024
900 руб.
promo
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 1.1 Вариант 28
В баллоне емкостью V при температуре t и давлении p содержится газовая смесь, объемный состав которой следующий: RO2, RN2 и RCO2. Определить массу газа.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 6 января 2026
150 руб.
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 1.1 Вариант 28
Контрольная работа по электромагнитным полям и волнам №2. Вариант № 03
Задача № 1 Плоская электромагнитная волна с частотой падает по нормали из вакуума на границу раздела с реальной средой. Параметры среды: , удельная проводимость . Амплитуда напряженности электрического поля . 1. Определить амплитуду отраженной волны. 2. Определить амплитуду прошедшей волны. 3. Определить значение вектора Пойнтинга отраженной волны. 4. Определить значение вектора Пойнтинга прошедшей волны. 5. Определить коэффициент стоячей волны. 6. Вычислить расстояние между минимумами поля
СибГУТИ Электромагнитные поля и волны Работа Контрольная
User ramzes14 : 11 марта 2013
150 руб.
Объектно-ориентированное программирование. Лабораторная работа №4. Вариант №3
Лабораторная работа № 4. Тема: Статические методы Задание: В модуль, созданный в лабораторной работе №3, добавить методы движения фигур (в каждый класс). Использовать статические методы. Написать программу, позволяющую выбирать фигуру для движения и вид движения: случайный или с помощью стрелок. Подключить к этой программе созданный модуль с описанием графических классов. Рекомендации к выполнению: См. пример 2.7 (§10) конспекта лекций (только виртуальные методы в данной лабораторной не исполь
Объектно-ориентированное программирование ******* Не известно Работа Лабораторная
User alexxxxxxxela : 31 августа 2014
40 руб.
up Наверх