Проектирование интегральных схем
-
Категории:
Электроника промышленная, Тамбовский государственный технический университет, Работа Курсовая
-
Добавлен:
09.11.2009
-
Размер:
505 KB
-
Закачек:
20
-
Добавил:
Алена321
Написать сообщение
Войти и скачать
Состав работы
|
|
|
|
7 листов Форматы А2.dwg
|
|
|
|
микросхема СБ Формат А2.dwg
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- AutoCAD или DWG TrueView
Описание
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.....................................................................................................................5
1. АНАЛИЗ ЗАДАНИЯ............................................................................................7
1.1 Анализ режимов работы по постоянному току................................................7
2. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА...............................................................................12
3. РАСЧЕТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ......................................................................................................15
Расчет пленочных резисторов..........................................................................15
Расчет тонкопленочных конденсаторов.........................................................21
4. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ МИКРОСБОРКИ.......................................27
4.1 Разработка топологии........................................................................................28
5. ПРОВЕРОЧНЫЕ РАСЧЕТЫ.............................................................................34
Ориентировочный расчет теплового режима ИМС......................................34
Расчет показателей надежности......................................................................35
Обеспечение влагозащиты микросхемы........................................................35
6. ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ...........................................36
Получение подложки........................................................................................36
Очистка подложки от химических и физических загрязнений....................38
Нанесение резистивного и проводящего слоев.............................................39
Получение необходимого рисунка пленочных элементов...........................40
Заключительные технологические операции.................................................42
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАРУРЫ.....................................................43
ПРИЛОЖЕНИЕ............................................................................................................44
ВВЕДЕНИЕ
Реализация принципов, идей, методов полупроводниковой микроэлектроники привела к созданию БИС и СБИС, представляющие собой целые устройства и даже системы, размещенные в одном полупроводниковом кристалле. Однако не все устройства можно изготовить с помощью полупроводниковой технологии.
Параллельно с полупроводниковым развился и совершенствовался другой конструктивно-технологический вариант создания микроэлектронных устройств, основанный на технологии тонких (до 1 мкм) и сравнительно толстых (10 – 50 мкм) пленок.
ВВЕДЕНИЕ.....................................................................................................................5
1. АНАЛИЗ ЗАДАНИЯ............................................................................................7
1.1 Анализ режимов работы по постоянному току................................................7
2. ОБОСНОВАНИЕ ВЫБОРА...............................................................................12
3. РАСЧЕТ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ РАЗМЕРОВ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ......................................................................................................15
Расчет пленочных резисторов..........................................................................15
Расчет тонкопленочных конденсаторов.........................................................21
4. РАЗРАБОТКА КОНСТРУКЦИИ МИКРОСБОРКИ.......................................27
4.1 Разработка топологии........................................................................................28
5. ПРОВЕРОЧНЫЕ РАСЧЕТЫ.............................................................................34
Ориентировочный расчет теплового режима ИМС......................................34
Расчет показателей надежности......................................................................35
Обеспечение влагозащиты микросхемы........................................................35
6. ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ...........................................36
Получение подложки........................................................................................36
Очистка подложки от химических и физических загрязнений....................38
Нанесение резистивного и проводящего слоев.............................................39
Получение необходимого рисунка пленочных элементов...........................40
Заключительные технологические операции.................................................42
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАРУРЫ.....................................................43
ПРИЛОЖЕНИЕ............................................................................................................44
ВВЕДЕНИЕ
Реализация принципов, идей, методов полупроводниковой микроэлектроники привела к созданию БИС и СБИС, представляющие собой целые устройства и даже системы, размещенные в одном полупроводниковом кристалле. Однако не все устройства можно изготовить с помощью полупроводниковой технологии.
Параллельно с полупроводниковым развился и совершенствовался другой конструктивно-технологический вариант создания микроэлектронных устройств, основанный на технологии тонких (до 1 мкм) и сравнительно толстых (10 – 50 мкм) пленок.
Дополнительная информация
Отлично, сдавалась Макарчуку в 2008 г.
Похожие материалы
Проектирование гибридных интегральных схем
GnobYTEL
: 12 сентября 2012
Целью работы над курсовым проектом является приобретение практических навыков решения инженерной задачи создания конкретного микроэлектронного изделия. Приведены этапы разработки гибридной интегральной микросхемы усилителя. В работе приведен метод масочного формирования ГИС, приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, выбора материалов, выбора материала подложки, выбор навесных элементов.
Введение 3
Техническое задание 4
1. Расчёт тонкоплёночных резисторов 5
1.1 Определен
GnobYTEL
: 12 сентября 2012
20 руб.
Курсовой проект. Схемотехника. Схемотехническое проектирование заказной интегральной микросхемы, выполняющей заданную функцию восьмиразрядного синхронного реверсивного сдвигающего регистра и реверсивной пересчетной схемы.
DiKey
: 5 июля 2022
Выполнить схемотехническое проектирование заказной интегральной микросхемы, выполняющей заданную функцию восьмиразрядного синхронного реверсивного сдвигающего регистра и реверсивной пересчетной схемы.
Постановка задачи
При выполнении курсового проектирования были рассмотрены следующие задачи:
- синтез структуры проектируемого устройства.
- анализ сложности проектируемого устройства и выбор типа триггера, использование которого для реализации устройства позволяет минимизировать его сложность.
-
DiKey
: 5 июля 2022
300 руб.
Другие работы
Гидростатика и гидродинамика ТИУ Задача 1.4 Вариант 1
Z24
: 31 декабря 2026
Капельная жидкость плотностью ρ = 850 кг/м³ находится в трубопроводе с внутренним диаметром d, м, который должен не разрушаясь выдерживать манометрическое давление p атмосфер. Рассчитать минимальную толщину стенки трубопровода, принимая допустимое растягивающее напряжение в материале трубы σ = 85 МПа.
Z24
: 31 декабря 2026
150 руб.
Характеристика современных средств поражения и последствия их применения
evelin
: 8 марта 2014
Введение. 2
§ 1. Ядерное оружие. 2
§ 1.1. Характеристика ядерного оружия. Виды взрывов. 2
§ 1.2. Поражающие факторы ядерного взрыва. 3
§ 1.3. Ударная волна. 3
§ 1.4. Световое излучение. 3
§ 1.5. Проникающая радиация. 4
§ 1.6. Радиоактивное заражение. 4
§ 1.7. Электромагнитный импульс. 5
§ 1.8. Особенности поражающего действия нейтронных боеприпасов. 5
§ 1.9. Очаг ядерного поражения. 6
§ 1.10 Зоны радиоактивного заражения на следе облака ядерного взрыва. 6
§ 2. Химическое оружие. 8
§ 2.1. Характе
evelin
: 8 марта 2014
5 руб.
20 руб.
Механизация уборки картофеля в СПК «Борки» Берёзовского района Брестской области с модернизацией подкапывающе-сепарирующих рабочих органов картофелекопателя КТН-2В
Shloma
: 18 января 2021
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1.ХАРАКТЕРИСТИКА СПК «БОРКИ»
1.1. Характеристика хозяйственной деятельности хозяйства
1.1.1. Общие сведения о хозяйстве
1.1.2. Природно-климатические условия
1.1.3. Состояние о
Shloma
: 18 января 2021
1590 руб.
