Контрольная работа по предмету: Устройство оптоэлектроники

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon кр оптика.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

заочно ускоренное отделение;
вариант-48;зачет;
решения 4 задач...
Задача No 1
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
Задача No 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Задача No3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора.
Задача No 4
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.

Дополнительная информация

07.05.2011;«Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики»; Проверил: Игнатов А.Н.;зачет;вариант-48;4 задачи по варианту;заочно ускоренное отделение;
Контрольная работа по предмету: «Устройства оптоэлектроники». Вариант №5
Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника.
User falling666 : 27 февраля 2016
50 руб.
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
Задача No 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Тип фотоприемника – лавинный фотодиод. Задача No 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувстви-тельность приемника. Исходные данные для решения задачи: Тип ПП материала - Ge; Квантовая эффективность, η = 0,2; Ширина запрещенной зоны ΔW = 0,6 эВ. Задача No 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного по
User PiterBlood : 28 декабря 2014
200 руб.
Контрольная работа по предмету "Устройство оптоэлектроники", Вариант 04.
Контрольная работа №1 по предмету: «Устройства оптоэлектроники»
Задача No1: Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника Задача No2: Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней . Исходные данные: Таблица 2 Вариант - 1 Тип ПП материала - Si
User ннааттаа : 1 сентября 2017
300 руб.
Контрольная работа №1 по предмету: Устройства оптоэлектроники. Вариант №1
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант и тип фотоприемника Вариант Тип фотоприемника (ФП) 1 Фотодиод со структурой р-i-n Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Исходные данные для решения задачи приведены в таблице Вариант Ти
User te86 : 22 ноября 2013
60 руб.
Устройства оптоэлектроники
1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. 2. Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. 3. Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и состояния выходов дешифратора
User alru : 22 сентября 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа
User arkadij : 9 марта 2016
100 руб.
Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ гр. тип ПП материала SI квантовая эфективность 0,7 Ширина запрещен-ной зоны W, эВ 1,12
User arkadij : 13 февраля 2016
500 руб.
Устройства оптоэлектроники
Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Закон Снеллиуса. Раздел Излучатели. 2.Вольт-амперная характеристика светоизлучающих диодов использующих различные полупроводниковые материалы. Раздел «Фотоприемные приборы и устройства» 3.Устройство и принцип действия фотодиодов с p-i-n структурой. Раздел «Применение оптоэлектронных приборов и устройств». 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронного цифрового ключа.
User alyonka249 : 25 декабря 2015
70 руб.
Изучение состояния земной поверхности локального земельного участка при осуществлении мониторинга земель
Содержание Введение 1. Цели 2. Исходные данные 3. Поэтапное содержание работы 4. Проектирование плановой и высотной геодезических сетей 5. Плановая и высотная геодезическая сеть 5.1 Априорная оценка точности. Общие положения 5.2 Плановая геодезическая сеть 5.2.1 Априорная оценка точности геодезической сети 5.2.2 Выбор прибора 5.3 Высотная геодезическая сеть 5.4 Систематизация результатов работы 6. Моделирование и определение параметров движения локального участка земной поверхности при ведении м
User kotnv : 28 ноября 2020
500 руб.
Плита ГР20.020320.000. Вариант №20
Плита ГР20.020320.000 . Вариант 20 Выполнить сборочный чертеж и спецификацию соединения разъемного. Детали. 1 – Основание. Материал – Сталь 10 ГОСТ 1050-88. 2 – Накладка. 3 – Вставка. 4 – Пластина. Стандартные крепежные изделия. Болт М10….. ГОСТ 7805-70. Винт М6 ….. ГОСТ 1491-80. Шпилька М8 …. ГОСТ 22033-76. Гайка …. ГОСТ 5927-70. Шайба …. ГОСТ 11371-78. Шайба …. ГОСТ 6402-70. 3d модель и сборочный чертеж + спецификация (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе
User lepris : 4 февраля 2022
170 руб.
Плита ГР20.020320.000. Вариант №20
Методы чистовой обработки наружных цилиндрических поверхностей
ВГКПТЭиС. Дисциплина "Технология машиностроения". 12 слайдов. Тонкое алмазное точение. Шлифование. Основные схемы круглого наружного шлифования. Схемы наружного безцентрового шлифования. Шлифование гибкой лентой. Шлифование на жестких опорах. Тонкое шлифование.
User GnobYTEL : 4 декабря 2011
5 руб.
Компрессор КТ-6-1-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
Компрессор КТ-6-1-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
500 руб.
Компрессор КТ-6-1-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
up Наверх