Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Физика. Физика математическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
14.12.2010
-
Размер:
201 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
DenKnyaz
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
467D767A-DD7D-4EF2-92A5-FA0A1BAE2362.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Год сдачи: 2009
Вариант 06
Оценка: зачет
Вариант 06
Оценка: зачет
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Другие работы
Биологические методы очистки сточных вод
Elfa254
: 17 марта 2013
Биологические методы применяют для очистки хозяйственно-бытовых и промышленных сточных вод от разнообразных растворенных органических и некоторых неорганических (сероводород, аммиак и др.) соединений. Процесс очистки основан на способности микроорганизмов использовать эти вещества для питания в процессе жизнедеятельности. Известны аэробные и анаэробные методы биологической очистки сточных вод.
Аэробный метод основан на использовании аэробных микроорганизмов, для жизнедеятельности которых необход
Elfa254
: 17 марта 2013
10 руб.
Алгоритмы параллельных процессов при исследовании устойчивости подкрепленных пологих оболочек
alfFRED
: 3 октября 2013
Оглавление
Введение
Глава 1. Математические модели деформирования подкрепленных пологих оболочек при учете различных свойств материала
Глава 2. Традиционные алгоритмы решения задач устойчивости для подкрепленных пологих оболочек
2.1 Программа PologObolochka
Глава 3. Распараллеливание процесса вычисления. Основы, принципы, практическое применение
3.1 Message Passing Interface
3.2 MPICH
3.3 Принципы работы MPICH
3.4 Установка MPICH в Windows
3.5 Настройка MPICH
3.6 Создание общего сетево
alfFRED
: 3 октября 2013
10 руб.
Моделирование бизнес-процессов
Qski
: 27 января 2019
Федеральное агентство связи
Сибирский Государственный Университет Телекоммуникаций и Информатики
Межрегиональный центр переподготовки специалистов
Курсовая работа
По дисциплине: Моделирование бизнес-процессов
Выполнил:
Группа:
Вариант: №3
Проверил: Соловецкий Александр Сер
Qski
: 27 января 2019
350 руб.
Выпускная квалификационная работа. Векторизация подпрограмм линейной алгебры средствами Java JDK 9 Vector API
const30
: 4 августа 2018
Векторизация подпрограмм линейной алгебры средствами Java JDK 9 Vector API
Выпускная квалификационная работа.
Объём работы 73 страницы, на которых размещены 5 рисунков. При написании
работы использовалось 8 источников.
Целью бакалаврской работы было исследование ускорения, получаемого
при использовании интерфейса прикладного программирования Vector API для
реализации алгоритмов линейной алгебры.
В настоящее время существует большое количество задач, решение
которых требует использования значит
const30
: 4 августа 2018
1600 руб.
