Стратегия развития информационных технологий в промышленности

Цена:
11 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon 1.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 4
1 CALS-ТЕХНОЛОГИИ
2 СТАНДАРТЫ ИНФОРМАЦИОННОЙ ПОДДЕРЖКИ ЖЦИ  9 
3 СОДЕРЖАНИЕ ОСНОВНЫХ ЭТАПОВ ЖЦИ ДЛЯ ИЗДЕЛИЙ 12
3.1 Маркетинговые исследования 12
3.2 Проектирование и подготовка производства 13
 3.3 Управления проектными данными     17
 3.4 Управления цепочками поставок 17
3.5 Управления данными в интегрированном информационном пространстве
3.6 АСУП и АСУТП 18
3.7 Эксплуатация, обслуживание, утилизация 20
4 СТРАТЕГИЯ РАЗВИТИЯ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ В ПРОМЫШЛЕННОСТИ 23
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 32
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 33
Последнее десятилетие характеризовалось широкой компьютеризацией всех видов деятельности человечества: от традиционных интеллектуальных задач научного характера до автоматизации производственной, торговой, коммерческой, банковской и других видов деятельности. В условиях рыночной экономики конкурентную борьбу успешно выдерживают только предприятия, применяющие в своей деятельности современные информационные технологии (ИТ).
Именно ИТ, наряду с прогрессивными технологиями материального производства, позволяют существенно повышать производительность труда и качество продукции и в то же время значительно сокращать сроки постановки на производство новых изделий, отвечающих запросам и ожиданиям потребителей. Все сказанное в первую очередь относится к сложной наукоемкой продукции, в том числе к продукции военно-технического назначения.
Опыт, накопленный в процессе внедрения разнообразных автономных информационных систем, позволил осознать необходимость интеграции различных ИТ в единый комплекс, базирующийся на создании в рамках предприятия или группы предприятий (виртуального предприятия) интегрированной информационной среды (ИИС), поддерживающей все этапы жизненного цикла (ЖЦ) выпускаемой продукции.
Современное состояние и перспективы развития токсикологии отравляющих и аварийных химически опасных веществ
Введение Мы живем в мире химического окружения. В настоящее время человечеством синтезировано около 7 миллионов химических веществ, 60-70 тыс. из этого количества находится в ближайшем соприкосновении с человеком. Многие используются в быту в виде пищевых добавок (5.550 наименований), препаратов бытовой химии, косметических средств и др. Химические соединения относятся к постоянно действующим на организм человека факторам внешней среды. Между внешним химическим окружением и химическим составом о
User Lokard : 9 марта 2014
10 руб.
Контрольная работа: Менеджемент.
Задания студентом выполняются индивидуально. Каждое из заданий оценивается в баллах. Для получения зачета необходимо в каждом модуле набрать не менее 60% от максимальной суммы баллов. Оценка работы: Максимальная оценка заданий (в баллах) Сумма №1 №2 №3 №4 Модуль 1 4 3 3 5 15 Модуль 2 7 8 - - 15 МОДУЛЬ 1 Задание №1 max 4 оценка Прочитайте приведенные ниже высказывания. Выберете те высказывания, которые, по вашему мнению, соответствуют роли ведущего на совещании: Выберите один или н
User cOC41NE : 6 ноября 2022
190 руб.
Ответы на вопросы допуска к лабораторной работе по дисциплине: Направляющие системы электросвязи
[Вопрос 1] Каковы погонные потери в первом окне прозрачности? 1=0,2 дБ/км 2=0,4 дБ/км 3=0,8 дБ/км 4=2 дБ/км 5=3 дБ/км [Вопрос 2] Каковы погонные потери во втором окне прозрачности? 1=0,1 дБ/км 2=0,2 дБ/км 3=0,4 дБ/км 4=3 дБ/км 5=4 дБ/км [Вопрос 3] Каковы погонные потери в третьем окне прозрачности? 1=0,1 дБ/км 2=0,2 дБ/км 3=2 дБ/км 4=3 дБ/км 5=5 дБ/км [Вопрос 4] Чем обусловлено затухание сигналов в волоконном световоде? 1=неконцентричностью 2=Рэлеевским рассеянием света и поглощением энергии
User ДО Сибгути : 10 февраля 2016
50 руб.
promo
Экзамен по предмету "Электроника"
Экзаменационная работа по электронике I. Эквивалентные схемы полевых транзисторов II. 1. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
User Елена22 : 23 октября 2013
250 руб.
promo
up Наверх