Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание.
Введение......................................................................................... 2
Методы защиты р-п-переходов полупроводниковых кристаллов и пластин. 7
Защита поверхности p-n-переходов лаками и эмалями.............. 8
Эпоскидные смолы....................................................................... 13
Компаунды на основе эпоксидных смол...................................... 19
Защита поверхности p-n-переходов вазелином и цеолитами.. 27
Защита p-n-переходов плёнками окислов металлов................. 29
Защита поверхности p-n-переходов плёнками нитрида кремния. 32
Защита p-n-переходов легкоплавкими стеклами....................... 37
Защита поверхности p-n-переходов силанированием............... 42
Защита поверхности р-п-переходов окислением....................... 44
Очистка полупроводниковых приборов перед герметизацией. 50
Состояние и свойства поверхности полупроводников............. 52
Методы очистки поверхности полупроводника....................... 54
Химическая и электролитическая отмывка полупроводников. 55
Отмывка в кислотах и щелочах................................................. 59
Отмывка во фреонах................................................................. 60
Отмывка водой........................................................................... 62
Отмывка в ультразвуковых ваннах............................................ 64
Определение чистоты поверхности.......................................... 68
Контроль качества промывки............................................... 73
Сушка деталей........................................................................... 74
Контроль герметичности полупроводниковых приборов. 76
Описание технологического процесса.................................. 78
Список используемой литературы...................................... 82
Введение......................................................................................... 2
Методы защиты р-п-переходов полупроводниковых кристаллов и пластин. 7
Защита поверхности p-n-переходов лаками и эмалями.............. 8
Эпоскидные смолы....................................................................... 13
Компаунды на основе эпоксидных смол...................................... 19
Защита поверхности p-n-переходов вазелином и цеолитами.. 27
Защита p-n-переходов плёнками окислов металлов................. 29
Защита поверхности p-n-переходов плёнками нитрида кремния. 32
Защита p-n-переходов легкоплавкими стеклами....................... 37
Защита поверхности p-n-переходов силанированием............... 42
Защита поверхности р-п-переходов окислением....................... 44
Очистка полупроводниковых приборов перед герметизацией. 50
Состояние и свойства поверхности полупроводников............. 52
Методы очистки поверхности полупроводника....................... 54
Химическая и электролитическая отмывка полупроводников. 55
Отмывка в кислотах и щелочах................................................. 59
Отмывка во фреонах................................................................. 60
Отмывка водой........................................................................... 62
Отмывка в ультразвуковых ваннах............................................ 64
Определение чистоты поверхности.......................................... 68
Контроль качества промывки............................................... 73
Сушка деталей........................................................................... 74
Контроль герметичности полупроводниковых приборов. 76
Описание технологического процесса.................................. 78
Список используемой литературы...................................... 82
Другие работы
Чертеж. общий вид крана на базе зила
mikhakuzmin
: 4 марта 2015
чертеж общего вида крана, на базе зил 133.
чертеж кинематическая схема крана
чертеж механизма подъёма
Теория вероятности и математическая статистика (2-я часть) . Вариант №3
IT-STUDHELP
: 18 ноября 2021
Лекция 1 Лекция 2 Лекция 3 Лекция 4
Вариант 3 7, 12, 28 3, 4 3 3
Задача 1 (соответствует номеру 7)
7. В партии из 20 изделий 4 бракованных. Найти вероятность того, что в выборке из 5 изделий не более одного бракованного.
Задача 2 (соответствует номеру 12)
12. Двое шахматистов равной силы играют 4 партии. Найти вероятность, что победил первый, если известно, что каждый выиграл хоть один раз.
Задача 3 (соответствует номеру 28)
28. Фирма нарушает закон с вероятностью 0,25. Аудитор обнаружива
500 руб.
Готовые ответы на 100 вопросов по теории + 50 практических заданий для ИМЭС (40.03.01 Юриспруденция, профиль „Юриспруденция“)
Sanni
: 23 мая 2026
Готовые ответы на вопросы по теории + практика ГИА для ИМЭС (юриспруденция).
* Изложены кратко, по существу, без воды.
* Актуальные источники законодательной и нормативно-правовой базы.
* Структурированные ответы: тезис - норма права - примеры - вывод.
* Практические задания: ответ со ссылками на актуальные НПА и судебную практику + вывод.
!!! Перед приобретением материала рекомендуется сверить вопросы с Вашей программой. Подходя ли они именно Вам!!!
Теория государства и права
1470 руб.
Проект фундамента под одноэтажное промышленное здание
Lokard
: 8 июня 2016
Общая часть.
Исходные данные.
Определение прочностных и деформативных характеристик грунтов.
Составление сочетаний нагрузок и выбор их для расчета.
Сочетания нагрузок.
Кратковременные нагрузки.
Расчет фундамента на естественном основании.
Определение глубины заложения подошвы фундамента.
Определение размеров подошвы фундамента при одновременном действии момента, нормальных и поперечных сил.
Расчет осадок фундаментов методом послойного элементарного суммирования.
Расчет затухания осадки фундамент
75 руб.