Проектирование интегральных схем
-
Категории:
Электроника промышленная, Тамбовский государственный технический университет, Работа Курсовая
-
Добавлен:
09.11.2009
-
Размер:
505 KB
-
Закачек:
20
-
Добавил:
Алена321
Написать сообщение
Войти и скачать
Состав работы
|
|
|
|
7 листов Форматы А2.dwg
|
|
|
|
микросхема СБ Формат А2.dwg
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- AutoCAD или DWG TrueView
Описание
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.....................................................................................................................5
1. АНАЛИЗ ЗАДАНИЯ............................................................................................7
1.1 Анализ режимов работы по постоянному току................................................7
2. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА...............................................................................12
3. РАСЧЕТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ......................................................................................................15
Расчет пленочных резисторов..........................................................................15
Расчет тонкопленочных конденсаторов.........................................................21
4. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ МИКРОСБОРКИ.......................................27
4.1 Разработка топологии........................................................................................28
5. ПРОВЕРОЧНЫЕ РАСЧЕТЫ.............................................................................34
Ориентировочный расчет теплового режима ИМС......................................34
Расчет показателей надежности......................................................................35
Обеспечение влагозащиты микросхемы........................................................35
6. ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ...........................................36
Получение подложки........................................................................................36
Очистка подложки от химических и физических загрязнений....................38
Нанесение резистивного и проводящего слоев.............................................39
Получение необходимого рисунка пленочных элементов...........................40
Заключительные технологические операции.................................................42
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАРУРЫ.....................................................43
ПРИЛОЖЕНИЕ............................................................................................................44
ВВЕДЕНИЕ
Реализация принципов, идей, методов полупроводниковой микроэлектроники привела к созданию БИС и СБИС, представляющие собой целые устройства и даже системы, размещенные в одном полупроводниковом кристалле. Однако не все устройства можно изготовить с помощью полупроводниковой технологии.
Параллельно с полупроводниковым развился и совершенствовался другой конструктивно-технологический вариант создания микроэлектронных устройств, основанный на технологии тонких (до 1 мкм) и сравнительно толстых (10 – 50 мкм) пленок.
ВВЕДЕНИЕ.....................................................................................................................5
1. АНАЛИЗ ЗАДАНИЯ............................................................................................7
1.1 Анализ режимов работы по постоянному току................................................7
2. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА...............................................................................12
3. РАСЧЕТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ......................................................................................................15
Расчет пленочных резисторов..........................................................................15
Расчет тонкопленочных конденсаторов.........................................................21
4. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ МИКРОСБОРКИ.......................................27
4.1 Разработка топологии........................................................................................28
5. ПРОВЕРОЧНЫЕ РАСЧЕТЫ.............................................................................34
Ориентировочный расчет теплового режима ИМС......................................34
Расчет показателей надежности......................................................................35
Обеспечение влагозащиты микросхемы........................................................35
6. ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ...........................................36
Получение подложки........................................................................................36
Очистка подложки от химических и физических загрязнений....................38
Нанесение резистивного и проводящего слоев.............................................39
Получение необходимого рисунка пленочных элементов...........................40
Заключительные технологические операции.................................................42
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАРУРЫ.....................................................43
ПРИЛОЖЕНИЕ............................................................................................................44
ВВЕДЕНИЕ
Реализация принципов, идей, методов полупроводниковой микроэлектроники привела к созданию БИС и СБИС, представляющие собой целые устройства и даже системы, размещенные в одном полупроводниковом кристалле. Однако не все устройства можно изготовить с помощью полупроводниковой технологии.
Параллельно с полупроводниковым развился и совершенствовался другой конструктивно-технологический вариант создания микроэлектронных устройств, основанный на технологии тонких (до 1 мкм) и сравнительно толстых (10 – 50 мкм) пленок.
Дополнительная информация
Отлично, сдавалась Макарчуку в 2008 г.
Похожие материалы
Проектирование гибридных интегральных схем
GnobYTEL
: 12 сентября 2012
Целью работы над курсовым проектом является приобретение практических навыков решения инженерной задачи создания конкретного микроэлектронного изделия. Приведены этапы разработки гибридной интегральной микросхемы усилителя. В работе приведен метод масочного формирования ГИС, приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, выбора материалов, выбора материала подложки, выбор навесных элементов.
Введение 3
Техническое задание 4
1. Расчёт тонкоплёночных резисторов 5
1.1 Определен
GnobYTEL
: 12 сентября 2012
20 руб.
Курсовой проект. Схемотехника. Схемотехническое проектирование заказной интегральной микросхемы, выполняющей заданную функцию восьмиразрядного синхронного реверсивного сдвигающего регистра и реверсивной пересчетной схемы.
DiKey
: 5 июля 2022
Выполнить схемотехническое проектирование заказной интегральной микросхемы, выполняющей заданную функцию восьмиразрядного синхронного реверсивного сдвигающего регистра и реверсивной пересчетной схемы.
Постановка задачи
При выполнении курсового проектирования были рассмотрены следующие задачи:
- синтез структуры проектируемого устройства.
- анализ сложности проектируемого устройства и выбор типа триггера, использование которого для реализации устройства позволяет минимизировать его сложность.
-
DiKey
: 5 июля 2022
300 руб.
Другие работы
Вычислительная техника и информационные технологии, Лабораторная работа 4 ""Исследование двоичных счетчиков", вариант о7 "
Larina385
: 15 октября 2015
Лабораторная работа №4 "Исследование двоичных счетчиков"
Цель работы:Экспериментальное исследование работы различных типов двоичных счетчиков.
Вариант 07
Larina385
: 15 октября 2015
80 руб.
Гидромеханика: Сборник задач и контрольных заданий УГГУ Задача 4.35 Вариант а
Z24
: 8 октября 2025
Из водоема по трубе диаметром d1 и длиной l1 вода подается в водоприемник (рис. 4.35). Разность уровней воды в водоеме и в водоприемнике равна Н. Из водоприемника по трубе диаметром d2 и длиной l2 вода поступает в зумпф.
Определить расход воды Q в системе, также величину разностей уровней воды h в водоприемнике и зумпфе.
Принять трубы водопроводные загрязненные. Учесть потери напора в сетках без обратного клапана, установленных на входе в трубы, а также потери напора в одном колене и на вы
Z24
: 8 октября 2025
300 руб.
Положения средневековой философии
Qiwir
: 30 августа 2013
Средневековье занимает длительный отрезок истории Европы от распада Римской империи в V веке до эпохи Возрождения (XIV-XV в.в.).
Возникновение средневековой философии очень часто связывают с падением Западной Римской империи (476 год н.э), однако такая датировка является не совсем корректной. В это время еще господствует греческая философия, и с ее точки зрения началом всего является природа. В средневековой философии, напротив, реальностью, определяющей все сущее есть Бог. Поэтому переход от о
Qiwir
: 30 августа 2013
5 руб.
(ПКЗ) по дисциплине «Основы права»
aikys
: 12 января 2020
Что включает в себя термин "форма государства "? Из каких элементов он состоит? Ответ проиллюстрируйте примерами следующих государств: Россия, Казахстан, Индия.
2 20 баллов Перечислите и охарактеризуйте основные полномочия Правительства Российской Федерации.
3 20 баллов Дайте характеристику уголовному праву, как отрасли права, уточнив его предмет, метод и источники.
4 40 баллов Практическое задание: Используя нормы Федерального закона "О государственной гражданской службе" от 27.07.2004 №79–Ф
aikys
: 12 января 2020
40 руб.
