Контрольная работа по предмету: Устройство оптоэлектроники

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon кр оптика.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

заочно ускоренное отделение;
вариант-48;зачет;
решения 4 задач...
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

Дополнительная информация

07.05.2011;«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»; Проверил: Игнатов А.Н.;зачет;вариант-48;4 задачи по варианту;заочно ускоренное отделение;
Контрольная работа по предмету: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №5
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
User falling666 : 27 февраля 2016
50 руб.
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприемника – лавинный фотодиод. Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Исходные данные для решения задачи: Тип ПП материала - Ge; Квантовая эффективность, η = 0,2; Ширина запрещенной зоны ΔW = 0,6 эВ. Задача No 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного по
User PiterBlood : 28 декабря 2014
200 руб.
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
Контрольная работа №1 по предмету: «Устройства оптоэлектроники»
Задача No1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника Задача No2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные: Таблица 2 Вариант - 1 Тип ПП материала - Si
User ннааттаа : 1 сентября 2017
300 руб.
Контрольная работа №1 по предмету: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант и тип фотоприемника Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице Вариант Ти
User te86 : 22 ноября 2013
60 руб.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
3 вариант Цель работы Познакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона. Основные теоретические сведения Расчетная формула для удельного заряда электрона принимает вид: (9) Краткие теоретические сведения. Магнетроном называется электровакуумное устройство, в котором движение электронов происходит во взаимно перпендикулярных электрическом и магнитном
User sergunya_c : 12 сентября 2009
Производственный менеджмент. Контрольная работа. Вариант №7.
Оглавление Задание на контрольную работу 3 1. Сравнительный анализ АТС с различным типом коммутационного оборудования 4 2. Применяемые способы построения ГТС 4 3. Технико-экономический расчет по проекту наиболее конкурентоспособной АТС 6 4. Технико-экономический расчет 9 4. 1. Определение объема линейных сооружений проектируемой АТС 9 4.2. Определение капитальных затрат на строительство и ввод в эксплуатацию проектируемой АТС 10 4.3. Расчет годовых затрат на эксплуатацию вводимого оборудования 1
User mirsan : 2 марта 2016
250 руб.
Контрольная работа №2 по дисциплине: Спутниковые и радиорелейные системы передачи. Вариант №06
Контрольная работа №2 Разработка схемы организации связи на цифровой РРЛ По дисциплине: Спутниковые и радиорелейные системы передачи. Вариант №06 Число организуемых каналов ТЧ N = 80; Протяжённость пролета R = 32 км; Число пролетов на ЦРРЛ l = 2; Вид модуляции ЧМ; Коэффициенты усиления передающей и приемной антенн G = 30 дБ; КПД фидерных трактов передачи и приема ; Частота передачи f = 11300 МГц; Мощность сигнала на выходе передатчика Рпд = 0,1 Вт; Шум-фактор приемника n = 4 дБ; Множитель ослаб
User radist24 : 14 июня 2013
100 руб.
Совершенствование технологии технического обслуживания №1 подвижного состава ООО "Малыклинский Агороснаб" Ульяновской области
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ……………………………………………………………………… 1 АНАЛИЗ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ХОЗЯЙСТВА……………………………..….. 1.1 Характеристика хозяйства………………………………………………….. 1.2 Структура хозяйства…………………………………………..…………….. 1.3 Структура и состав автопарка………………………………………………. 1.4 Анализ использования автомобильного парка……………………………... 1.5 Анализ структуры и состава водителей…………………………………….. 1.6 Характеристика производственно-технической базы……………………… 1.7 Организация ТО и ТР………………………………………………………… 1.8 Структура и состав ремонтн
User Рики-Тики-Та : 8 декабря 2015
825 руб.
up Наверх