Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели.
Принцип действия излучающих полупроводниковых приборов основан на излучении квантов электромагнитной энергии при переходе частиц из высокого энергетического состояния в более низкое. Переходы, при которых излучаются кванты лучистой энергии, называются излучательными. Они обусловливают явления люминесценции и индуцированного излучения.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели.
Принцип действия излучающих полупроводниковых приборов основан на излучении квантов электромагнитной энергии при переходе частиц из высокого энергетического состояния в более низкое. Переходы, при которых излучаются кванты лучистой энергии, называются излучательными. Они обусловливают явления люминесценции и индуцированного излучения.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
2009 год. Оценка: Удовлетворительно.
Примечание: в Вашей работе имеется ошибки при решении задач №1 и №2 (не рассмотрены излучающие приборы, не верна схема в задаче №2).
Игнатов Александр Николаевич.
Примечание: в Вашей работе имеется ошибки при решении задач №1 и №2 (не рассмотрены излучающие приборы, не верна схема в задаче №2).
Игнатов Александр Николаевич.
Похожие материалы
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
alex-180672
: 14 апреля 2011
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
qawsedrftgyhujik
: 19 декабря 2010
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительн
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16
Sandra197
: 9 января 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передато
200 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет
astor
: 25 мая 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
При
70 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр
настя2014
: 16 января 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
user888
: 21 апреля 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Применение генераторов тока в ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
VaS3012
: 24 сентября 2012
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Ekaterina-Arbanakova
: 20 апреля 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и кан
350 руб.
Другие работы
Финансовые результаты деятельности СПК Каменский Мценского района Орловской области
alfFRED
: 12 ноября 2013
Введение.
Прибыль является важнейшим фактором формирования предложения, поскольку ее получение – цель любой коммерческой фирмы.
Уже с давних времен было ясно, что люди организовывали свою производственную деятельность с целью получения прибыли и ее максимизации. В наше время этот вопрос очень актуален и значим. Ведь при создании предприятия особое внимание уделяется финансовым результатам, а именно планируются доходы и расходы, вследствие чего определяется прибыльность или убыточность предприя
10 руб.
Механика Задача 2.54 Вариант 22
Z24
: 19 ноября 2025
Расчет плоской рамы
Условие:
Плоская рама закреплена с помощью неподвижного шарнира в точке А и подвижного шарнира в точке В (рис. 1). На раму действуют силы F = 5 кН, Р = 2 кН и момент М = 10 кН·м, cos α = 0,8. Определить реакции опор.
200 руб.
РГР №6, Вариант №17. Расчет сжатого стержня на устойчивость
Сергей42
: 11 мая 2017
Для сжатого стержня по схеме № 5 при заданном в строке № 17 таблицы 1 нормативном значении сжимающей силы N требуется:
1.Подобрать сечение согласно схеме № 5 из условия устойчивости стержня в двух главных плоскостях XOY и XOZ.
2.Определить величину критической силы и коэффициент запаса устойчивости.
100 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-3 по дисциплине: Промышленные электроустановки. Вариант №5
IT-STUDHELP
: 8 июля 2023
Контрольная работа
Вариант No5
Исходные данные
Исходные данные приведены в таблицах 1 и 2.
Таблица 1 – Исходные данные (цифра 0)
Предпоследняя цифра пароля 0
Номинальное напряжение питающего оборудования , В 48
Ток основной цепи , А 400
Ток цепи сигнализации , А 20
Суммарный ток наиболее нагруженного ряда ЛАЦ , А 70
Максимальная нагрузка стойки , А 19
Полная мощность потребления на хозяйственные нужды SХОЗ, кВА 2
Коэффициент мощности нагрузки на хоз. нужды, cos хн, отн.ед. 0,97
Время разря
1150 руб.