Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
25.11.2010
-
Размер:
212 KB
-
Покупок:
41
-
Добавил:
vereney
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ЛАБОРАТОРНАЯ ПО ФИЗИКЕ 6.8.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
Дополнительная информация
ЗАЧТЕНО БЕЗ ЗАМЕЧАНИЙ
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Другие работы
Теплотехника МГУПП 2015 Задача 3.3 Вариант 06
Z24
: 8 января 2026
Городской молочный завод для нужд горячего водоснабжения и водяного отопления в качестве греющего теплоносителя использует перегретую теплофикационную воду, полученную от ТЭЦ (рис. 4). Определить:
— тепловую мощность системы отопления Qот;
— количество нагреваемой воды для системы горячего водоснабжения Мгв;
— площади поверхностей нагрева водоподогревателей системы водяного отопления Fот и горячего водоснабжения Fгв,
Построить совмещенный температурный график водоподогревателей в коо
Z24
: 8 января 2026
250 руб.
Документирование управленческой деятельности. Контрольная работа
olesiastas
: 21 апреля 2013
Содержание
Введение 2
1 Состав реквизитов и документов 3
2 Требования к оформлению документов 5
3 Основные управленческие документы 8
1) Информационное письмо 8
2) Гарантийное письмо
olesiastas
: 21 апреля 2013
300 руб.
Освобождение от уголовной ответственности в связи с деятельным раскаянием
evelin
: 14 сентября 2013
План:
Введение…………………………………………………………………….3
1.Понятие, основание и виды освобождения от уголовной ответственности
в связи с деятельным раскаянием…………………………………………..4-9
2. Общий вид освобождения от уголовной ответственности в связи с деятельным раскаянием……………………………………………………10-18
3. Специальные виды освобождения от уголовной ответственности в связи с деятельным раскаянием………………………………………………….19-28
Заключение…………………………………………………………………29-30
Список литературы…………………………………………………………31-32
Введение
evelin
: 14 сентября 2013
5 руб.
Государственный экзамен 2020. Профиль: «Системы радиосвязи и радиодоступа»
SibGUTI2
: 14 июня 2020
Перечень вопросов ГОС экзамена для студентов заочной формы обучения
направление: 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»
квалификация (степень) бакалавр
профиль: «Системы радиосвязи и радиодоступа»
Задачи по дисциплине «Общая теория связи» (Воробьева С.В.)
1 Сообщения передаются 5-элементным двоичным кодом с равновероятными элементами по гауссовскому каналу связи сигналами дискретной фазовой модуляции при отношении сигнал/шум h2=4.
Рассчитать вероятность неправильного прие
SibGUTI2
: 14 июня 2020
3000 руб.
