Разработка интегрального аналогового устройства. Вариант № 23

Цена:
80 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 5806F470-DD3D-41F3-8AF5-DBBFFCCE8986.rar [ 271 KB ]
material.view.file_icon Курсовой проект .doc [ 679 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОГО АНАЛОГОВОГО УСТРОЙСТВА

1. Разработка структурной схемы.
2. Разработка принципиальной схемы.
3. Расчет амплитудно-частотной характеристики
4. Разработка интегральной микросхемы.
Вывод
ЛИТЕРАТУРА

СибГУТИ 2012г. Оценка: Хорошо
Из недочетов: не точно рассчитаны значения Ku и AЧХ

Дополнительная информация

Оценка: Хорошо

Похожие материалы

Разработка интегрального аналогового устройства
Вариант №10; По указанию преподавателя напряжение питание принимаю равным 10В, так как это максимально допустимое напряжение для полевого транзистора 2П201А. UПИТ = -10 В; Коэффициент усиления по напряжению KU = 8 раз; Входное сопротивление RВХ = 0,33 МОм; Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм; Номинальное напряжение UНОМ = 2 В; Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц; Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц; Коэффициент частотных искажений на нижней частоте MН = 1 дБ; Коэффициент частотных искажений на верх
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Mikhasolodovnik : 11 февраля 2019
1000 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Введение 4 1. Разработка структурной схемы 7 2. Разработка принципиальной схемы 8 3. Разработка интегральной микросхемы 10 3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 10 4. Расчёт первого каскада на VT1 13 5. Расчёт ёмкостей СР1, СК, СР2, СР3. 14 6. Расчет АЧХ. 15 7. Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов 16 8. Этапы изготовления ГИМС 21 Литература 24
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Adam : 26 сентября 2017
300 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Разработка интегрального аналогового устройства
Исходные данные: 1. Напряжение источника питания - Uпит = +15 В. 2. Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 13. 3. Входное сопротивление - Rвх = 2,7 МОм. 4. Сопротивление нагрузки - Rн = 2 кОм. 5. Номинальное входное напряжение - Uном = 3 В. 6. Нижняя рабочая частота (НРЧ) - fн = 300 Гц. 7. Верхняя рабочая частота (ВРЧ) - fв = 3,4 кГц. 8. Коэффициент частотных искажений на НРЧ - Мн =3 дБ. 9. Коэффициент частотных искажений на ВРЧ - Мв =3 дБ. 10. Тип входа - Н. 11. Тип выхода - С.
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Эрик4 : 9 апреля 2017
200 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Разработка интегрального аналогового устройства
Исходные данные курсовой работы: Напряжение источника питания U_пит=-12 В; Коэффициент усиления по напряжению K_u=8; Входное сопротивление R_вх=0,33 МОм; Сопротивление нагрузки R_Н=2кОм; Номинальное выходное напряжение U_ном=2 В; Нижняя рабочая частота f_н=50 Гц; Верхняя рабочая частота f_в=10 кГц; Частотные искажения (НЧ) М_н=1 дБ; Частотные искажения (ВЧ) М_в=1 дБ; Тип входа – несимметричный; Тип выхода – несимметричный.
******* Не известно Электроника Работа Курсовая
User Dctjnkbxyj789 : 16 января 2016
100 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 02 1. Напряжение источника питания UПИТ = + 9 В. 2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6. 3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм. 4. Выходное сопротивление: RН = 1,0 кОм. 5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В. 6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц. 7. Верхняя рабочая частота: FВ
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User nik5590585 : 22 января 2015
360 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Содержание Техническое задание…………………………………………………………….3 Введение………………………………………………………………………….4 1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5 2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7 3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9 4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12 4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов…………………………………………….……....12
СибГУТИ Электроника Работа Курсовая
User Amor : 10 июня 2013
150 руб.
promo
Разработка интегрального аналогового устройства
Содержание Техническое задание………………………………………………………………….2 Введение………………………………………………………………………………3 1.Разработка структурной схемы……………………………………………………5 2.Разработка принципиальной схемы………………………………………………6 2.1 Электрический расчет…………………………………………………………….7 2.2. Расчет элементов определяющих АЧХ………………………………………..11 3.Разработка интегральной схемы………………………………………………….15 4.Этапы изготовления ГИМС……………………………………………………….18 Заключение…………………………………………………………………………..20 Литература…………………………………………………………………………...2
******* Не известно Схемотехника Работа Курсовая
User paandreevna : 28 февраля 2012
50 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Разработка интегрального аналогового устройства
Курсовая работа сдана на "4" Вариант 06 Содержание: Техническое задание…………………………………………………… Введение………………………………………………………………..... 1. Разработка структурной схемы…………………………………… 2. Разработка принципиальной схемы....……………………………. 3. Разработка интегральной микросхемы…………………………... 3.1. Электрический расчет…………………………………………….. 3.2. Расчёт элементов определяющие АЧХ………………………... 4. Разработка интегральной микросхемы…………………………... 5 Этапы изготовления устройства в виде гибридной Интегральной микросхемы……
Схемотехника СибГУТИ Работа Курсовая
User paandreevna : 28 февраля 2012
50 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства

