Экзамен по электронике. Билет 3.
-
Категории:
СибГУТИ, Электроника, Работа Экзаменационная
-
Добавлен:
01.02.2012
-
Размер:
55 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
sanco25
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Экзамен по электронике. группа СДТ.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем.
2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ.
При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться упрощенными моделями — макромоделями.
В полупроводниковых приборах могут протекать дрейфовый и диффузионный токи. Дрейфовым называется ток, обусловленный электрическим полем.
2. Неинвертирующий масштабный усилитель на ОУ.
При использовании высококачественных ОУ свойства функциональных узлов зависят от параметров внешних цепей, подключенных к ОУ, и практически не зависят от параметров элементов внутри ОУ. Эта особенность позволяет при проектировании, устройств на ОУ пользоваться упрощенными моделями — макромоделями.
Дополнительная информация
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка: Хорошо
Дата оценки: 26.01.2010
Игнатов Александр Николаевич
Оценена Ваша работа по предмету: Электроника
Вид работы: Экзамен
Оценка: Хорошо
Дата оценки: 26.01.2010
Игнатов Александр Николаевич
Похожие материалы
Экзамен. Билет № 3. Электроника
Ирина47
: 2 мая 2015
.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выхо
Ирина47
: 2 мая 2015
30 руб.
Экзамен по электронике
ZhmurovaUlia
: 11 июня 2017
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по
ZhmurovaUlia
: 11 июня 2017
140 руб.
Экзамен по электронике.
albanec174
: 9 апреля 2013
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1.Структурные схемы и поколения ОУ.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным каналом p-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
П
albanec174
: 9 апреля 2013
70 руб.
Экзамен по электронике Билет 9.
Deamon
: 12 марта 2011
1.Дифференциальные усилители на биполярных и полевых транзисторах.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выхо
Deamon
: 12 марта 2011
250 руб.
Экзамен, Электроника , Билет №13, 3 семестр, 8 вариант
Andreas74
: 12 ноября 2018
Билет №13
1.Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП
транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзистор
Andreas74
: 12 ноября 2018
180 руб.
Экзамен. Электроника
lisii
: 21 марта 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Эксплуатационные параметры биполярных и полевых транзисторов.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2ИЛИ-НЕ на МДП
транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом
транзисторе с p-n переходом и каналом
lisii
: 21 марта 2019
65 руб.
Экзамен. Электроника
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника».
1. Параметры полевого транзистора.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности.
Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером.
Приве
AlexBrookman
: 3 февраля 2019
90 руб.
Экзамен Электроника
andreyan
: 7 февраля 2018
1. Аналоговые ключи на транзисторах.
2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
ТТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид входной и передаточной
характеристик. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните,
какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной
характеристики.
3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном
транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером.
Приведите входные и выходные харак
andreyan
: 7 февраля 2018
63 руб.
Другие работы
Лабораторная работа по программированию № 4. Вариант № 0
Despite
: 14 мая 2015
Лаб № 4: Написать программу, которая выводит на экран изображение заданного графического объекта (с соблюдением заданной цветовой гаммы).
Despite
: 14 мая 2015
60 руб.
Сетевые базы данных. Курсовая работа. Вариант №6.
Cole82
: 5 февраля 2017
Общая часть задания:
Создать две таблицы, имеющие уникальные поля и первичные ключи. Таблицы должны быть связаны с помощью внешнего ключа.
Для одной из таблиц разработать триггер для обеспечения дополнительных действий при изменение данных таблицы (см. свой вариант задания).
Создать представление для связанных таблиц, которое позволяет вывести только часть полей и часть строк таблиц.
Создать пакет PL/SQL, содержащий процедуру начального заполнения таблиц данными (по 5-7 записей в таблице) и пр
Cole82
: 5 февраля 2017
111 руб.
Чертежи-Графическая часть-Курсовая работа-Установка буровая БУ-3000, Патентно-информационный обзор, Перфоратор кумулятивный, Деталировка
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 5 мая 2016
Кумулятивная перфорация осуществляется стреляющими перфораторами, не имеющими пуль или снарядов. Прострел преграды достигается за счет сфокусированного взрыва. Такая фокусировка обусловлена конической формой поверхности заряда ВВ, облицованной тонким металлическим покрытием (листовая медь толщиной 0,6 мм). Энергия взрыва в виде тонкого пучка газов - продуктов облицовки пробивает канал. Кумулятивная струя приобретает скорость в головной части до 6 - 8 км/с и создает давление на преграду до 0,15 -
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 5 мая 2016
696 руб.
Физика (часть 1-я). Лабораторная работа 1. Изучение характеристик электростатического поля. Вариант 1
rmn77
: 7 апреля 2018
Лабораторная работа № 1
«Изучение характеристик электростатического поля»
Исходные данные:
Вариант 1
Координаты первой точки: x=7 см, y=4 см;
Координаты второй точки: x=10 см, y=4 см;
Координаты третьей точки: x=13 см, y=4 см.
Цель работы:
1. Изобразить графически сечение эквипотенциальных поверхностей электростатического поля, созданного заданной конфигурацией электрических зарядов
2. Используя изображение эквипотенциальных поверхностей, построить силовые линии электростатического поля заданн
rmn77
: 7 апреля 2018
225 руб.
