Проектирование интегральных схем

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.....................................................................................................................5
1. АНАЛИЗ ЗАДАНИЯ............................................................................................7
1.1 Анализ режимов работы по постоянному току................................................7
2. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА...............................................................................12
3. РАСЧЕТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ......................................................................................................15
 Расчет пленочных резисторов..........................................................................15
 Расчет тонкопленочных конденсаторов.........................................................21
4. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ МИКРОСБОРКИ.......................................27
4.1 Разработка топологии........................................................................................28
5. ПРОВЕРОЧНЫЕ РАСЧЕТЫ.............................................................................34
 Ориентировочный расчет теплового режима ИМС......................................34
 Расчет показателей надежности......................................................................35
 Обеспечение влагозащиты микросхемы........................................................35
6. ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ...........................................36
 Получение подложки........................................................................................36
 Очистка подложки от химических и физических загрязнений....................38
 Нанесение резистивного и проводящего слоев.............................................39
 Получение необходимого рисунка пленочных элементов...........................40
 Заключительные технологические операции.................................................42
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАРУРЫ.....................................................43
ПРИЛОЖЕНИЕ............................................................................................................44
ВВЕДЕНИЕ
Реализация принципов, идей, методов полупроводниковой микроэлектроники привела к созданию БИС и СБИС, представляющие собой целые устройства и даже системы, размещенные в одном полупроводниковом кристалле. Однако не все устройства можно изготовить с помощью полупроводниковой технологии.
Параллельно с полупроводниковым развился и совершенствовался другой конструктивно-технологический вариант создания микроэлектронных устройств, основанный на технологии тонких (до 1 мкм) и сравнительно толстых (10 – 50 мкм) пленок.

Отлично, сдавалась Макарчуку в 2008 г.