Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
22.10.2009
-
Размер:
48 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
gerold66
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лаб 6.8 Физ 2 сем..doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
оценка: зачет, с замечаниями.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Другие работы
Оценка технического уровня производства Пружанского лесхоза и разработка мероприятий по его повышению
Elfa254
: 2 ноября 2013
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Характеристика предприятия и видов деятельности, обоснование задач дипломного проекта
1.1. Характеристика предприятия и видов деятельности
1.2. Краткое описание ассортимента и номенклатуры производимой продукции
1.3. Оценка рынков сбыта и уровня конкурентоспособности продукции
1.4. Задачи дипломного проекта, состояние изучаемой проблемы
2. Анализ производственно-хозяйственной деятельности предприятия
2.1. Анализ объема производства и реализации продукции
2.2. Анал
Elfa254
: 2 ноября 2013
5 руб.
Теплотехника Часть 1 Теплопередача Задача 22 Вариант 4
Z24
: 14 октября 2025
Определить расход греющего пара и требуемую площадь теплообменной поверхности пароводяного подогревателя для подогрева воды tʹω=10 ºС до t˝ω=80 ºС. Давление греющего пара р, степень сухости х. Поверхность нагрева теплообменника состоит из стальных труб: dн=30мм; dвн=24 мм; λ=50 Вт/(м·К). Коэффициент теплоотдачи от конденсирующегося пара к стене α1=6000 Вт/(м²·К), от стенки к воде α2=5500 Вт/(м²·К). Температуру конденсата на выходе из теплообменника принять равной температуре насыщения, соответст
Z24
: 14 октября 2025
220 руб.
Разработка технологического процесса изготовления детали - шестерня 145-1701021
m@vRaBas
: 3 марта 2009
Деталь шестерня 145-1701021 входит в сборочную единицу трактора ЛТЗ-145-муфту. Деталь является ведущей шестерней третьей передачи, расположенной на первичном валу. Она устанавливается на подшипники на первичный вал и передает крутящий момент с промежуточного вала на первичный. Шестерня представляет собой ступенчатое цилиндрическое полое тело с элементами зубчатого зацепления. В качестве элементов зубчатого зацепления выступают два венца. Первый венец имеет 38 косых зубьев, модуль m равный 4,25 м
m@vRaBas
: 3 марта 2009
10 руб.
Термодинамика и теплопередача ТЕПЛОПЕРЕДАЧА ИрГУПС 2015 Задача 4 Вариант 2
Z24
: 3 декабря 2025
Стенки рабочей камеры промышленной нагревательной печи имеют внутренний огнеупорный слой толщиной δ1 = 0,12 м из шамотного кирпича и наружный слой толщиной δ2 = 0,25 м из строительного кирпича. Температура наружной поверхности наружного слоя t3СТ, коэффициент теплоотдачи от наружной поверхности к окружающему воздуху α2 = 16 Вт/(м²·К), а температура воздуха – t2. Определить температуру внутренней поверхности камеры печи t1СТ и построить график распределения температур по толщине стенки. Каковы су
Z24
: 3 декабря 2025
180 руб.
