Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание.
Введение......................................................................................... 2
Методы защиты р-п-переходов полупроводниковых кристаллов и пластин. 7
Защита поверхности p-n-переходов лаками и эмалями.............. 8
Эпоскидные смолы....................................................................... 13
Компаунды на основе эпоксидных смол...................................... 19
Защита поверхности p-n-переходов вазелином и цеолитами.. 27
Защита p-n-переходов плёнками окислов металлов................. 29
Защита поверхности p-n-переходов плёнками нитрида кремния. 32
Защита p-n-переходов легкоплавкими стеклами....................... 37
Защита поверхности p-n-переходов силанированием............... 42
Защита поверхности р-п-переходов окислением....................... 44
Очистка полупроводниковых приборов перед герметизацией. 50
Состояние и свойства поверхности полупроводников............. 52
Методы очистки поверхности полупроводника....................... 54
Химическая и электролитическая отмывка полупроводников. 55
Отмывка в кислотах и щелочах................................................. 59
Отмывка во фреонах................................................................. 60
Отмывка водой........................................................................... 62
Отмывка в ультразвуковых ваннах............................................ 64
Определение чистоты поверхности.......................................... 68
Контроль качества промывки............................................... 73
Сушка деталей........................................................................... 74
Контроль герметичности полупроводниковых приборов. 76
Описание технологического процесса.................................. 78
Список используемой литературы...................................... 82
Введение......................................................................................... 2
Методы защиты р-п-переходов полупроводниковых кристаллов и пластин. 7
Защита поверхности p-n-переходов лаками и эмалями.............. 8
Эпоскидные смолы....................................................................... 13
Компаунды на основе эпоксидных смол...................................... 19
Защита поверхности p-n-переходов вазелином и цеолитами.. 27
Защита p-n-переходов плёнками окислов металлов................. 29
Защита поверхности p-n-переходов плёнками нитрида кремния. 32
Защита p-n-переходов легкоплавкими стеклами....................... 37
Защита поверхности p-n-переходов силанированием............... 42
Защита поверхности р-п-переходов окислением....................... 44
Очистка полупроводниковых приборов перед герметизацией. 50
Состояние и свойства поверхности полупроводников............. 52
Методы очистки поверхности полупроводника....................... 54
Химическая и электролитическая отмывка полупроводников. 55
Отмывка в кислотах и щелочах................................................. 59
Отмывка во фреонах................................................................. 60
Отмывка водой........................................................................... 62
Отмывка в ультразвуковых ваннах............................................ 64
Определение чистоты поверхности.......................................... 68
Контроль качества промывки............................................... 73
Сушка деталей........................................................................... 74
Контроль герметичности полупроводниковых приборов. 76
Описание технологического процесса.................................. 78
Список используемой литературы...................................... 82
Другие работы
Гидравлика АКАДЕМИЯ ГРАЖДАНСКОЙ ЗАЩИТЫ Задача 2 Вариант 98
Z24
: 9 марта 2026
Определить максимальную глубину в водонапорном баке объемом W, установленном на перекрытии. Дополнительная нагрузка на перекрытие от установки бака с водой не должна превышать p. Масса бака с арматурой m.
150 руб.
Основы оптической связи Вариант 16 РГР
Евга
: 17 марта 2023
Задача 1:
Определить затухание, дисперсию, полосу пропускания и максимальную скорость передачи двоичных импульсов в волоконно-оптической системе с длиной секции L (км), с километрическим затуханием (дБ/км) на длине волны излучения передатчика 0 (мкм), ширине спектра излучения 0,5 на уровне половины максимальной мощности излучения. Определить мощность оптического излучения в волокне на выходе секции, если на входе подключен оптический генератор с уровнем мощности pS , дБм на заданной длине волны
100 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика и теплопередача ТОГУ Задача 8 Вариант 01
Z24
: 14 января 2026
пределить поверхность нагрева рекуперативного теплообменника (ТО), в котором происходит нагрев воздуха дымовыми газами, при прямоточной и противоточной схемах включения теплоносителей. Температуру воздуха, поступающего в ТО, принять t′2=30 ºC. Количество подогреваемого воздуха V и коэффициент теплопередачи от дымовых газов к воздуху K взять из табл. 6. Температуру воздуха на выходе из ТО — t″2, температуру дымовых газов на входе в ТО — t′1 и температуру дымовых газов на выходе из ТО — t″1 взять
250 руб.
Цифровые системы передачи. Экзамен. Билет № 22
Gila
: 4 ноября 2021
1. Опишите процесс преобразования сигнала при импульсно-кодовой модуляции.
2. Величина отсчёта сигнала равна 213 мВ, шаг квантования 5 мВ. Определить минимально возможное значение разрядности кода и записать кодовую группу нелинейным кодером закодированную. Определить ошибку квантования.
3. В STM-4 загружено 220 потоков Е1. Сколько потоков Е3 можно загрузить в этот мультиплексор?
4. Принцип организации сверхцикловой синхронизации.
5. На вход ЦЛТ подаётся сигнал прямоугольной формы. Как будет
280 руб.