Экзаменационная работа по электронике
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
15.01.2011
-
Размер:
934 KB
-
Покупок:
19
-
Добавил:
nikodum
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
экзамен.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Сдано:декабрь 2010года
Оценка:отлично
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Оценка:отлично
Преподаватель: Игнатов А.Н.
Похожие материалы
Экзаменационная работа по электронике
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
Вопрос №2.
Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Вопрос №3.
- Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа;
- Приведите передаточную и выходные х
Dctjnkbxyj789
: 16 января 2016
70 руб.
Экзаменационная работа по Электронике
Jurgen
: 12 января 2012
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным
Jurgen
: 12 января 2012
170 руб.
Экзаменационная работа по электронике. Билет 14
sanco25
: 6 февраля 2012
1. Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП.
В ПТ управление выходным током происходит под действием электрического поля. У полевых транзисторов со структурой МДП изменение выходного тока происходит за счет изменения концентрации носителей заряда.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определи
sanco25
: 6 февраля 2012
90 руб.
Экзаменационная работа. Электроника.
Entimos
: 16 ноября 2018
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характе
Entimos
: 16 ноября 2018
75 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
rambox360
: 25 января 2016
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
rambox360
: 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
Teuserer
: 18 декабря 2015
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
Teuserer
: 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
pepol
: 16 декабря 2014
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
pepol
: 16 декабря 2014
50 руб.
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.
SybNet
: 14 ноября 2012
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-
SybNet
: 14 ноября 2012
100 руб.
Другие работы
Этнополические конфликты
Slolka
: 1 июля 2013
Введение.
Типологизация конфликтов.
Причины этнополитических конфликтов.
Динамика этнополитических конфликтов.
Заключение. Литература.
Slolka
: 1 июля 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине: Сетевые базы данных. Билет №8
IT-STUDHELP
: 23 октября 2020
Вопрос 8
Команды языка определения данных. Влияние команд данного типа на транзакции. Приведите все команды определения данных, используемые в вашем курсовом проекте.
IT-STUDHELP
: 23 октября 2020
180 руб.
ЗАЧЕТ по дисциплине: Инженерно-технологические дисциплины, Технические средства РС, РВ, ТВ.
teacher-sib
: 1 ноября 2016
1. Преобразователи видеосигналов.
2. Общие принципы построения антенн.
3. Составные части системы звукового вещания.
teacher-sib
: 1 ноября 2016
150 руб.
Сущность рейтинга банков. Виды рейтингов
alfFRED
: 23 ноября 2013
Введение
Достоверная и объективная информация — один из важнейших ресурсов современной экономики. Рейтинги банков, определение и публикацию которых осуществляют независимые рейтинговые агентства, являются неотъемлемым элементом информационной инфраструктуры, обеспечивающим нормальное развитие банковского бизнеса.
Одним из важных факторов в работе банка является его деловая репутация, которая определяет возможность привлечения инвестиций, получения межбанковских кредитов и т. п. Средство измере
alfFRED
: 23 ноября 2013
10 руб.
