Электроника. Экзамен

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 36502E28-6726-4FD3-A89E-3DD44FD3B08D.rar [ 93 KB ]
material.view.file_icon Электроника экз.doc [ 170 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

СибГУТИ, 2009

Похожие материалы

Электроника экзамен
Электроника экзамен
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Антон28 : 8 августа 2025
500 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User banderas0876 : 15 марта 2020
200 руб.
Электроника. Экзамен.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Gila : 17 января 2019
250 руб.
Электроника. Экзамен.
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры. Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.. Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User seka : 11 ноября 2018
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User DEKABR1973 : 2 декабря 2017
110 руб.

Другие работы

Контрольная работа по дисциплине: Дискретная математика. Вариант №18
Вариант 18 No1 Доказать равенства, используя свойства операций над множествами и определения операций. Проиллюстрировать при помощи диаграмм Эйлера-Венна. а) A\ ((AÇ B)\C) = (A\B) È (AÇ C) б) U2 \ (C ́ D) = (U ́ (U\D)) È ((U\C) ́ U). No2 Даны два конечных множества: А={a,b,c}, B={1,2,3,4}; бинарные отношения P1 Í A ́ B, P2 Í B2. Изобразить P1, P2 графически. Найти P = (P2P1)–1. Выписать области определения и области значений всех трех отношений: P1, P2, Р. Построить матрицу [P2], проверить
СибГУТИ Работа Контрольная Дискретная математика
User IT-STUDHELP : 14 августа 2020
450 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Дискретная математика. Вариант №18 promo
Основы теории относительности
Важнейшими постулатами классической механики, основы которой были заложены Галилеем и Ньютоном, являются принцип изотропности и однородности пространства и времени, три закона Ньютона, а также закон сложения скоростей Галилея. В конце XIX века некоторые выводы классической механики, прежде всего, применяемые к электромагнитному излучению, пришли в резкое противоречие с практикой. Законы Максвелла противоречили закону сложения скоростей Галилея. Чтобы спасти положение, была введена особая среда –
Физика и энергетика Работа
User alfFRED : 12 августа 2013
10 руб.
Разработка технологического процесса изготовления детали вал-шестерня
В процессе работы было выполнено: комплект документов, состоящий из маршрутной, операционной и карт эскизов (10 операций), 10 схем операционных наладок, подобран режущий и мерительный инструмент и в качестве станочного приспособления для сверлильной операции 030 выбрано приспособление зажимное с пневмоприводом.
КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана Технология машиностроения Работа Курсовая
User stepcheg : 20 июня 2019
600 руб.
Разработка технологического процесса изготовления детали вал-шестерня
Учетная политика ООО "Фрегат-Центр"
Содержание Введение 1 Понятие и порядок применения учетной политики 1.1 Понятие учетной политики 1.2 Формирование учетной политики 1.3 Изменение учетной политики 1.4 Раскрытие учетной политики 2 Анализ и оценка учетной политики ООО «Фрегат-Центр» 2.1 Организационно-экономическая характеристика ООО «Фрегат-Центр» 2.2 Организация бухгалтерского учета и отчетности на предприятии 2.3 Анализ и оценка учетной политики предприятия Заключение Список используемой литературы Введение Под организацией б
Рефераты Бухгалтерский учет и аудит
User DocentMark : 9 ноября 2012
up Наверх