О структурной "памяти" аморфного полистирола

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon О структурной памяти аморфного полистирола.rtf
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Эксперименты по рассеянию рентгеновского излучения или нейтронов разбавленными растворами «меченых» цепочек в протонированном полимере идентичной природы, а также результаты «машинного» моделирования концентрационной зависимости конформационных характеристик гибкоцепных полимеров в хороших и плохих растворителях в целом согласуются с представлением о том, что независимо от термодинамического качества растворителя макромолекулы сохраняют конформацию гауссового клубка, несмотря на их перекрывание после достижения критической концентрации, и приобретают невозмущенные размеры при переходе в блочное состояние. Иначе говоря, после полного удаления растворителя должна восстанавливаться макроструктура (на уровне клубков) и микроструктура (на уровне сегментов) исходного блочного полимера. С этим выводом, однако, не согласуются результаты исследования спин-спиновой релаксации протонов в расплаве ПЭ [1], судя по которым в образце, полученном из раствора, исходная структура расплава не восстанавливается даже после длительной (более 5 сут) выдержки при 425 К.
Измерения реологических [2, 3] и термодинамических [4] характеристик аморфного ПС показали, что различия абсолютных значений вязкости, энергии активации вязкого течения Е и сжимаемости расплава исходного ПС и образца, полученного из хорошего растворителя, сохраняются после многочасовой выдержки при 463 К. Перечисленные данные указывают на возможность изменения локальной структуры расплава полимера (предположительно за счет изменения структуры сетки зацеплений) путем предварительного растворения в растворителях различного термодинамического качества и последующего их полного удаления из полимера. В данном сообщении сделана попытка оценить влияние описанных способов приготовления образцов на структурно-чувствительные характеристики ПС в широком диапазоне температур, включающем область существования расплава, область перехода из высокоэластического в стеклообразное состояние и область стеклообразного состояния.
Лабораторная работа по предмету: "Организация ЭВМ". Изучение основ программирования на языке ассемблера.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 1 ИЗУЧЕНИЕ ОСНОВ ПРОГРАММИРОВАНИЯ НА ЯЗЫКЕ АССЕМБЛЕРА 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ Практическое освоение составления простейших программ на языке Ассемблера и работы с программами TASM и TLINK. 2. РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА 2.1. Абель П. Язык Ассемблера для IBM PC и программирования /Пер. c англ.- М.:Высш.шк., 1992.с 51-75. 2.2. Уокерли Дж. Архитектура и программирование микро-ЭВМ: В 2-х книгах. Пер. с англ.-М.: Мир, 1984.-Кн. 2. с 215-284. 2.3. Белецкий Я. Энциклопедия язык
User xtrail : 8 апреля 2013
150 руб.
Основы криптографии. Работа курсовая. Вариант №08.
В архиве набор файлов, которые необходимо отправлять комплектом. Тема: Доказательства с нулевым знанием Задание: Выполнить компьютерную реализацию протокола «Задачи о нахождении гамильтонова цикла в графе», используя пример 6.2 (стр. 124 лекций). Номер варианта Z равен последней цифре номера пароля. Параметры, выбираемые по варианту Z: 1) Случайную нумерацию вершин, используемую в алгоритме (изначально в примере она равна 7 4 5 3 1 2 8 6), необходимо изменить по формуле ((a+Z)mod 9), где a – это
User SemenovSam : 6 июня 2017
390 руб.
Контрольная работа по дисциплине: « Устройства оптоэлектроники». 5-й вариант
Задача № 1. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант Тип фотоприемника (ФП) 05 Фотодиод - транзистор Фотоприемные приборы, использующие транзисторные структуры с возможностью усиления фототока, называются фототранзисторами. В простейшем фототранзисторе (рисунок 1) оптическое излучение попадает в рабочую область структуры - базу. Здесь обеспечивается генерация фотоносителей,
User 1309nikola : 12 марта 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: « Устройства оптоэлектроники». 5-й вариант
Лабораторная работа №3 по предмету «Использование ЭВМ в исследовании элементов оборудования систем передачи»
Лабораторная работа №3 ПО ПРЕДМЕТУ «Использование ЭВМ в исследовании элементов оборудования систем передачи» ЧАСТОТНЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ 1.Собираем схему Исследовать зависимость напряжения на резисторе от частоты сигнала. Результаты записать в таблицу: Частота f (КГц) 0.1 1 10 100 1000 U (B) 0.00063 0.0063 0.0634 0.536 0.988 В соответствии с таблицей построить график амплитудно-частотной характеристики.
User merkuchev : 13 марта 2013
100 руб.
up Наверх