Электроника. Экзамен

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 36502E28-6726-4FD3-A89E-3DD44FD3B08D.rar [93 KB]
material.view.file_icon Электроника экз.doc [170 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

СибГУТИ, 2009

Похожие материалы

Электроника экзамен
Электроника экзамен
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User banderas0876 : 15 марта 2020
200 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Gila : 17 января 2019
250 руб.
Электроника. Экзамен.
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.. Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User seka : 11 ноября 2018
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.

Другие работы

Сети ЭВМ и Телекоммуникации» Тема: Проектирование мобильной сети 4G (LTE) Вариант: 5
Задание: Требуется рассчитать количество оборудования (базовые станции, маршрутизаторы, элементы управления сетью, транспортные каналы) для построения сети LTE при заданных параметрах. Методические указания по выполнению проекта: 1) Выберите модель распространения сигнала, отталкиваясь от заданных параметров. Обоснуйте свой выбор. Для нахождения радиуса соты LTE применяются модели, которые предсказывают затухание радиосигнала на определенном расстоянии для самых различных радиоусловий. Это мог
ДО СИБГУТИ Сети ЭВМ и телекоммуникации Работа Контрольная
User Aleksandr20 : 15 февраля 2024
450 руб.
Сети ЭВМ и Телекоммуникации» Тема: Проектирование мобильной сети 4G (LTE) Вариант: 5
Физика (часть 1). Лабораторная №1. Изучение характеристик электростатического поля. Вариант №3
Цель работы 1) Исследовать электростатическое поле 2) Графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для двух конфигураций поля. 3) Оценить величину напряженности электрического поля в трех точках 4) Определить направление силовых линий
ДО СИБГУТИ Физика Работа Лабораторная
User Vladyuwqa : 5 июля 2020
35 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Техническая термодинамика Задача 4 Вариант 15
Определить конечное состояние газа, расширяющегося политропно от начального состояния с параметрами р1, t1 изменение внутренней энергии, количество подведенной теплоты, полученную работу, если задан показатель политропы (n), конечное давление p2. Показать процесс в pυ- и Ts-координатах.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 10 января 2026
150 руб.
Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Техническая термодинамика Задача 4 Вариант 15
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 5.59
В ртути (ρрт=13,6·103 кг/м³) плавает стальной шарик (ρст=7850 кг/м³). Определить, какая часть объема шарика не погружена в ртуть.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 26 сентября 2025
120 руб.
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 5.59
up Наверх