Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
08.01.2012
-
Размер:
113 KB
-
Покупок:
4
-
Добавил:
den245
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Физика л.р. №4.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
Дополнительная информация
Коментарии: Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 12.12.2009
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша лабораторная работа 3 проверена. Задание выполнено правильно, полученный результат соответствует справочным данным.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (2 сем.)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 12.12.2009
Рецензия:Уважаемый ..., Ваша лабораторная работа 3 проверена. Задание выполнено правильно, полученный результат соответствует справочным данным.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
Организационное поведение (Ответы на тест СИНЕРГИЯ / МТИ / МОИ)
AnastasyaM
: 3 августа 2024
Ответы на тест Организационное поведение - СИНЕРГИЯ, МОИ, МТИ.
Результат сдачи - 87-100 баллов.
Дата сдачи свежая, 2024 год.
Вопросы к тесту:
Внешние факторы среды, такие как политические факторы, социальные факторы, научно-технический прогресс, – называются …
социальным факторами
факторами среды косвенного воздействия
факторами среды прямого воздействия
Внешние факторы среды, такие как поставщики, потребители, конкуренты, – называются …
факторами среды косвенного воздействия
факторами с
AnastasyaM
: 3 августа 2024
250 руб.
Лабораторная работа №2 по дисциплине "Физика"
BuKToP89
: 25 декабря 2012
Работа 4.1. “Определение удельного заряда электрона методом магнетрона”
Цель работы:
Познакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона.
Контрольные вопросы:
1. Что такое магнетрон и как он работает?
2. Изобразите направление электрического и магнитного полей в магнетроне и траектории движения электронов.
3. Какие силы действуют на электрон в магнетроне? Укажите направление сил, действующ
BuKToP89
: 25 декабря 2012
100 руб.
Системы поддержки принятия решений, Контрольная работа, Исторический обзор проблемы принятия решений в условиях риска
Светлана59
: 31 марта 2023
Исторический обзор проблемы принятия решений в условиях риска
1.1 Понятие риска
1.2 Зарубежная историография теории принятия решений в условиях риска
1.3 Отечественная историография теории принятия решений в условиях риска
Светлана59
: 31 марта 2023
280 руб.
ЖБК каркасного здания
Рики-Тики-Та
: 4 июня 2012
1. Компоновка конструктивной схемы сборного перекрытия
1.1 Расчёт и конструирование многопустотной предварительно напряжённой плиты перекрытия
1.1.1 Исходные данные
1.1.2 Расчёт плиты по предельным состояниям первой группы
1.1.3 Расчёт плиты по предельным состояниям второй группы
1.2 Расчёт и конструирование однопролётного ригеля
1.2.1 Исходные данные
1.2.2 Определение усилий в ригеле
1.2.4 Расчёт прочности ригеля по сечению, наклонному к продольной оси
1.2.5 Построение эпюры материалов
1.3 Расч
Рики-Тики-Та
: 4 июня 2012
55 руб.
