Экзамен по курсу "Электроника"

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 3D82E091-9882-4DBE-9C0E-432650EC82FC.rar [110 KB]
material.view.file_icon Экзамен Электроника.doc [Office 2010, 10 стр., 179 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов.

2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.

Похожие материалы

Экзамен по курсу «Электроника».
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ, с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User lebed-e-va : 30 марта 2015
140 руб.
Экзамен по курсу: Электроника
1.Эквивалентные схемы полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики
СибГУТИ Билеты экзаменационные Электроника
User naXer22 : 1 июля 2014
100 руб.
Экзамен по курсу «Электроника» Билет №17
Экзамен по курсу «Электроника» Билет №17 1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведи
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User tchestr : 18 января 2013
60 руб.
Дистанционное обучение. 2-й курс. 1-й семестр. «Электроника». Экзамен.
Экзамен. 1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и по
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User 1231233 : 22 марта 2010
23 руб.

Другие работы

Теплотехника КГАУ 2015 Задача 1 Вариант 15
Углекислый газ из начального состояния с параметрами р1 и t1 изотермически сжимается до давления р2, а затем изохорно охлаждается до температуры t3. Определить параметры состояния во всех остальных точках процессов и показать эти процессы в р,v и T,s–диаграммах. Вычислить также величины работы, теплоты, изменения внутренней энергии и энтропии в каждом процессе.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 5 февраля 2026
250 руб.
Теплотехника КГАУ 2015 Задача 1 Вариант 15
Декларации и цели восточной политики Анкары
Распад Советского Союза привел к изменению геополитического положения Турции, которой до этого западные союзники традиционно отводили в основном роль регионального форпоста против гипотетической “советской угрозы”. Вероятность этой угрозы значительно снизилась, и на историческую арену вышел целый ряд на тот момент политически не определившихся постсоветских государств. Если западные страны первостепенное внимание уделили в то время новым республикам, расположенным в Европе, то Турция, почувствов
Рефераты Политология
User Elfa254 : 20 марта 2013
10 руб.
Лабораторная работа №5. По дисциплине Структуры и алгоритмы обработки данных. МТУСИ. 2022
Лабораторная работа №5. По дисциплине Структуры и алгоритмы обработки данных. МТУСИ. 2022 Содержание 1 Задание на лабораторную работу 3 2 Ход работы 3 2.1 Код алгоритма 3 2.2 Результат работы алгоритма 5 2.3 Зависимость времени построения от глубины фрактала 6 Список использованных источников 7 Задание на лабораторную работу Реализовать генерацию кривой Серпинского с применением рекурсивных функций. Добавить возможность задания глубины фрактала. Оценить глубину фрактала. Построить таблицу зав
МТУСИ Работа Лабораторная Структуры и алгоритмы обработки данных
User DiKey : 29 марта 2023
150 руб.
Лабораторная работа №5. По дисциплине Структуры и алгоритмы обработки данных. МТУСИ. 2022
Корпус. Задание 66. Вариант 9
Корпус. Задание 66. Вариант 9 Задание 66. Вариант 9. Корпус По приведенным изображениям детали построить вид сверху и выполнить необходимые разрезы. Чертеж и 3д модель (все на скриншотах изображено) выполнены в AutoCAD 2013 возможно открыть с 2013 по 2022 и выше версиях. Также открывать и просматривать чертежи и 3D-модели, выполненные в AutoCAD-е можно просмоторщиком DWG TrueView 2022. Помогу с другими вариантами.Пишите в Л/С.
Начертательная геометрия и инженерная графика БГТУ Работа Контрольная
User lepris : 17 октября 2022
150 руб.
Корпус. Задание 66. Вариант 9
up Наверх