Другие работы

Теплотехника СФУ 2017 Задача 3 Вариант 48
По стальной трубе, внутренний и внешний диаметр которой соответственно d1 и d2, а коэффициент теплопроводности λ = 40 Вт/(м·К), течёт газ со средней температурой t1. Коэффициент теплоотдачи от газа к стенке α1. Снаружи труба охлаждается водой с температурой t2. Коэффициент теплоотдачи от стенки к воде α2. Определить коэффициент теплопередачи К от газа к воде, тепловой поток на один метр длины трубы ql и температуры поверхностей трубы. Ответить на вопрос. При каких значениях d2/d1 (близких
Задачи
User Z24 : 30 декабря 2026
150 руб.
Теплотехника СФУ 2017 Задача 3 Вариант 48
Федор Степун и большевистское имяславие
Имяславие как течение русской мысли возникает в начале ХХ века. Эти идеи принадлежат весьма давней восточно-христианской традиции — достаточно назвать трактат Дионисия Ареопагита (Псевдо-Дионисия) «О божественных именах» (между 485 и 515 годами), а также поддержанное на Византийском соборе 1351 года положение Григория Паламы об имени Божием как Божественной энергии. Но меня интересует в данном случае не анализ традиции, а бытование имяславческих идей в конкретной российской культурной ситуации.
Рефераты Литература
User evelin : 13 декабря 2012
Зачетный тест по дисциплине: Инженерная графика. Вариант №7.
Зачетный тест Вариант 7 1. Какой октант обычно используют при построении? • Первый • Второй • Третий • Четвертый 2. Какая точка расположена ближе к П1? 3. Определить точку, наиболее удаленную от профильной плоскости проекций. Точки заданы координатами X,Y,Z: А (55,20,45); В (5,25,15); С (45,25,0); D (45,30,30). 4. Укажите отрезок прямой общего положения. а) б) в) г) 5. Какая из прямых называется – фронтально проецирующей? А) Б) В) 6.
ДО СИБГУТИ Работа Зачетная Инженерная графика
User teacher-sib : 28 марта 2019
300 руб.
promo
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 5 Вариант 28
Определение плотности лучистого теплового потока между двумя параллельным плоскими стенками Определить плотность лучистого теплового потока между двумя, параллельно расположенными, плоскими стенками, имеющими температуры t1, ºС и t2, ºС, а степени черноты поверхностей соответственно равны ε1 и ε2. Как изменится интенсивность теплообмена при наличии между стенками экрана, со степенями черноты с обеих сторон εэк = 0,025. Условия теплообмена считать стационарными. Теплопроводностью и конвектив
Задачи Теплотехника
User Z24 : 4 февраля 2026
250 руб.
Тепломассообмен ТГАСУ 2017 Задача 5 Вариант 28
up Наверх