Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon F751C2E3-9CF6-4A26-9044-7E5EE114C745.rar [ 113 KB ]
material.view.file_icon Физика л.р. №4.doc [ 211 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,

Дополнительная информация

Коментарии: Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 12.12.2009
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша лабораторная работа 3 проверена. Задание выполнено правильно, полученный результат соответствует справочным данным.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович

Похожие материалы

Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Вариант 09 Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Физика Работа
User Саша78 : 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.

Другие работы

Расчет защиты от электромагнитных полей
Национальный минерально-сырьевой университет "Горный" г. Санкт-Петербург 2012 Расчет защиты от электромагнитных полей и 6 теоретических вопросов. Условие задачи. Для безопасной эксплуатации оборудования с электромагнитными полями следует: рассчитать границу зон индукции и излучения; определить безопасное расстояние до источника излучения; вычислить напряжённость электрического и электромагнитного полей или плотность потока энергии на заданном расстоянии от источника и сравнить результат с нормат
Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User elementpio : 8 октября 2012
20 руб.
Муфта дисковая фрикционная
Муфта дисковая фрикционная Устройство и работа муфты. Дисковая фрикционная муфта служит для включения механизма лебедки бурового станка. Она включается на ходу и передает вращающий момент с ведущего вала механизма на ведомый. На шпонке ведущего вала станка насажен основной диск 1; шпонка зафиксирована двумя винтами 12 (вал и шпонка в комплект сборочной единицы не входят, и рабочие чертежи на них не даны; на сборочном чертеже их следует показать как пограничные детали).В зацеплении с диском 1
ВГУ Инженерная и компьютерная графика Практические занятия и отчеты
User lepris : 28 мая 2022
500 руб.
Муфта дисковая фрикционная promo
Арифметическое кодирование
Введение (сравнение). Общая модель. Описание алгоритма. Идея адаптивного алгоритма. Анализ алгоритма. Заключение. Литература.
******* Не известно Интернет-технологии Работа Курсовая
User evelin : 23 июля 2015
75 руб.
«Основы аудита». Зачет. Вариант № 3
ВАРИАНТ № 3 1. Укажите правильный ответ: Требования стандарта «Аудиторская выборка» при восстановлении бухгалтерского учета аудитором. 1. Носят обязательный характер 2. Носят рекомендательный характер 3. Не должны соблюдаться 4. Соблюдаются при восстановлении автоматизированного учета 5. Закрепляются в договоре на проведение аудита 2. Укажите верный ответ: Стандарты, являющиеся интеллектуальной собственностью и коммерческой тайной: 1. Международные 2. Национальные 3. Внутрифирменные 4. Унифици
СибГУТИ Бухгалтерский учет и аудит Работа Зачетная
User xtrail : 4 апреля 2013
77 руб.
up Наверх