Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели.
Принцип действия излучающих полупроводниковых приборов основан на излучении квантов электромагнитной энергии при переходе частиц из высокого энергетического состояния в более низкое. Переходы, при которых излучаются кванты лучистой энергии, называются излучательными. Они обусловливают явления люминесценции и индуцированного излучения.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели.
Принцип действия излучающих полупроводниковых приборов основан на излучении квантов электромагнитной энергии при переходе частиц из высокого энергетического состояния в более низкое. Переходы, при которых излучаются кванты лучистой энергии, называются излучательными. Они обусловливают явления люминесценции и индуцированного излучения.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
2009 год. Оценка: Удовлетворительно.
Примечание: в Вашей работе имеется ошибки при решении задач №1 и №2 (не рассмотрены излучающие приборы, не верна схема в задаче №2).
Игнатов Александр Николаевич.
Примечание: в Вашей работе имеется ошибки при решении задач №1 и №2 (не рассмотрены излучающие приборы, не верна схема в задаче №2).
Игнатов Александр Николаевич.
Похожие материалы
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
alex-180672
: 14 апреля 2011
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
qawsedrftgyhujik
: 19 декабря 2010
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительн
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16
Sandra197
: 9 января 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передато
200 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет
astor
: 25 мая 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
При
70 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр
настя2014
: 16 января 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
user888
: 21 апреля 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Применение генераторов тока в ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
VaS3012
: 24 сентября 2012
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Ekaterina-Arbanakova
: 20 апреля 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и кан
350 руб.
Другие работы
СИБГУТИ, Дискретная математика
fred_student
: 2 октября 2014
В данном сборнике решения следующих лабораторных работ:
1. Множества и операции над ними
2. Отношения и их свойства
3. Генерация перестановок
4. Генерация подмножеств
5. Поиск компонент связности графа
Все работы написаны на языке Pascal.
500 руб.
Основы построения телекоммуникационных систем и сетей
женя68
: 30 января 2011
Курсовой проект вариант No 08
Основы построения телекоммуникационных систем и сетей
Задача No 1
Определить мощность ТВ радиопередатчика Р, обеспечивающего требуемое значение напряженности электромагнитного поля в пределах заданной площади, имеющей форму круга, находящегося в пределах зоны прямой видимости при условии, что ТВ вещание ведется в NK радиоканале с h оценкой качества воспроизводимых ТВ изображений, высота передающей антенны над поверхностью Земли составляет h1, а приемной – h2. Исходн
100 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Интегральные и оптические сети. Вариант №14
lenny84
: 27 марта 2012
В работе присутсвуют ответы на вопросы, и решения задач для варианта №14.
Задача 1
Определить эквивалентное количество цифровых трактов Е1 для организации узкополосных услуг электросвязи по вариантам таблиц 1 и 2. Сгруппировать эти услуги по трактам Е1.
Таблица №1.1 Требуемые услуги
Услуги Предпоследняя цифра номера пароля
1
Телефония 120
Базовый доступ
ISDN, 2B+D 20
Передача данных в канале H12, т.е. 30B+D 1
Передача данных
V.35 2
Видеоконференция
H0, 384кбит/с 8
Модем 56кбит/с 10
Таблица 1.2
300 руб.
Термодинамика УГНТУ Задача 3 Вариант 53
Z24
: 14 декабря 2025
Определение термического к.п.д. и параметров в характерных точках цикла двигателя внутреннего сгорания со смешанным подводом тепла
Определить термический к.п.д. и параметры (р, υ, Т) в характерных точках цикла двигателя внутреннего сгорания (ДВС) со смешанным подводом тепла, если дано: начальный объём рабочего тела υ1, м³/кг, начальное давление рабочего тела р1, МПа, степень сжатия ε, степень повышения давления λ, степень предварительного расширения ρ. Рабочее тело — воздух. Теплоёмкость рабо
300 руб.