Экзаменационная работа по дисциплине "Электроника"
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом р-типа. составьте таблицу истинности. приведите пример передаточной характеристики. объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
1.Статические характеристики полевого транзистора.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом р-типа. составьте таблицу истинности. приведите пример передаточной характеристики. объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Дополнительная информация
Год сдачи: 2011
Семестр 3
Вариант 2
Оценка: хорошо
Семестр 3
Вариант 2
Оценка: хорошо
Похожие материалы
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника
snrudenko
: 31 января 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную
100 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника
natin83
: 31 января 2015
1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиал
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине «Электроника»
nataliykokoreva
: 2 апреля 2013
1. Свойства р-n перехода при прямом включении.
2. Сумматор на основе ОУ.
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине «Электроника»
kisa7
: 21 июля 2012
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель 3
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики 6
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ
с индуцированным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристи
100 руб.
Экзаменационная работа По дисциплине: «Электроника» 15
Jerryamantipe03
: 19 мая 2021
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Устройство сдвига уровней и эмиттерный повторитель.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
индуцированным каналом p-типа.
При
150 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. Билет №1
holm4enko87
: 3 декабря 2024
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с об
300 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. Билет №6
xtrail
: 22 июля 2024
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характеристики (ОУ).
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и
400 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Электроника. Билет №17
SibGOODy
: 22 июля 2023
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
350 руб.
Другие работы
Контрольная работа №1. Дискретная математика. Вариант №10
alli_2410
: 16 февраля 2016
1. Задано универсальное множество U и множества A, B, C, D.
Найти результаты действий a) - д) и каждое действие проиллюстрировать с помощью диаграммы Эйлера-Венна.
U = { 1, 3, 5, 7, 9 } A = { 1, 3, 9 } B = { 5, 7, 9 } C = { 4, 5 } D = { 9 }
а) ; б) ; в) ; г) ; д) .
2. Ввести необходимые элементарные высказывания и записать логической формулой следующее предложение.
“Если студент не получил все зачёты или не сдал все экзамены, то он не получает стипендию”.
3. Для булевой функции найти методом пр
40 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Культура речи и деловое общение.
freelancer
: 10 апреля 2016
Анализ текста на присутствие психологических, логических, лингвистических оснований агональной риторики:
В качестве анализа взяты фрагменты речи Дмитрия Анатольевича Медведева из различных интервью
70 руб.
Теплотехника Задача 3.131 Вариант 33
Z24
: 20 июля 2026
Произвести расчет термодинамических параметров газовой смеси, совершающей изобарное расширение до объема V2, если известны начальная температура t1, начальное давление р1 и масса смеси m.
Определить: газовую постоянную и кажущуюся молекулярную массу, начальный объем V1, основные параметры в конечном состоянии, изменение внутренней энергии, энтальпии, энтропии, теплоту и работу расширения в процессе 1-2.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблицах 1, 2.
При определении моляр
350 руб.
Анализ термодинамики процессов раскисления и оптимизация технологии внепечной обработки рельсовой стали
Рики-Тики-Та
: 6 июля 2012
Целью выполненной работы являлась развитие физико-химических
основ процессов раскисления рельсовой стали комплексными
раскислителями, анализ взаимодействия металлического расплава с
огнеупорными материалами и шлаками, проведение лабораторных и
промышленных исследований с применением современных методов –
фракционного газового анализа, количественной металлографии и
растровой электронной микроскопии и разработка технологии внепечной
обработки рельсовой стали, позволяющей получать металл сравнимый
55 руб.