Экзамен по электронике. Билет 3.

Цена:
90 руб.

Состав работы

material.view.file_icon FB4B02A3-3554-48A3-AC3B-DDE29AC4CC0C.rar [55 KB]
material.view.file_icon Экзамен по электронике. группа СДТ.doc [Office 2010, 7 стр., 99 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем.
2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ.

При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться упрощенными моделями — макромоделями.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка: Хорошо
Дата оценки: 26.01.2010

Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Экзамен. Билет № 3. Электроника
.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выхо
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Ирина47 : 2 мая 2015
30 руб.
Экзамен по электронике
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User ZhmurovaUlia : 11 июня 2017
140 руб.
Экзамен по электронике
Экзамен по электронике.
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Структурные схемы и поколения ОУ. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. П
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User albanec174 : 9 апреля 2013
70 руб.
Экзамен по электронике Билет 9.
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выхо
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Deamon : 12 марта 2011
250 руб.
Экзамен, Электроника , Билет №13, 3 семестр, 8 вариант
Билет №13 1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзистор
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User Andreas74 : 12 ноября 2018
180 руб.
Экзамен, Электроника , Билет №13, 3 семестр, 8 вариант
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом
Экология и защита окружающей среды Работа Экзаменационная
User lisii : 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1. Параметры полевого транзистора. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приве
СибГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User AlexBrookman : 3 февраля 2019
90 руб.
Экзамен Электроника
1. Аналоговые ключи на транзисторах. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные харак
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Экзаменационная
User andreyan : 7 февраля 2018
63 руб.

Другие работы

Вал. Вариант 8 ЧЕРТЕЖ t-flex
Вал. Вариант 8 ЧЕРТЕЖ t-flex Начертить главный вид вала, взяв направление взгляда по стрелке А Выполнить три сечения. Сечение плоскостью А расположить на продолжении следа секущей плоскости, сечение плоскостью Б - на свободном месте чертежа, сечение плоскостью В - в проекционной связи. Чертеж и 3d модель (часть показана на скриншотах и присутствует в архиве) выполнены в T-FLEX CAD 16 Учебная Версия. ВОЗМОЖНО ОТКРЫТЬ И ВЫШЕ ВЕРСИЯХ T-FLEX CAD. Также открывать и просматривать чертежи и 3D-модел
БелГУТ Чертежи Инженерная и компьютерная графика
User coolns : 15 декабря 2024
200 руб.
Вал. Вариант 8 ЧЕРТЕЖ t-flex
Теплотехника Задача 27.24 Вариант 98
Определите поверхность нагрева рекуперативного теплообменного аппарата с противоточным движением теплоносителей. Греющий теплоноситель – дымовые газы с начальной температурой t′г и конечной t″г; нагреваемый теплоноситель – вода с начальной температурой t′в, конечной — t″в, расход воды Gв. Коэффициент теплоотдачи от газов к стенке αг, от стенки трубы к воде — αв. Теплообменник выполнен из стальных труб (коэффициент теплопроводности λ=50 Вт/(м·ºС) с наружным диаметром d=50 мм и толщиной стенки δ=4
Задачи Теплотехника
User Z24 : 12 февраля 2026
250 руб.
Теплотехника Задача 27.24 Вариант 98
Лабораторная работа №5. Структуры и алгоритмы обработки данных
Порядок выполнения работы: Написать программу “Телефонный справочник”, которая обрабатывает данные об абонентах телефонной станции. Каждый абонент имеет имя, адрес, телефонный номер. В программе описать массив абонентов (назовем его справочник). В справочнике должно быть не менее 20 элементов, которые заполняются либо программно, либо считываются из файла. С помощью индексов и фильтров (номер задания выбирается по последней цифре шифра) – упорядочить справочник по телефонному номеру по убывани
СибГУТИ Программирование
User tanzor : 8 июля 2014
10 руб.
Гидромеханика ПетрГУ 2014 Задача 4 Вариант 05
При ламинарном режиме движения жидкости по горизонтальному трубопроводу диаметром d расход жидкости равен Q (рис. 4). Падение пьезометрической высоты на участке трубопровода длиной l составляет h. Определить кинематическую ν и динамическую μ вязкости жидкости.
Задачи Гидравлика
User Z24 : 9 марта 2026
200 руб.
Гидромеханика ПетрГУ 2014 Задача 4 Вариант 05
up Наверх