Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели.
Принцип действия излучающих полупроводниковых приборов основан на излучении квантов электромагнитной энергии при переходе частиц из высокого энергетического состояния в более низкое. Переходы, при которых излучаются кванты лучистой энергии, называются излучательными. Они обусловливают явления люминесценции и индуцированного излучения.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели.
Принцип действия излучающих полупроводниковых приборов основан на излучении квантов электромагнитной энергии при переходе частиц из высокого энергетического состояния в более низкое. Переходы, при которых излучаются кванты лучистой энергии, называются излучательными. Они обусловливают явления люминесценции и индуцированного излучения.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
2009 год. Оценка: Удовлетворительно.
Примечание: в Вашей работе имеется ошибки при решении задач №1 и №2 (не рассмотрены излучающие приборы, не верна схема в задаче №2).
Игнатов Александр Николаевич.
Примечание: в Вашей работе имеется ошибки при решении задач №1 и №2 (не рассмотрены излучающие приборы, не верна схема в задаче №2).
Игнатов Александр Николаевич.
Похожие материалы
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
alex-180672
: 14 апреля 2011
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
qawsedrftgyhujik
: 19 декабря 2010
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительн
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16
Sandra197
: 9 января 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передато
200 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет
astor
: 25 мая 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
При
70 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр
настя2014
: 16 января 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
user888
: 21 апреля 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Применение генераторов тока в ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
VaS3012
: 24 сентября 2012
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Ekaterina-Arbanakova
: 20 апреля 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и кан
350 руб.
Другие работы
Мультисервисные сети связи (часть 2). Вариант 20
SibGOODy
: 1 июля 2020
«Проект ресурсов мультисервисной транспортной сети»
Содержание
Введение 3
1. Расчет нагрузки, создаваемой сетью доступа на транспортную сеть 5
1.1 Исходные данные 5
1.2 Расчет пропускной способности мультисервисной сети доступа 6
2. Расчет сигнальной нагрузки транспортной сети 14
3. Расчет производительности узлов транспортной пакетной сети 15
Список использованных источников 17
1. Расчет нагрузки, создаваемой сетью доступа на транспортную сеть
1.1 Исходные данные
Задание на КП содержит рас
700 руб.
Объектно-ориентированное программирование. Курсовая работа "Лодка". Вариант №21
popye
: 30 марта 2014
!СКИДКА! На все свои работы могу предложить скидку до 50%. Для получения скидки напишите мне письмо(выше ссылка "написать")
Задание:
Написать программу, используя объектно-ориентированный подход, которая двигает по экрану изображение заданного графического объекта.
Допускается: замена некоторых элементов графического объекта, изменение его цветовой гаммы.
Реализовать два вида движения: случайное и по нажатию на клавиши со стрелками. Предусмотреть для пользователя возможность выбора одного из
80 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Техническая термодинамика Задача 2 Вариант 95
Z24
: 10 января 2026
Для теоретического цикла ГТУ с подводом теплоты при постоянном давлении определить параметры рабочего тела (воздуха) в характерных точках цикла, подведенную и отведенную теплоту, работу и термический к.п.д. цикла, если начальное давление р1=0,1 МПа, начальная температура t1=27 ºC, степень повышения давления в компрессоре π, температура газа перед турбиной t3.
Определить теоретическую мощность ГТУ при заданном расходе воздуха G. Дать схему и цикл установки в pυ- и Ts — диаграммах. Данные для реш
200 руб.
Механика жидкости и газа СПбГАСУ 2014 Задача 2 Вариант 87
Z24
: 29 декабря 2026
Поворотный клапан закрывает выход из бензохранилища в трубу квадратного сечения. Глубина бензина слева h = (0,3 + 0,05·y) м, глубина бензина справа H = (0,85 + 0,05·z) м, угол наклона клапана к горизонту α = (45 + 0,2·y) °, ρб = 686 кг/м³, избыточное давление паров бензина в резервуаре рм = (0,6 + 0,01·y) = 0,64 кПа.
Определить, какую силу T необходимо приложить к тросу для открытия клапана (рис. 2).
200 руб.