Курсовая работа по дисциплине "Электроника". Вариант 08

Курсовая работа по дисциплине «Электроника» Вариант 08
Введение Преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем (ИМС) вполне очевидны: - уменьшение габаритов и веса аппаратуры; - повышенная надежность; - автоматизация производства. Также стоит отметить несколько ключевых особенностей ИМС: Первая – главная особенность ИС как электронного прибора состоит в том, что она самостоятельно выполняет законченную, часто весьма сложную функцию, тогда как элементарные электронные приборы выполняют аналогичную функцию только в купе с другими компонентами. Второй важной особенностью ИС является то, что повышение функциональной сложности этого прибора по сравнению с элементарными не сопровождается ухудшением какого-либо из основных показателей (надежность, стоимость и т. п.). Третья особенность ИС состоит в том, что стоимость ИС при прочих равных условиях близка к стоимости одного транзистора. Значит, в зависимости от степени интеграции (или, точнее, от плотности упаковки), стоимость одного элемента ИС по сравнению со стоимостью аналогичного дискретного компонента может быть в сотни раз меньше. Четвертая особенность ИС связана с тем, что смежные элементы расположены друг от друга на расстоянии всего 50 – 100 мкм. На таких малых расстояниях различие электрофизических свойств материала маловероятно, а следовательно, маловероятен и значительный разброс параметров у смежных элементов. Выводы о проделанной работе. В результате выполнения курсовой работы были изучены принципы и особенность работы полупроводниковых приборов, аналоговых и цифровых функциональных узлов и устройств. Изучена структура и конструкция интегральных микросхем, а также получены сведения о технологических процессах проектирования, применяемых при производстве гибридных интегральных микросхемах. В ходе выполнения работы был выполнен электрический расчет цифровой схемы, оценены потенциалы в точках указанных на схеме, рассчитана мощность, рассеиваемая на резисторах и мощности потребляемой всей схемой. При разработке топологии были проведены: - выбор материала для пленочных резисторов; - расчет размеров всех резисторов; - выбор материала для проводников и контактных площадок; - расчет площади, занимаемой активными и пассивными элементами схемы; - определение и выбор размеров подложки; - составление топологического чертежа.

СибГУТИ, 2009, Отлично