Лабораторная работа № 2 “Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе” по предмету «Схемотехника».

Цена:
350 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 6071851C-3BD3-4668-9941-F6700EA49BC2.zip [ 756 KB ]
material.view.file_icon Лаб.РАБ2 СХЕМОТЕХ.doc [ 887 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1 Цель работы

Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усиления на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).

2 Подготовка к работе

2.1. Изучить следующие вопросы курса:
- цепи питания полевого транзистора;
- назначение элементов принципиальной схемы резисторного каскада на полевом транзисторе;
- принцип действия простой параллельной высокочастотной коррекции индуктивностью;
- площадь усиления: определение и методика измерения по АЧХ;
- принцип действия низкочастотной коррекции;
- переходные характеристики и искажения в широкополосном усилителе;
- влияние цепей коррекции на переходные характеристики в области малых и больших времен.

Дополнительная информация

Проверил: Архипов С Н ,2012

Похожие материалы

Лабораторная работа № 2 “Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе” по предмету «Схемотехника».
Лабораторная работа №2. «Исследование резисторного каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе» 1. Цель работы: исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики. С2, нФ 10 С4, пФ 200
Схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User albanec174 : 11 января 2013
60 руб.
Схемотехника
Задача 1 В каскаде ОЭ (рис. 1) используется транзистор, с известными параметрами h11э , h12э, h21э, h22э. Для конкретных значений элементов схемы: Rк, Rн, Rг, Rэ найти коэффициент усиления по напряжению и по току, входное и выходное сопротивление усилителя. Исходные данные выбираются по таблице 1, в соответствии с последней цифрой зачетной книжки. Задача 2 Рассчитать схемы двухтактного бестрансформаторного оконечного каскада (рис. 2), работающего в режиме АВ, если известны: требуемая мощност
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Контрольная
User Ира6 : 4 июня 2019
300 руб.
Схемотехника
Задача No1 Произвести подключение внешнего светодиода в соответствии с данными таблицы 1 параметры указаны в таблице 3. Исходные данные: Таблица 2. Произвести со светодиодом действие, указанное в таблице 2 9 вариант Плавное изменение яркости с помощью ШИМ 9 вариант Светодиод 3мм СИНИЙ 6Кд угол 30o, суперяркий IF=10mA Up=3.0-3.4V Задача 2 Пользуясь данными задачи 1, выполнить подключения кнопки к схеме, разработать программу, в которой при нажатии кнопки светодиод светится, при отключении кнопки-
Схемотехника Работа Контрольная
User romanenko1234 : 28 февраля 2018
600 руб.
Схемотехника
Схемотехника
В каскаде ОЭ (рис. 1) используется транзистор, с известными параметрами h11э, h12э, h21э, h22э. Для конкретных значений элементов схемы: Rк, Rн, Rг, Rэ найти коэффициент усиления по напряжению и по току, входное и выходное сопротивление усилителя. Исходные данные выбираются по таблице 1, в соответствии с последней цифрой зачетной книжки.
Схемотехника СибГУТИ Работа Курсовая
User liza131992 : 30 ноября 2014
190 руб.
Основы схемотехники
ОСНОВЫ СХЕМОТЕХНИКИ ЗАДАЧА 1 В каскаде ОЭ (рис. 1) используется транзистор, с известными параметрами h11э , h12э, h21э, h22э. Для конкретных значений элементов схемы: Rк, Rн, Rг, Rэ найти коэффициент усиления по напряжению и по току, входное и выходное сопротивление усилителя. Исходные данные выбираются по таблице 1, в соответствии с последней цифрой зачетной книжки. Исходные данные: Последняя цифра зачетки h11э Ом h12э h21э h22э мкСм Rк кОм Rн кОм Rг кОм Rэ кОм 2 900 4,0⋅10-4 52 90 5,3 14 1,
******* Не известно Основы схемотехники Работа Контрольная
User Ingoy : 19 января 2019
250 руб.
Задача по схемотехнике
Для дифференциатора, имеющего С=0,1 мкФ, вычислить RK, R и СK, при которых максимальная частота дифференцируемого сигнала будет равна 20 кГц, а К=1000. Решение Так как К=R/RK, сначала следует выбрать R или RK. Положим R=100 кОм, тогда RK=R/К = 100 кОм/1000 = 100 Ом. Минимальная частота дифференцируемого сигнала равна Она не превышает максимальную частоту дифференцируемого сигнала Значит R выбрано верно.
Задачи ******* Не известно Электроника
User ilya01071980 : 11 января 2016
100 руб.
Основы схемотехники
. лаб.2 вар.13 семестр 3 Лабораторная работа № 2 ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗИСТОРНОГО КАСКАДА ШИРОКОПОЛОСНОГО УСИЛИТЕЛЯ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ 1. Цель работы Исследовать влияние элементов схемы каскада широкополосного усилителя на полевом транзисторе с общим истоком на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Исследуемая схема
Схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User nataliykokoreva : 17 ноября 2013
50 руб.
Основы схемотехники
Лабораторная работа No 1 по Основам схемотехники “Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе” 1. Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). 2. Исходные данные: транзистор типа KT 3102А с параметрами: h21э = 200, Ск = 10 пФ, fh21э = 1,5 МГц, rб¢ ¢ б = 120 Ом; напряжение источника питания E0 = 15В, ток покоя транзистора iк0
Схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User nataliykokoreva : 17 ноября 2013
50 руб.

