Проектирование интегральных схем
-
Категории:
Электроника промышленная, Тамбовский государственный технический университет, Работа Курсовая
-
Добавлен:
09.11.2009
-
Размер:
505 KB
-
Закачек:
20
-
Добавил:
Алена321
Написать сообщение
Войти и скачать
Состав работы
|
|
|
|
7 листов Форматы А2.dwg
|
|
|
|
микросхема СБ Формат А2.dwg
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- AutoCAD или DWG TrueView
Описание
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.....................................................................................................................5
1. АНАЛИЗ ЗАДАНИЯ............................................................................................7
1.1 Анализ режимов работы по постоянному току................................................7
2. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА...............................................................................12
3. РАСЧЕТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ......................................................................................................15
Расчет пленочных резисторов..........................................................................15
Расчет тонкопленочных конденсаторов.........................................................21
4. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ МИКРОСБОРКИ.......................................27
4.1 Разработка топологии........................................................................................28
5. ПРОВЕРОЧНЫЕ РАСЧЕТЫ.............................................................................34
Ориентировочный расчет теплового режима ИМС......................................34
Расчет показателей надежности......................................................................35
Обеспечение влагозащиты микросхемы........................................................35
6. ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ...........................................36
Получение подложки........................................................................................36
Очистка подложки от химических и физических загрязнений....................38
Нанесение резистивного и проводящего слоев.............................................39
Получение необходимого рисунка пленочных элементов...........................40
Заключительные технологические операции.................................................42
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАРУРЫ.....................................................43
ПРИЛОЖЕНИЕ............................................................................................................44
ВВЕДЕНИЕ
Реализация принципов, идей, методов полупроводниковой микроэлектроники привела к созданию БИС и СБИС, представляющие собой целые устройства и даже системы, размещенные в одном полупроводниковом кристалле. Однако не все устройства можно изготовить с помощью полупроводниковой технологии.
Параллельно с полупроводниковым развился и совершенствовался другой конструктивно-технологический вариант создания микроэлектронных устройств, основанный на технологии тонких (до 1 мкм) и сравнительно толстых (10 – 50 мкм) пленок.
ВВЕДЕНИЕ.....................................................................................................................5
1. АНАЛИЗ ЗАДАНИЯ............................................................................................7
1.1 Анализ режимов работы по постоянному току................................................7
2. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА...............................................................................12
3. РАСЧЕТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ......................................................................................................15
Расчет пленочных резисторов..........................................................................15
Расчет тонкопленочных конденсаторов.........................................................21
4. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ МИКРОСБОРКИ.......................................27
4.1 Разработка топологии........................................................................................28
5. ПРОВЕРОЧНЫЕ РАСЧЕТЫ.............................................................................34
Ориентировочный расчет теплового режима ИМС......................................34
Расчет показателей надежности......................................................................35
Обеспечение влагозащиты микросхемы........................................................35
6. ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ...........................................36
Получение подложки........................................................................................36
Очистка подложки от химических и физических загрязнений....................38
Нанесение резистивного и проводящего слоев.............................................39
Получение необходимого рисунка пленочных элементов...........................40
Заключительные технологические операции.................................................42
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАРУРЫ.....................................................43
ПРИЛОЖЕНИЕ............................................................................................................44
ВВЕДЕНИЕ
Реализация принципов, идей, методов полупроводниковой микроэлектроники привела к созданию БИС и СБИС, представляющие собой целые устройства и даже системы, размещенные в одном полупроводниковом кристалле. Однако не все устройства можно изготовить с помощью полупроводниковой технологии.
Параллельно с полупроводниковым развился и совершенствовался другой конструктивно-технологический вариант создания микроэлектронных устройств, основанный на технологии тонких (до 1 мкм) и сравнительно толстых (10 – 50 мкм) пленок.
Дополнительная информация
Отлично, сдавалась Макарчуку в 2008 г.
