Разработка интегрального аналогового устройства
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника физическая, Работа Курсовая
-
Добавлен:
19.05.2010
-
Размер:
273 KB
-
Покупок:
17
-
Добавил:
DaemonMag
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Электроника (Курсовая).doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Разработка интегрального аналогового устройства»
Содержание
Техническое задание 3
Введение 3
1 Разработка структурной схемы 3
2 Разработка принципиальной схемы 4
3 Разработка интегральной микросхемы 9
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 9
3.2 Разработка топологии 10
3.3 Этапы изготовления усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы 12
Список литературы 13
Техническое задание
1. Напряжение источника питания Е=-15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu=5.
3. Входное сопротивление Rвх=8,2 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн=0,6 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном=1 В.
6. Нижняя рабочая частота fн=50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота fв=10 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный.
Введение
Устройство предназначено для усиления электрических сигналов низкой частоты и может применяться как предварительный усилитель с высоким входным сопротивлением.
При реализации усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС) часть или все пассивные элементы выполняются напылением на общей подложке. Так как в ГИМС соединения элементов осуществляются путем металлизации без пайки и сварки, то они обладают более высокой надежностью по сравнению с дискретными схемами, выполняющими ту же функцию.
Содержание
Техническое задание 3
Введение 3
1 Разработка структурной схемы 3
2 Разработка принципиальной схемы 4
3 Разработка интегральной микросхемы 9
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 9
3.2 Разработка топологии 10
3.3 Этапы изготовления усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы 12
Список литературы 13
Техническое задание
1. Напряжение источника питания Е=-15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению Кu=5.
3. Входное сопротивление Rвх=8,2 МОм.
4. Сопротивление нагрузки Rн=0,6 кОм.
5. Номинальное выходное напряжение Uном=1 В.
6. Нижняя рабочая частота fн=50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота fв=10 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте Мн=2 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте Мв=2 дБ.
10. Тип входа – несимметричный, тип выхода – несимметричный.
Введение
Устройство предназначено для усиления электрических сигналов низкой частоты и может применяться как предварительный усилитель с высоким входным сопротивлением.
При реализации усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС) часть или все пассивные элементы выполняются напылением на общей подложке. Так как в ГИМС соединения элементов осуществляются путем металлизации без пайки и сварки, то они обладают более высокой надежностью по сравнению с дискретными схемами, выполняющими ту же функцию.
Дополнительная информация
Хорошо
Похожие материалы
Разработка интегрального аналогового устройства
Mikhasolodovnik
: 11 февраля 2019
Вариант №10;
По указанию преподавателя напряжение питание принимаю равным 10В, так как это максимально допустимое напряжение для полевого транзистора 2П201А.
UПИТ = -10 В;
Коэффициент усиления по напряжению KU = 8 раз;
Входное сопротивление RВХ = 0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм;
Номинальное напряжение UНОМ = 2 В;
Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц;
Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц;
Коэффициент частотных искажений на нижней частоте MН = 1 дБ;
Коэффициент частотных искажений на верх
Mikhasolodovnik
: 11 февраля 2019
1000 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Adam
: 26 сентября 2017
Введение 4
1. Разработка структурной схемы 7
2. Разработка принципиальной схемы 8
3. Разработка интегральной микросхемы 10
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 10
4. Расчёт первого каскада на VT1 13
5. Расчёт ёмкостей СР1, СК, СР2, СР3. 14
6. Расчет АЧХ. 15
7. Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов 16
8. Этапы изготовления ГИМС 21
Литература 24
Adam
: 26 сентября 2017
300 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Эрик4
: 9 апреля 2017
Исходные данные:
1. Напряжение источника питания - Uпит = +15 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 13.
3. Входное сопротивление - Rвх = 2,7 МОм.
4. Сопротивление нагрузки - Rн = 2 кОм.
5. Номинальное входное напряжение - Uном = 3 В.
6. Нижняя рабочая частота (НРЧ) - fн = 300 Гц.
7. Верхняя рабочая частота (ВРЧ) - fв = 3,4 кГц.
8. Коэффициент частотных искажений на НРЧ - Мн =3 дБ.
9. Коэффициент частотных искажений на ВРЧ - Мв =3 дБ.
10. Тип входа - Н.
11. Тип выхода - С.
Эрик4
: 9 апреля 2017
200 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Исходные данные курсовой работы:
Напряжение источника питания U_пит=-12 В;
Коэффициент усиления по напряжению K_u=8;
Входное сопротивление R_вх=0,33 МОм;
Сопротивление нагрузки R_Н=2кОм;
Номинальное выходное напряжение U_ном=2 В;
Нижняя рабочая частота f_н=50 Гц;
Верхняя рабочая частота f_в=10 кГц;
Частотные искажения (НЧ) М_н=1 дБ;
Частотные искажения (ВЧ) М_в=1 дБ;
Тип входа – несимметричный;
Тип выхода – несимметричный.