Другие работы

Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физика Вариант №2
Изучение характеристик электростатического поля Цель работы: 1. Изобразить графически сечение эквипотенциальных поверхностей электростатического поля, созданного заданной конфигурацией электрических зарядов 2. Используя изображение эквипотенциальных поверхностей, построить силовые линии электростатического поля заданной конфигурации зарядов. 3. При помощи полученной картины силовых и эквипотенциальных линий проверить справедливость формулы связи напряжённости электрического поля с его потенциал
Физика ЛПК Лысьвенский политехнический колледж Работа Лабораторная
User mdmatrix : 10 апреля 2020
150 руб.
Поверхность 2Д
Выполнить: чертеж детали. Возможно открыть с 2013 по 2022 версиях и выше Просьба по всем вопросам писать в Л/С.Варианты могут быть изменены.
Тюменский Индустриальный Университет Черчение и компьютерная графика Чертежи
User Yammbx : 16 декабря 2022
20 руб.
Поверхность 2Д
Зачет. Билет №7.Алгебра и Геометрия Вариант №5
Билет № 7 1. Прямая линия на плоскости. Различные виды уравнений прямой. 2. Решить матричное уравнение . 3. Даны векторы Найти . 4. Даны координаты вершин пирамиды A(7;2;-1), B(0;4;-1), C(8;-7;2), D(5;-5;5). Найти координаты точки пересечения плоскости ABC с высотой пирамиды, опущенной из вершины D на эту плоскость. 5. Привести к каноническому виду уравнение кривой второго порядка, построить кривую, найти фокусное расстояние и эксцентриситет
СибГУТИ Алгебра и геометрия Работа Зачетная
User ianis85 : 11 мая 2015
350 руб.
Бесфлюсовая пайка сталей в парах цинка
1. Цель работы Цель работы – изучить технологию контейнерной пайки сталей в восстановительной атмосфере в парах цинка. 2. Материалы и оборудование Требуются следующие материалы и оборудование: Материалы: 1. Образцы из стали Ст3. 2. Фольга из меди М1. 3. Навеска цинка (чда) в гранулах. 4. Древесно-угольный карбюризатор. 5. Песок. 6. Ацетон технический. 7. Вата техническая. 8. Наждачная бумага (средней зернистости). Оборудование: 1. Штангенциркуль. 2. Пинцет. 3. Струбцина для сборки образцов. 4
Сварочное производство и сварочные процессы Работа Лабораторная
User Решатель : 1 октября 2024
750 руб.
Бесфлюсовая пайка сталей в парах цинка
up Наверх