Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2) Вариант 6 Контрольная работа

Цена:
322 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 0948DA9E-4B9B-4A12-BBF3-F24B64976240.zip [ 832 KB ]
material.view.file_icon ! КР_ЭЭС_В6.docx [ 1 MB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2) Вариант 6 Контрольная работа
Задача 1.
По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. UСИ0 = 5В; UЗИ0 = -3,2В
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Задача 2.
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы. UКЭ =3 В
Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы.

Задача 3.
В соответствии с предпоследней цифрой студенческого пароля выберите принципиальную схему логического элемента и приведите исходные данные вашего варианта задачи по разделу “Цифровые элементы и устройства”, указанные в таблице 1. Варианты принципиальных схем приведены на рисунке 1.
Укажите на схеме полярность источника питания, соответствующую вашему варианту. Укажите, какую логическую функцию выполняет элемент. Поясните назначение каждого транзистора. Приведите таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики рассматриваемого Вами логического элемента. Используя данные задания Вашего варианта, приведите на передаточных характеристиках эпюру входного напряжения и определите, в каком логическом состоянии находится цепь, рассматриваемого вами элемента.
Напряжение питания 12 В.
Пороговые напряжения МДП транзисторов VT1 и VT2 равны 3 В. Уровень входного напряжения 0,5В.

Дополнительная информация

Уважаемый студент, зачет Борисов Александр Васильевич
2025
СИБГУТИ

Похожие материалы

Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User Илья272 : 11 июня 2021
500 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я).
Задача 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2, см. стр. 6-12) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Сделать выводы о зависимости параметров транзистора от режима работы. Исходные данные для задачи берутся из таблицы П.1.1 приложения 1. Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного (приложение 2, см. стр. 12
******* Не известно Электротехника, электроника и схемотехника Работа Контрольная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Электротехника, Электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите,
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные
User Алексей134 : 4 марта 2021
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточн
Электротехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User SibGUTI2 : 9 мая 2016
100 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №7
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я). Билет №11
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики тра
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Билеты экзаменационные
User IT-STUDHELP : 1 декабря 2021
200 руб.
promo
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18
Вопросы билета. 1. Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
Электротехника, электроника и схемотехника ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User boeobq : 21 ноября 2021
135 руб.
«Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2-я)». Билет №18

Другие работы

Векторизация алгоритма циклической редукции для решения систем линейных уравнений
Векторизация алгоритма циклической редукции для решения систем линейных уравнений В данной выпускной квалификационной работе был рассмотрен метод циклической редукции, позволяющий находить решения трехдиагональных систем линейных алгебраических уравнений. Была реализована его последовательная и вектооризованная версии Векторизация была выполнена с помощью функций-интринсиков. Так как в методе присутствуют независящие друг от друга циклические операции над данными удалось, с помощью параллелизма
Диплом и связанное с ним СибГУТИ Дипломные проекты
User holm4enko87 : 3 августа 2017
1500 руб.
Векторизация алгоритма циклической редукции для решения систем линейных уравнений
Зарубежная история
Контрольная работа, зарубежная история, 17 листов. Состоит из: оглавления, ситуационной (практической части),теста (10 вопросов), списка использованной литературы. Ситуационная (практическая) часть: Задача №1. Как Вы думаете, почему Восточная Римская империя (Византия) оказалась более прочным государственным образованием, чем Западная Римская империя? Дайте характеристику государственного строя Византии в ранний период (IV–VI вв.) Задача №2. Начиная с XIII в. церковные суды, а за ними и свет
История государства и права зарубежных стран ******* Не известно Работа Контрольная
User angeloshekruu : 20 ноября 2018
250 руб.
Изучение робота МРЛУ-200-901
Изучение механического устройства робота МРЛУ-200-901 и его гидропривода. Измерение рабочей зоны робота и построение ее пространственной модели. Программирование робота МРЛУ-200-901 с помошью системы управления ЭСУ-901, определение технических характеристик.
Тольяттинский государственный университет Робототехника Работа Лабораторная
User term : 4 ноября 2009
Опора. Задание №64. Вариант №19
Опора. Задание №64. Вариант №19 Соединить половину фронтального разреза с половиной вида спереди. 3d модель и чертеж (все на скриншотах изображено) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть и выше версиях компаса. Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
Начертательная геометрия и инженерная графика БГТУ Практические занятия и отчеты
User bublegum : 26 августа 2021
85 руб.
Опора. Задание №64. Вариант №19 promo
up Наверх