Похожие материалы
Проектирование гибридных интегральных схем
GnobYTEL
: 12 сентября 2012
Целью работы над курсовым проектом является приобретение практических навыков решения инженерной задачи создания конкретного микроэлектронного изделия. Приведены этапы разработки гибридной интегральной микросхемы усилителя. В работе приведен метод масочного формирования ГИС, приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, выбора материалов, выбора материала подложки, выбор навесных элементов.
Введение 3
Техническое задание 4
1. Расчёт тонкоплёночных резисторов 5
1.1 Определен
GnobYTEL
: 12 сентября 2012
20 руб.
Курсовой проект. Схемотехника. Схемотехническое проектирование заказной интегральной микросхемы, выполняющей заданную функцию восьмиразрядного синхронного реверсивного сдвигающего регистра и реверсивной пересчетной схемы.
DiKey
: 5 июля 2022
Выполнить схемотехническое проектирование заказной интегральной микросхемы, выполняющей заданную функцию восьмиразрядного синхронного реверсивного сдвигающего регистра и реверсивной пересчетной схемы.
Постановка задачи
При выполнении курсового проектирования были рассмотрены следующие задачи:
- синтез структуры проектируемого устройства.
- анализ сложности проектируемого устройства и выбор типа триггера, использование которого для реализации устройства позволяет минимизировать его сложность.
-
DiKey
: 5 июля 2022
300 руб.
Другие работы
Операционные системы. Лаборатоная №3. Вариант №6.
Damovoy
: 14 ноября 2020
Лабораторная работа 3
Управляющие конструкции командной оболочки
Обработка параметров командной строки, передаваемых в скрипт
Цель работы: Изучить управляющие (условные, циклические) конструкций управления командной оболочкой. Изучить способы взаимодействия командной оболочки и скриптов.
Задание.
Написать скрипт, анализирующий параметры командной строки с помощью специальных переменных и с помощью команды getopts.
Скрипт должен выполнять следующую работу:
а) используя соответствующую спец п
Damovoy
: 14 ноября 2020
510 руб.
Лабораторная работа по дисциплине: Распространение сигналов и помех в сетях радиосвязи. Вариант 2
Учеба "Под ключ"
: 21 августа 2022
Лабораторная работа
«Изучение факторов, влияющих на величину напряжённости поля в точке приёма»
Цель лабораторной работы: изучить характер изменения напряженности поля в точке приёма в реальных условиях распространения и в случае свободного пространства в зависимости от расстояния между передатчиком и приёмником.
Подготовка к лабораторной работе
1. Изучить конспект лекций по теме «5 Распространение радиоволн в свободном пространстве» и «6 Влияние земной поверхности на распространение радиоволн
Учеба "Под ключ"
: 21 августа 2022
500 руб.
Жилищное право. Ответы на тест .Синергия. 2022
KingSynergy
: 10 февраля 2022
72 вопроса
Вы покупаете ответы на вопросы которые указаны ниже
Платежные документы, на основании которых производится плата за жилое помещение и коммунальные услуги, должны быть предоставлены
К членам семьи нанимателя жилого помещения относятся ...
проживающий совместно с ним супруг/супруга
проживающие совместно с ним дети и родители нанимателя
нетрудоспособные иждивенцы, при условии что они вселены нанимателем в качестве членов его семьи и ведут с ним общее хозяйство фактический супруг, брак
KingSynergy
: 10 февраля 2022
300 руб.
Теплотехника ЮУрГАУ 2017 Задача 2 Цикл ДВС Вариант 25
Z24
: 5 декабря 2025
Идеальный цикл двигателя внутреннего сгорания с комбинированным подводом теплоты
Цикл осуществляется одним кг воздуха, как идеальным газом,
где R – газовая постоянная R = 287 Дж/(кг•К);
ср — удельная теплоемкость при постоянном давлении, ср =1009 Дж/(кг•К);
сυ — удельная теплоемкость при постоянном объеме, ср =721 Дж/(кг•К);
ε — степень сжатия ε = υ1/υ2;
λ — степень повышения давления λ = р3/р2;
ρ — степень предварительного расширения ρ = υ4/υ3.
Исходные данные принять по таблице 1
Зада
Z24
: 5 декабря 2025
500 руб.
