Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника»
1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели.
Принцип действия излучающих полупроводниковых приборов основан на излучении квантов электромагнитной энергии при переходе частиц из высокого энергетического состояния в более низкое. Переходы, при которых излучаются кванты лучистой энергии, называются излучательными. Они обусловливают явления люминесценции и индуцированного излучения.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1. Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
Излучающим называют полупроводниковый прибор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической энергии в энергию светового излучения. Излучающие полупроводниковые приборы подразделяются на четыре группы: светоизлучающие диоды, лазеры, электролюминесцентные порошковые и пленочные излучатели.
Принцип действия излучающих полупроводниковых приборов основан на излучении квантов электромагнитной энергии при переходе частиц из высокого энергетического состояния в более низкое. Переходы, при которых излучаются кванты лучистой энергии, называются излучательными. Они обусловливают явления люминесценции и индуцированного излучения.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
2009 год. Оценка: Удовлетворительно.
Примечание: в Вашей работе имеется ошибки при решении задач №1 и №2 (не рассмотрены излучающие приборы, не верна схема в задаче №2).
Игнатов Александр Николаевич.
Примечание: в Вашей работе имеется ошибки при решении задач №1 и №2 (не рассмотрены излучающие приборы, не верна схема в задаче №2).
Игнатов Александр Николаевич.
Похожие материалы
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
alex-180672
: 14 апреля 2011
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики Б
111 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
qawsedrftgyhujik
: 19 декабря 2010
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
СИБГУТИ.Электроника.Экзамен. 3 семестр 2 вариант
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительн
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу: «Электроника». Вариант №16
Sandra197
: 9 января 2016
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передато
200 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».4сем. 11 билет
astor
: 25 мая 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
При
70 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 5-й семестр
настя2014
: 16 января 2015
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмитт
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». ДО. 4-й семестр
user888
: 21 апреля 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Применение генераторов тока в ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
120 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
VaS3012
: 24 сентября 2012
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и
100 руб.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».. 3- й семестр
Ekaterina-Arbanakova
: 20 апреля 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и кан
350 руб.
Другие работы
Теплотехника КГАУ 2015 Задача 1 Вариант 27
Z24
: 5 февраля 2026
Углекислый газ из начального состояния с параметрами р1 и t1 изотермически сжимается до давления р2, а затем изохорно охлаждается до температуры t3. Определить параметры состояния во всех остальных точках процессов и показать эти процессы в р,v и T,s–диаграммах. Вычислить также величины работы, теплоты, изменения внутренней энергии и энтропии в каждом процессе.
250 руб.
Социальная значимость деятельности молодежных движений
Lokard
: 7 февраля 2014
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы курсового исследования. Молодежь – органическая часть современного общества. Она несет незаменимую никакими другими социальными группами функцию ответственности за сохранение и развитие нашей страны, за преемственность ее истории и культуры, жизнь старших и воспроизводство последующих поколений, и в конечном итоге – за выживание народов как культурно-исторических общностей.
Реализация любой концепции развития страны будет зависеть от того, как она воспринимается и оцен
10 руб.
Коллективные формы собственности в российской экономике
alfFRED
: 26 февраля 2014
ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………...……….3
ГЛАВА 1. СОЦИАЛЬНО-ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ПРИРОДА КОЛЛЕКТИВНОЙ СОБСТВЕННОСТИ……………………………………...………………………...4
1.1. Формы собственности в экономике России……………………………….....4
1.2. Понятие «коллективной формы собственности»…………………………....7
1.3.Значение и сущность коллективной собственности ………………………...9
ГЛАВА 2. РОЛЬ КОЛЛЕКТИВНОЙ ФОРМЫ СОБСТВЕННОСТИ В ЭКОНОМИКЕ РОССИИ……………………………………………………….…14
2.1. Коллективная собственность как экономическая категория и ее правовые формы…
10 руб.
Милосердие
alusya
: 18 января 2013
Содержание:
1. Введение.
2. Этический кодекс медицинских работников.
3. Профессиональная тайна.
4. Психологические аспекты профессиональной деятельности медицинских работников.
5. Паллиативная помощь пациентам.
6. Милосердная смерть.
7. Заключение.