Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант№3

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Электроника Экзамен.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант№3
1. Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощност
User JuliaRass : 21 октября 2012
120 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в
User dubhe : 7 марта 2015
300 руб.
promo
Экзамен по дисциплине «Электротехника и электроника»
1. Применение генераторов тока в ОУ. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необ
User Hanifa : 3 октября 2012
70 руб.
Лабораторная работа №2 по предмету Основы оптической связи. 3 курс, 5 семестр. Вариант 1. Год сдачи 2021
Лабораторная работа №2 По дисциплине: Основы оптической связи Излучатели ВОСП Вариант 1. Лабораторная работа состоит из 3 частей. 1 - тест, 2 -практическая часть, 3 - ответы на контрольные вопросы. Цель работы: Цель лабораторной работы: изучение конструкций, знакомство с принципом действия и исследование характеристик излучателей ВОСП Таблица 1 – Основные характеристики излучателей ВОСП 2. Схема измерения характеристик излучения источников излучения ВОСП. 7. Ответы на контрольные вопросы:
User Alexandr1305 : 11 января 2021
150 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача С1 Рисунок 5 Вариант 8
Равновесие произвольной плоской системы сил (Определение реакций опор твёрдого тела) Найти реакции опор конструкции, схема которой изображена на рис. С1.0–С1.9. Необходимые исходные данные представлены в таблице С1.
User Z24 : 7 ноября 2025
150 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача С1 Рисунок 5 Вариант 8
Основы построения телекоммуникационных систем и сетей. Лабораторная работа №1. 9 вариант.
Синхронизация в системах передачи дискретных сообщений. Задача 1. Коэффициент нестабильности задающего генератора устройства синхронизации и передатчика k = 10-6. Исправляющая способность приёмника μ = 40%. Краевые искажения отсутствуют. Постройте зависимость времени нормальной работы (без ошибок) приёмника от скорости передачи после выхода из строя фазового детектора устройства синхронизации. Будут ли возникать ошибки спустя минуту после отказа фазового детектора, если скорость В = 9600 Бод. З
User Taburet : 5 февраля 2013
45 руб.
Методы принятия управленческих решений. Экзаменационная работа
Задача 1 На основании данных таблицы 1 построить линейную, степенную, логарифмическую и экспоненциальную трендовые модели, отражающие зависимость объема продаж от затрат на рекламу. Выбрать тип трендовой модели, обеспечивающий наибольшую точность аппроксимации. Определить прогнозируемый объем продаж на следующий месяц с учетом того, что бюджетом предусмотрены затраты на рекламу 12 000 ден.ед. Таблица 1– Исходные данные № Затраты на рекламу, ден.ед. Объем продаж, ден.ед. 1 2 400 6 980 2 4 302
User irinasukhanovaa : 25 февраля 2015
120 руб.
up Наверх