Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание.
Введение......................................................................................... 2
Методы защиты р-п-переходов полупроводниковых кристаллов и пластин. 7
Защита поверхности p-n-переходов лаками и эмалями.............. 8
Эпоскидные смолы....................................................................... 13
Компаунды на основе эпоксидных смол...................................... 19
Защита поверхности p-n-переходов вазелином и цеолитами.. 27
Защита p-n-переходов плёнками окислов металлов................. 29
Защита поверхности p-n-переходов плёнками нитрида кремния. 32
Защита p-n-переходов легкоплавкими стеклами....................... 37
Защита поверхности p-n-переходов силанированием............... 42
Защита поверхности р-п-переходов окислением....................... 44
Очистка полупроводниковых приборов перед герметизацией. 50
Состояние и свойства поверхности полупроводников............. 52
Методы очистки поверхности полупроводника....................... 54
Химическая и электролитическая отмывка полупроводников. 55
Отмывка в кислотах и щелочах................................................. 59
Отмывка во фреонах................................................................. 60
Отмывка водой........................................................................... 62
Отмывка в ультразвуковых ваннах............................................ 64
Определение чистоты поверхности.......................................... 68
Контроль качества промывки............................................... 73
Сушка деталей........................................................................... 74
Контроль герметичности полупроводниковых приборов. 76
Описание технологического процесса.................................. 78
Список используемой литературы...................................... 82
Введение......................................................................................... 2
Методы защиты р-п-переходов полупроводниковых кристаллов и пластин. 7
Защита поверхности p-n-переходов лаками и эмалями.............. 8
Эпоскидные смолы....................................................................... 13
Компаунды на основе эпоксидных смол...................................... 19
Защита поверхности p-n-переходов вазелином и цеолитами.. 27
Защита p-n-переходов плёнками окислов металлов................. 29
Защита поверхности p-n-переходов плёнками нитрида кремния. 32
Защита p-n-переходов легкоплавкими стеклами....................... 37
Защита поверхности p-n-переходов силанированием............... 42
Защита поверхности р-п-переходов окислением....................... 44
Очистка полупроводниковых приборов перед герметизацией. 50
Состояние и свойства поверхности полупроводников............. 52
Методы очистки поверхности полупроводника....................... 54
Химическая и электролитическая отмывка полупроводников. 55
Отмывка в кислотах и щелочах................................................. 59
Отмывка во фреонах................................................................. 60
Отмывка водой........................................................................... 62
Отмывка в ультразвуковых ваннах............................................ 64
Определение чистоты поверхности.......................................... 68
Контроль качества промывки............................................... 73
Сушка деталей........................................................................... 74
Контроль герметичности полупроводниковых приборов. 76
Описание технологического процесса.................................. 78
Список используемой литературы...................................... 82
Другие работы
Инженерная графика. Задание №35. Вариант №16. Детали №1,2,3
Чертежи
: 22 октября 2019
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Боголюбов С.К. Индивидуальные задания по курсу черчения
Задание №35. Вариант №16. Детали №1,2,3
Выполнить по аксонометрической проекции чертеж модели (построить три проекции и нанести размеры).
В состав работы входят следующие файлы:
- 3D модель каждой детали;
- ассоциативный чертеж к каждой детали;
- чертежи в трёх видах комплексного оформления (для деталей №1 и №2 в двух комплектах разных форматов А4 и А3).
В некоторых ВУЗах Деталь №3 чертят с разре
140 руб.
Курсовая работа и Лабораторные работы №№1-3 по дисциплине: Теория риска и моделирование рисковых ситуаций. Вариант №23
IT-STUDHELP
: 15 февраля 2022
23. Моделирование и анализ неопределённости методом сценариев
Содержание
Введение 4
1. Теоретические основы метода сценариев 7
1.1 Понятие метода сценариев 7
2.2 Этапы составления сценариев 10
1.3 Методы типа сценариев 11
2. Практическое применение моделирования и анализа неопределённости методом сценариев 16
2.1 Практическое применение метода сценариев за рубежом 16
2.2 Практическое применение метода сценариев в России 20
3. Особенности процесса подготовки, принятия и реализации управленчески
800 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Сети ЭВМ и телекоммуникации. Вариант №1
IT-STUDHELP
: 4 октября 2023
Вариант №1
Задание: Требуется рассчитать количество оборудования (базовые станции, маршрутизаторы, элементы управления сетью, транспортные каналы) для построения сети LTE при заданных параметрах.
Табл. 1. Исходные данные
Выберите значение параметра в соответствие с вариантом (последняя цифра пароля)
Параметр 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0
Диапазон частот, ГГц 2,0 1,8 1,9 1,8 3,6 1,95 2,4 3,4 0,46 0,84
Режим дуплексирования FDD (отдельные симметричные полосы частот под UL и DL)
Ширина полосы частот (BW),
500 руб.
Теплообменник 1200ТПГ-6,3-Б2 -20Г-6К-2-У-И - чертеж
DogBrave
: 26 марта 2023
Теплообменник — техническое устройство, в котором осуществляется теплообмен между двумя средами, имеющими различные температуры.
Работа выполнена в К0МПАС 3Д - 20V
В Архиве : PDF, Jpeg, cdw (чертеж)
450 руб.