Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание.
Введение......................................................................................... 2
Методы защиты р-п-переходов полупроводниковых кристаллов и пластин. 7
Защита поверхности p-n-переходов лаками и эмалями.............. 8
Эпоскидные смолы....................................................................... 13
Компаунды на основе эпоксидных смол...................................... 19
Защита поверхности p-n-переходов вазелином и цеолитами.. 27
Защита p-n-переходов плёнками окислов металлов................. 29
Защита поверхности p-n-переходов плёнками нитрида кремния. 32
Защита p-n-переходов легкоплавкими стеклами....................... 37
Защита поверхности p-n-переходов силанированием............... 42
Защита поверхности р-п-переходов окислением....................... 44
Очистка полупроводниковых приборов перед герметизацией. 50
Состояние и свойства поверхности полупроводников............. 52
Методы очистки поверхности полупроводника....................... 54
Химическая и электролитическая отмывка полупроводников. 55
Отмывка в кислотах и щелочах................................................. 59
Отмывка во фреонах................................................................. 60
Отмывка водой........................................................................... 62
Отмывка в ультразвуковых ваннах............................................ 64
Определение чистоты поверхности.......................................... 68
Контроль качества промывки............................................... 73
Сушка деталей........................................................................... 74
Контроль герметичности полупроводниковых приборов. 76
Описание технологического процесса.................................. 78
Список используемой литературы...................................... 82
Введение......................................................................................... 2
Методы защиты р-п-переходов полупроводниковых кристаллов и пластин. 7
Защита поверхности p-n-переходов лаками и эмалями.............. 8
Эпоскидные смолы....................................................................... 13
Компаунды на основе эпоксидных смол...................................... 19
Защита поверхности p-n-переходов вазелином и цеолитами.. 27
Защита p-n-переходов плёнками окислов металлов................. 29
Защита поверхности p-n-переходов плёнками нитрида кремния. 32
Защита p-n-переходов легкоплавкими стеклами....................... 37
Защита поверхности p-n-переходов силанированием............... 42
Защита поверхности р-п-переходов окислением....................... 44
Очистка полупроводниковых приборов перед герметизацией. 50
Состояние и свойства поверхности полупроводников............. 52
Методы очистки поверхности полупроводника....................... 54
Химическая и электролитическая отмывка полупроводников. 55
Отмывка в кислотах и щелочах................................................. 59
Отмывка во фреонах................................................................. 60
Отмывка водой........................................................................... 62
Отмывка в ультразвуковых ваннах............................................ 64
Определение чистоты поверхности.......................................... 68
Контроль качества промывки............................................... 73
Сушка деталей........................................................................... 74
Контроль герметичности полупроводниковых приборов. 76
Описание технологического процесса.................................. 78
Список используемой литературы...................................... 82
Другие работы
Аппарат направляющий ЭЦН-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
nakonechnyy.1992@list.ru
: 28 июля 2016
Аппарат направляющий ЭЦН-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
190 руб.
Экзамен по математическому анализу. 1-й курс. Билет № 13
Despite
: 14 января 2013
1. Непрерывность функции в точке, на интервале. Точки разрыва функции и их классификация.
2. Формула Тейлора для функции одного переменного.
3. Вычислить предел lim (tgx) в степени 2x-п .
4. Исследовать на экстремум функцию: z=4x2-8xy+8y2+12x-3.
5. Найти интеграл 3 корень квадратный из lnx/x dx
6. Вычислить интеграл dx/1+корень квадратный x
7. Исследовать сходимость интеграла xe в степени -x dx
8. Найти площадь фигуры, ограниченной линиями y=lnx; x=2; y=0
100 руб.
Расчет бульдозера на основе трактора Т-500 (курсовой проект по дисциплине «Машины для земляных работ»)
Abibok
: 10 июня 2021
Оглавление
Введение 3
1. Назначение, общее устройство и принцип работы бульдозера на основе
трактора Т-500 4
2. Техническая характеристика базового трактора Т-500 15
4. Тяговый расчет бульдозера 20
5. Расчет производительности бульдозера 23
6. Расчет и подбор гидроцилиндров подъема отвала
7. Расчёт на прочность толкающего бруса 27
Заключение 31
Список использованной литературы 32
1. Назначение, общее устройство и принцип работы бульдозера на
основе трактора Т-500
590 руб.
Планирование на предприятии. Экзамен.Тест.
Lelia555
: 3 декабря 2016
Перечень вопросов к экзамену по дисциплине «Планирование на предприятии» включает 19 вопросов и возможных вариантов ответов на них
Вам необходимо занести в следующую таблицу ответ (ответы) на вопросы.
1 На основании какой информации принимается решение о снятии изделия с выпуска?
a. снижение рентабельности и конкурентоспособности товара;
b. появление у конкурентов новой модификации данного товара;
c. товары-конкуренты имеют более низкую цену;
d. высокая себестоимость производства данного товар
100 руб.