Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
-
Категории:
СибГУТИ, Физика. Физика математическая, Работа Контрольная
-
Добавлен:
14.12.2010
-
Размер:
201 KB
-
Покупок:
7
-
Добавил:
DenKnyaz
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
467D767A-DD7D-4EF2-92A5-FA0A1BAE2362.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T .?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Год сдачи: 2009
Вариант 06
Оценка: зачет
Вариант 06
Оценка: зачет
Похожие материалы
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
gerold66
: 22 октября 2009
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы
1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .?
3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
gerold66
: 22 октября 2009
49 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Другие работы
Программное обеспечение инфокоммуникационных систем (часть 1-я). Вариант №3
IT-STUDHELP
: 26 ноября 2021
Задача 1
Изобразить схему алгоритма приема информации о новых вызовах в СКПУ (программ ПСК1 и ПСК2). Привести пример обработки данных в про-цессе приема, используя исходные данные из таблицы 1. Запишите заявки в буфер предварительных заявок (БПЗ) и буфер заявок для обработки новых вызовов (БЗО). Нумерация оконечных устройств начинается с правого нуле-вого разряда в нулевой группе (К=0).
Обозначения в таблице 1:
- СОС1 - слово очередного сканирования один;
- СОС2 - слово очередного сканировани
IT-STUDHELP
: 26 ноября 2021
600 руб.
Патрон плавающий 00.61.000 СБ. Деталирование
HelpStud
: 4 августа 2019
При изготовлении большого количества одинаковых по размерам квадратных отверстий применяют специальные сверла. Предварительно в детали сверлят круглые отверстия, затем круглое отверстие рассверливают до квадратного специальным трехзубом сверлом. В отличие от обычного ось такого сверла при вращении несколько перемещается параллельно самой себе. Цилиндрический конец сверла закрепляется в сменной втулке 3. Втулка 3 вставляется в плавающий стакан 2, в котором втулку и сверло стопорят винтом 8. Плава
HelpStud
: 4 августа 2019
350 руб.
Атомная физика и физика твердого тела
white_lady90
: 8 июня 2009
Шпоры по атомной физике и физике твердого тела......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................
white_lady90
: 8 июня 2009
70 руб.
Стойка. Вариант 14 Соединение сварное ЧЕРТЕЖ
coolns
: 7 апреля 2026
Стойка. Вариант 14 Соединение сварное ЧЕРТЕЖ
СБОРОЧНЫЙ ЧЕРТЕЖ. СОЕДИНЕНИЕ СВАРНОЕ. вариант 14
1. Выполните необходимые количество деталей сварного узла.
2. Постройте чертежи каждой детали согласно стандартам ЕСКД на формате А4(А3) с их аксономитрической проекцией.
3. Собирите сборку сварного узла из деталей.
4. На листе формата А4(А3) получите автоматический чертеж сборки и спецификацию.
5. Проставте габаритные размеры.
6. Проверте полки-выноски от деталей, распологая их на одном уров
coolns
: 7 апреля 2026
200 руб.
