Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Экзамен.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения.  Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели.
 Принцип действия излучающих полупроводниковых приборов основан на излучении квантов электромагнитной энергии при переходе частиц из высокого энергетического состояния в более низкое. Переходы, при которых излучаются кванты лучистой энергии, называются излучательными. Они обусловливают явления люминесценции и индуцированного излучения.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

2009 год. Оценка: Удовлетворительно.
Примечание: в Вашей работе имеется ошибки при решении задач №1 и №2 (не рассмотрены излучающие приборы, не верна схема в задаче №2).
Игнатов Александр Николаевич.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Статические характеристики полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики Б
User alex-180672 : 14 апреля 2011
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант 1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительн
User qawsedrftgyhujik : 19 декабря 2010
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передато
User Sandra197 : 9 января 2016
200 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. При
User astor : 25 мая 2015
70 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
User настя2014 : 16 января 2015
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Применение генераторов тока в ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
User user888 : 21 апреля 2013
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и
User VaS3012 : 24 сентября 2012
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и кан
User Ekaterina-Arbanakova : 20 апреля 2012
350 руб.
Мультисервисные сети связи (часть 2). Вариант 20
«Проект ресурсов мультисервисной транспортной сети» Содержание Введение 3 1. Расчет нагрузки, создаваемой сетью доступа на транспортную сеть 5 1.1 Исходные данные 5 1.2 Расчет пропускной способности мультисервисной сети доступа 6 2. Расчет сигнальной нагрузки транспортной сети 14 3. Расчет производительности узлов транспортной пакетной сети 15 Список использованных источников 17 1. Расчет нагрузки, создаваемой сетью доступа на транспортную сеть 1.1 Исходные данные Задание на КП содержит рас
User SibGOODy : 1 июля 2020
700 руб.
Мультисервисные сети связи (часть 2). Вариант 20 promo
Объектно-ориентированное программирование. Курсовая работа "Лодка". Вариант №21
!СКИДКА! На все свои работы могу предложить скидку до 50%. Для получения скидки напишите мне письмо(выше ссылка "написать") Задание: Написать программу, используя объектно-ориентированный подход, которая двигает по экрану изображение заданного графического объекта. Допускается: замена некоторых элементов графического объекта, изменение его цветовой гаммы. Реализовать два вида движения: случайное и по нажатию на клавиши со стрелками. Предусмотреть для пользователя возможность выбора одного из
User popye : 30 марта 2014
80 руб.
Объектно-ориентированное программирование. Курсовая работа "Лодка". Вариант №21
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Техническая термодинамика Задача 2 Вариант 95
Для теоретического цикла ГТУ с подводом теплоты при постоянном давлении определить параметры рабочего тела (воздуха) в характерных точках цикла, подведенную и отведенную теплоту, работу и термический к.п.д. цикла, если начальное давление р1=0,1 МПа, начальная температура t1=27 ºC, степень повышения давления в компрессоре π, температура газа перед турбиной t3. Определить теоретическую мощность ГТУ при заданном расходе воздуха G. Дать схему и цикл установки в pυ- и Ts — диаграммах. Данные для реш
User Z24 : 10 января 2026
200 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Техническая термодинамика Задача 2 Вариант 95
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 2 Вариант 87
Поворотный клапан закрывает выход из бензохранилища в трубу квадратного сечения. Глубина бензина слева h = (0,3 + 0,05·y) м, глубина бензина справа H = (0,85 + 0,05·z) м, угол наклона клапана к горизонту α = (45 + 0,2·y) °, ρб = 686 кг/м³, избыточное давление паров бензина в резервуаре рм = (0,6 + 0,01·y) = 0,64 кПа. Определить, какую силу T необходимо приложить к тросу для открытия клапана (рис. 2).
User Z24 : 29 декабря 2026
200 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 2 Вариант 87
up Наверх