Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
22.10.2009
-
Размер:
48 KB
-
Покупок:
8
-
Добавил:
gerold66
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лаб 6.8 Физ 2 сем..doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
оценка: зачет, с замечаниями.
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Другие работы
Товарні й фондові біржі
alfFRED
: 29 августа 2013
ВСТУП
1. Виникнення і розвиток бірж в Росії
2. Товарні біржі
3. Фондові біржі
Висновок
Список використаної літератури
ВСТУП
Вже не одне століття епіцентром ринкової економіки виступають біржі. За багато років їх успішного функціонування накопичено величезний досвід, дуже корисний сьогодні для нашої країни.
Перехід України до ринкової економіки зажадав не тільки зміни існуючого ринку, але й створення нових ринків, не властивих системі планової економіки. Це призвело до зміни традиційних і
alfFRED
: 29 августа 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине: «Бюджетирование». Билет № 7
Jack
: 15 ноября 2013
Билет № 7
1 Бюджетный цикл – это …
2 Гибкий бюджет используется для…
3 Прямые затраты учитываются на счетах…
4 Центр ответственности – это:
1. центр затрат;
2.центр продаж;
3.центр инвестиций;
4. все вышеперечисленные центры.
5 В состав финансового плана входит:
1. бюджет производства;
2. бюджет коммерческо-сбытовых расходов;
3. бюджет материальных и трудовых ресурсов;
4. бюджет инвестиций.
6 Задача.
Рассчитать недостающие показатели в смете затрат на приобретение основных материалов, исходя и
Jack
: 15 ноября 2013
250 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств (ДВ 1.1) Лаб. работа 1,2,3. Вариант 11
banderas0876
: 24 сентября 2020
Лабораторная работа №1
По дисциплине: Схемотехника телекоммуникационных устройств
«Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе»
1. Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
2. Принципиальная схема исследуемого каскада
Принципиальная схема резисторного каскада приведена на рисунке 1.
Рисунок 1 – Принципиальная схема л
banderas0876
: 24 сентября 2020
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Теория телетрафика и анализ систем беспроводной связи. Вариант №11
IT-STUDHELP
: 5 декабря 2022
Контрольная работа
Задание и исходные данные
При выполнении контрольной работы необходимо построить математическую модель канального уровня телекоммуникационной сети.
Исходные данные для выполнения работы:
пропускная способность канала передачи данных
C_chan=14400 бит/с;
протяжённость канала передачи данных L_chan=1 км;
скорость распространения света, C=300000 (км/сек.) (3⋅10^8("м/сек" )).
-----------------------------------------------------------------------------------------------
Аннотац
IT-STUDHELP
: 5 декабря 2022
800 руб.
