Экзаменационная работа по Электронике

Цена:
170 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 57A68C19-DE4D-4984-BEB2-8CA3C1090FF0.rar [221 KB]
material.view.file_icon Экзамен по Электронике.doc [327 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».

1.Фотоэлектрические приборы. Устройство. Принцип действия. Характеристики и параметры.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.

3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Дополнительная информация

год сдачи 2011г
Хорошо

Похожие материалы

Экзаменационная работа по электронике
Вопрос №1.Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. Вопрос №2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. Вопрос №3. - Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа; - Приведите передаточную и выходные х
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User Dctjnkbxyj789 : 16 января 2016
70 руб.
Экзаменационная работа по электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и канал
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User nikodum : 15 января 2011
150 руб.
Экзаменационная работа по электронике. Билет 14
1. Принцип действия полевого транзистора со структурой МДП. В ПТ управление выходным током происходит под действием электрического поля. У полевых транзисторов со структурой МДП изменение выходного тока происходит за счет изменения концентрации носителей заряда. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определи
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User sanco25 : 6 февраля 2012
90 руб.
Экзаменационная работа. Электроника.
1.Жидкокристаллические индикаторы. Устройство. Принцип действия. Основные параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характе
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Entimos : 16 ноября 2018
75 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и п
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User rambox360 : 25 января 2016
100 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ). 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Teuserer : 18 декабря 2015
50 руб.
Экзаменационная работа. Электроника
1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзис
******* Не известно Электроника Работа Экзаменационная
User pepol : 16 декабря 2014
50 руб.
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр.
Экзаменационная работа по Электронике, билет №12, 4 семестр. 1. Полевые транзисторы. Устройство. Типы. Режимы работы. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с индуцированным каналом n-
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User SybNet : 14 ноября 2012
100 руб.

Другие работы

Контрольная работа по дисциплине: Теория телетрафика. Вариант №***
Контрольная работа Задачи: Задание No1. На однолинейную СМО (V=1) поступает простейший поток вызовов с параметром "λ" = 41 выз/час. Вызовы обслуживаются с ожиданием. Время обслуживания вызовов распределено: а) показательно со средним значением h=80 c; модель обслуживания М/М/1; б) постоянно с h=t; модель обслуживания М/Д/1. Допустимое время ожидания начала обслуживания tд – 160 с. Определить: - для моделей М/М/1 и М/Д/1функцию распределения времени ожидания начала обслуживания - P(γ>t); - сре
СибГУТИ Теория телетрафика Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 4 мая 2023
600 руб.
promo
Теплотехника Задача 12.17
Определите термический к.п.д. обратимого цикла Карно, совершаемого при температурах горячего и холодного источников тепла 1000 ºС и 370 ºС.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 9 февраля 2026
120 руб.
Теплотехника Задача 12.17
Технико-экономический проект развития ГТС
Курсовая работа по дисциплине: Менеджмент в телекоммуникациях 5 семестр 7 вариант Содержание Задание на курсовую работу для варианта 7 2 1. Сравнительный анализ АТС с различным типом коммутационного оборудования 3 2. Применяемые способы построения ГТС 3 3. Технико-экономический расчет по проекту наиболее конкурентоспособной АТС 5 4. Технико-экономический расчет 8 4.1. Определение объема линейных сооружений проектируемой АТС 8 4.2. Определение капитальных затрат на ст
Менеджмент СибГУТИ Работа Курсовая
User gerold66 : 22 января 2011
250 руб.
Разработка системы самостоятельной работы на уроках производственного обучения
ОГЛАВЛЕНИЕ ВВЕДЕНИЕ…………………………………………………………………………..3 1. Роль самостоятельной работы для развития познавательной активности учащихся……………………………………………….………………………6 2. Виды и формы самостоятельной работы. …………………………………..10 3. Методическое обеспечение самостоятельной работы. ……………………..16 4. Технология обучения с использованием системы самостоятельной работы по теме «Плоскостная разметка». ……………………………………………23 4.1. Технологическая карта урока. ……………………………………..….23 4.2. Методические рекомендации к
МГПУ Работа Курсовая Педагогика
User alextsalko74 : 10 сентября 2012
up Наверх