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
100 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
nik5590585
: 22 января 2015
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС).
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 02
1. Напряжение источника питания UПИТ = + 9 В.
2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6.
3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм.
4. Выходное сопротивление: RН = 1,0 кОм.
5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В.
6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц.
7. Верхняя рабочая частота: FВ
nik5590585
: 22 января 2015
360 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Amor
: 10 июня 2013
Содержание
Техническое задание…………………………………………………………….3
Введение………………………………………………………………………….4
1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5
2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12
4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации
пленочных элементов…………………………………………….……....12
Amor
: 10 июня 2013
150 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
paandreevna
: 28 февраля 2012
Содержание
Техническое задание………………………………………………………………….2
Введение………………………………………………………………………………3
1.Разработка структурной схемы……………………………………………………5
2.Разработка принципиальной схемы………………………………………………6
2.1 Электрический расчет…………………………………………………………….7
2.2. Расчет элементов определяющих АЧХ………………………………………..11
3.Разработка интегральной схемы………………………………………………….15
4.Этапы изготовления ГИМС……………………………………………………….18
Заключение…………………………………………………………………………..20
Литература…………………………………………………………………………...2
paandreevna
: 28 февраля 2012
50 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
paandreevna
: 28 февраля 2012
Курсовая работа сдана на "4"
Вариант 06
Содержание:
Техническое задание……………………………………………………
Введение……………………………………………………………….....
1. Разработка структурной схемы……………………………………
2. Разработка принципиальной схемы....…………………………….
3. Разработка интегральной микросхемы…………………………...
3.1. Электрический расчет……………………………………………..
3.2. Расчёт элементов определяющие АЧХ………………………...
4. Разработка интегральной микросхемы…………………………...
5 Этапы изготовления устройства в виде гибридной
Интегральной микросхемы……
paandreevna
: 28 февраля 2012
50 руб.
Другие работы
Контрольная работа по дисциплине: Химия радиоматериалов. Вариант №9.
Rufus
: 26 мая 2016
3.1 Проводниковые материалы
Задача No 3.1.1
Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при темпера-туре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.
No вар. Материал То1, С То2, С То3, С L, км S, мм2 I, А
9 Al -50 +25 +60 100 2,5 20
Задача No 3.1.2
Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P.
No вар. Материал R, Ом P, Вт j, А/мм2 0, мкОм* м
9 Медь 1000 10 0,01 0,0172
Дано:
R = 1000 Ом
Rufus
: 26 мая 2016
55 руб.
Контрольная работа. Теория мамссового обслуживания.
kbcfy
: 27 декабря 2014
Задача № 1
Прибор может находиться в рабочем состоянии Е1, в ожидании ремонта Е2, в ремонте Е3. Вероятности перехода из состояния в состояние в течение суток заданы матрицей:
В случае эксплуатации прибора фирма (владелец прибора) получает ежедневно 8000 руб., при простое платит неустойку 300 руб. в сутки, сутки ремонта стоят 1500 руб. Каков среднесуточный доход фирмы?
Задача 2
Рассмотрим процесс размножения и гибели популяции, для которого интенсивности рождения и гибели особи имеют следующи
kbcfy
: 27 декабря 2014
50 руб.
Вопросы к курсу «Сети и системы Документальной электросвязи»
Богарт
: 16 апреля 2014
1.Методы оперативной коммутации (коммутации каналов и пакетов).
2. Пропускная способность сетей с коммутацией пакетов.
3.Дейтограммный метод передачи пакетов.
4. Передача пакетов по виртуальным каналам.
5.Технология пакетной коммутации Х.25.
.
.
20. Интеграция служб на базе стандарта Х.400. Принципы построения системы Rostelemail
Богарт
: 16 апреля 2014
199 руб.
Лабораторная работа № 3 по дисциплине «Человеко-машинное взаимодействие» Вариант №5
m9c1k
: 15 ноября 2011
4.2. Провести анализ GOMS выполнения следующей задачи :
Стандартная программа Windows Калькулятор (в "научном" режиме): вычисление арктангенса 100 в градусах.
4.1. Провести анализ GOMS интерфейса, разработанного в ходе выполнения задания по главе 2 (на примере одной репрезентативной задачи).
Цель: Найти рецепт с омлета с сыром и грибами и сохранить его.
m9c1k
: 15 ноября 2011
350 руб.
