Электроника. Экзамен
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
16.03.2011
-
Размер:
93 KB
-
Покупок:
10
-
Добавил:
syberiangod
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Электроника экз.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах,
выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
СибГУТИ, 2009
Похожие материалы
500 руб.
Электроника. Экзамен.
banderas0876
: 15 марта 2020
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и
banderas0876
: 15 марта 2020
200 руб.
Экзамен. Электроника
lisii
: 21 марта 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом
lisii
: 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приве
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
90 руб.
Электроника. Экзамен.
Gila
: 17 января 2019
Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характер
Gila
: 17 января 2019
250 руб.
Электроника. Экзамен.
seka
: 11 ноября 2018
Вопрос 1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.
Вопрос 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики..
Вопрос 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите
seka
: 11 ноября 2018
90 руб.
Экзамен Электроника
andreyan
: 7 февраля 2018
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные харак
andreyan
: 7 февраля 2018
63 руб.
Экзамен . Электроника
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как опреде
DEKABR1973
: 2 декабря 2017
110 руб.
Другие работы
Кадровая политика в организации
alfFRED
: 22 октября 2013
1. Понятие кадровой политики........................................................................... 2
2. Критерии оценки кадровой политики............................................................ 8
3. Совершенствование кадровой политики....................................................... 9
Список литературы........................................................................................... 12
Кадровая политика в организации
1. Понятие кадровой политики
Реализация целе
alfFRED
: 22 октября 2013
10 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Программное обеспечение инфокоммуникационных технологий Билет № 5
Sunshine
: 21 мая 2019
Билет № 5
1. Стек протоколов TCP/IP. Отличие от модели OSI
2. Маршрутизация в Linux
3. Осуществить перехват TCP пакетов с GET запросом
Sunshine
: 21 мая 2019
100 руб.
Монтаж одноэтажного промышленного здания. Механосборочный цех
Aronitue9
: 17 марта 2012
Введение.
Объемно - планировочное решение.
Технологический процесс механосборочного цеха.
Конструктивные решения.
Конструктивная схема здания.
Фундаменты.Колонны.
В нашей стране должен произойти скачек технического прогресса, а для этого нужно обеспечить развитие производств и средств производства. Которые обеспечивают техническое перевооружение и развитие всех других отраслей промышленности. Промышленным строительством называют область строительства, занимающуюся созданием основных фондов про
Aronitue9
: 17 марта 2012
48 руб.
Финансовая математика. Контрольная работа. 1-й вариант. 10 задач.
studypro
: 5 марта 2016
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА
ВАРИАНТ 1.
1. В условиях выпуска сертификата номиналом 2350 руб. предусмотрены выкупные суммы в зависимости от срока : за 5 лет – 5150 руб., за 9 лет 9900 руб. Определить уровни годовых сложных ставок процента для указанных сумм наращения.
2. Сложная вексельная ставка равна 7 %. Определить значения эквивалентных вексельных ставок, если срок учета векселя составляет :
1) 270 дней,
2) 2,3 года.
При краткосрочной операции рассмотреть варианты с одинаковыми и различными време
studypro
: 5 марта 2016
100 руб.
