Проектирование интегральных схем
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- AutoCAD или DWG TrueView
Описание
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.....................................................................................................................5
1. АНАЛИЗ ЗАДАНИЯ............................................................................................7
1.1 Анализ режимов работы по постоянному току................................................7
2. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА...............................................................................12
3. РАСЧЕТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ......................................................................................................15
Расчет пленочных резисторов..........................................................................15
Расчет тонкопленочных конденсаторов.........................................................21
4. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ МИКРОСБОРКИ.......................................27
4.1 Разработка топологии........................................................................................28
5. ПРОВЕРОЧНЫЕ РАСЧЕТЫ.............................................................................34
Ориентировочный расчет теплового режима ИМС......................................34
Расчет показателей надежности......................................................................35
Обеспечение влагозащиты микросхемы........................................................35
6. ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ...........................................36
Получение подложки........................................................................................36
Очистка подложки от химических и физических загрязнений....................38
Нанесение резистивного и проводящего слоев.............................................39
Получение необходимого рисунка пленочных элементов...........................40
Заключительные технологические операции.................................................42
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАРУРЫ.....................................................43
ПРИЛОЖЕНИЕ............................................................................................................44
ВВЕДЕНИЕ
Реализация принципов, идей, методов полупроводниковой микроэлектроники привела к созданию БИС и СБИС, представляющие собой целые устройства и даже системы, размещенные в одном полупроводниковом кристалле. Однако не все устройства можно изготовить с помощью полупроводниковой технологии.
Параллельно с полупроводниковым развился и совершенствовался другой конструктивно-технологический вариант создания микроэлектронных устройств, основанный на технологии тонких (до 1 мкм) и сравнительно толстых (10 – 50 мкм) пленок.
ВВЕДЕНИЕ.....................................................................................................................5
1. АНАЛИЗ ЗАДАНИЯ............................................................................................7
1.1 Анализ режимов работы по постоянному току................................................7
2. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА...............................................................................12
3. РАСЧЕТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ......................................................................................................15
Расчет пленочных резисторов..........................................................................15
Расчет тонкопленочных конденсаторов.........................................................21
4. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ МИКРОСБОРКИ.......................................27
4.1 Разработка топологии........................................................................................28
5. ПРОВЕРОЧНЫЕ РАСЧЕТЫ.............................................................................34
Ориентировочный расчет теплового режима ИМС......................................34
Расчет показателей надежности......................................................................35
Обеспечение влагозащиты микросхемы........................................................35
6. ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ...........................................36
Получение подложки........................................................................................36
Очистка подложки от химических и физических загрязнений....................38
Нанесение резистивного и проводящего слоев.............................................39
Получение необходимого рисунка пленочных элементов...........................40
Заключительные технологические операции.................................................42
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАРУРЫ.....................................................43
ПРИЛОЖЕНИЕ............................................................................................................44
ВВЕДЕНИЕ
Реализация принципов, идей, методов полупроводниковой микроэлектроники привела к созданию БИС и СБИС, представляющие собой целые устройства и даже системы, размещенные в одном полупроводниковом кристалле. Однако не все устройства можно изготовить с помощью полупроводниковой технологии.
Параллельно с полупроводниковым развился и совершенствовался другой конструктивно-технологический вариант создания микроэлектронных устройств, основанный на технологии тонких (до 1 мкм) и сравнительно толстых (10 – 50 мкм) пленок.
Дополнительная информация
Отлично, сдавалась Макарчуку в 2008 г.
Похожие материалы
Проектирование гибридных интегральных схем
GnobYTEL
: 12 сентября 2012
Целью работы над курсовым проектом является приобретение практических навыков решения инженерной задачи создания конкретного микроэлектронного изделия. Приведены этапы разработки гибридной интегральной микросхемы усилителя. В работе приведен метод масочного формирования ГИС, приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, выбора материалов, выбора материала подложки, выбор навесных элементов.
Введение 3
Техническое задание 4
1. Расчёт тонкоплёночных резисторов 5
1.1 Определен
20 руб.
Курсовой проект. Схемотехника. Схемотехническое проектирование заказной интегральной микросхемы, выполняющей заданную функцию восьмиразрядного синхронного реверсивного сдвигающего регистра и реверсивной пересчетной схемы.
DiKey
: 5 июля 2022
Выполнить схемотехническое проектирование заказной интегральной микросхемы, выполняющей заданную функцию восьмиразрядного синхронного реверсивного сдвигающего регистра и реверсивной пересчетной схемы.
Постановка задачи
При выполнении курсового проектирования были рассмотрены следующие задачи:
- синтез структуры проектируемого устройства.
- анализ сложности проектируемого устройства и выбор типа триггера, использование которого для реализации устройства позволяет минимизировать его сложность.
-
300 руб.
Другие работы
Взаимодействие микроконтроллера intel 8051 с объектами управления
falling666
: 3 ноября 2016
Целью работы является изучение основ организации взаимодействия микро-контроллеров семейства 8051 Intel с объектами управления. Цель состоит также в продолжение начатого в лабораторных работах №1 - №3 [3 - 5] изучения интегрированной среды ProView фирмы Franklin Software Inc., предназначенной для разработки программного обеспечения этого семейства. Работа рассчитана на 4 - 8 часов домашней подготовки и 4 - 8 часов занятий в лаборатории в зависимости от количества выполняемых заданий.
При подгото
40 руб.
Эффективность информационных систем.3 вариант.
studypro3
: 27 марта 2018
Кейс - задания выполняются по вариантам.
Выберите вариант в соответствии с первой буквой Вашей фамилии:
А-К – вариант 1
Л-Р – вариант 2
С-Я – вариант 3
1. Определение локальных показателей эффективности информационной системы
Вариант 3
Определение производительности и ресурсоемкости функционирования информационной системы
2. Определение показателей техническо-эксплуатационной эффективности информационной системы
вариант 3
Задание 1.
Определение эффективности информационной системы по методу сово
600 руб.
Гидравлика и теплотехника ТОГУ Термодинамика Задача 9 Вариант 1
Z24
: 19 января 2026
Воздух, имея начальную температуру t1 = 27 ºС и абсолютное давление р1, изотермически расширяется до давления р2 = 0,1 МПа, а затем нагревается в изохорном процессе до тех пор, пока давление вновь не станет равным р1. Требуется определить удельный объем воздуха в конце изотермического расширения и температуру в конце изохорного подвода теплоты, а также изменения удельных значений внутренней энергии, энтальпии и энтропии в изохорном процессе. Теплоемкость воздуха считать не зависящей от температу
180 руб.
Основы антикоррупционной культуры
KVASROGOV
: 3 декабря 2022
Лабораторная работа №3
по дисциплине: Основы антикоррупционной культуры
Тема: Правовые основы противодействия коррупции
90 руб.