Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант№3

Цена:
70 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Электроника Экзамен.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1.Тиристоры. Устройство. Принцип действия.
2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейства
КМДП. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной
характеристики. Дайте определения основным параметрам ЦИМС. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики.
3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с
встроенным каналом n-типа.
Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности.
Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки.
Экзамен по дисциплине: Электроника. Вариант№3
1. Тиристоры. Устройство. Принцип действия. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощност
User JuliaRass : 21 октября 2012
120 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника
1.Характеристики и параметры ОУ с обратными связями. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом n-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажи
User oksana111 : 24 июля 2014
300 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
1.Дифференциальные Y-параметры полевых транзисторов. 2.Изобразите принципиальную схему элемента на КМДП транзисторах, выполняющих операцию 2ИЛИ-НЕ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 2.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой n-p-n, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и пока
User corner : 21 февраля 2013
150 руб.
Экзамен по дисциплине "Электроника".
Экзамен по дисциплине: Электроника
Экзаменационные вопросы: 1.Операционные усилители (ОУ). Амплитудная и частотная характери-стики (ОУ). 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа. Приведите
User Ekaterina-Arbanakova : 11 февраля 2013
250 руб.
Экзамен по дисциплине: электроника.
Экзамен. По дисциплине: электроника. 1.Работа биполярных и полевых транзисторов с нагрузкой. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики Принципиальная схема базового элемента ДТЛ микросхемы. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на полевом транзисторе с p-n переходом и каналом p-типа
User женя68 : 10 мая 2011
56 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Излучающие полупроводниковые приборы. Устройство, принцип действия, характеристики и параметры. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным калом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встрое
User Rufus : 26 мая 2016
200 руб.
Экзамен по дисциплине: Электроника. СИБГУТИ. ДО
Экзаменационные вопросы по курсу «Электроника». 1.Параметры полевого транзистора. 2.Изобразите принципиальную схему базового элемента НЕ на МДП транзисторах со встроенным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3.Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите в
User dubhe : 7 марта 2015
300 руб.
promo
Экзамен по дисциплине «Электротехника и электроника»
1. Применение генераторов тока в ОУ. 2. Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ семейств ДТЛ. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием передаточной характеристики. 3. Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе со структурой p-n-p, по схеме с общим эмиттером. Приведите входные и выходные характеристики БТ и покажите, как определяют h-параметры необ
User Hanifa : 3 октября 2012
70 руб.
Теплотехника 21.03.01 КубГТУ Задача 1 Вариант 98
Сравнить мощность, затраченную на сжатие метана в одно- и двухступенчатом компрессоре в случае политропного сжатия с показателем политропы n, если объемный расход метана при параметрах всасывания – V1, начальные параметры p1 и t1, а конечное давление — рк. Определить температуру метана на выходе из компрессора и количество теплоты, отводимое от цилиндров и промежуточного теплообменника. Изобразить (без масштаба) процессы одно- и двухступенчатого сжатия на рυ- , Ts — диаграммах.
User Z24 : 24 января 2026
200 руб.
Теплотехника 21.03.01 КубГТУ Задача 1 Вариант 98
Электромагнитные излучения, создаваемые телевизионными станциями
Практическая работа 21 вариант. Задание: 1) Рассчитать электрическую напряженность ЭМИ, создаваемого телевизионными передающими антеннами, по мере удаления от телецентра (шаг 50 м). Построить график α=f(x). Определить на каком расстоянии электрическая напряженность уменьшается до ПДУ. 2)Определить размер санитарной зоны по таблице и определить напряженность электрического поля внутри жилого дома, расположенного на границе санитарной зоны и сравнить с ПДУ. Вариант 21, исходные данные: h-100; f1-5
User kosegorkan2 : 18 декабря 2019
50 руб.
Основные классические школы менеджмента
План Теоретическая часть 3 Сущность менеджмента и его значение в условиях рыночной экономики 3 Практическая часть 11 Характеристика организации ОАО «Искитимский шиферный завод» 11 Список использованной литературы 17 Приложение 18 Сущность менеджмента и его значение в условиях рыночной экономики Время, в которое мы живем, - эпоха перемен. Наше общество осуществляет исключительно трудную, во много противоречивую, но исторически неизбежную и необратимую перестройку. В социально-политической жизни э
User Slolka : 2 апреля 2014
5 руб.
Разработка стенда для разборки(сборки) гусениц
Тема дипломного проекта: Проект реконструкции ремонтной мастерской в ООО «Колос» Яшкинского района с разработкой стенда для разборки(сборки) гусениц Аннотация В обосновании проекта, отражены общие сведения о предприятии, произведен анализ использования подвижного состава. Выявлены недостатки организационной структуры проведения технического обслуживания и ремонта. Технологическая часть содержит расчёт программы технического обслуживания машинно-тракторного парка, количество капитальных, текущи
User Kompas3D : 15 сентября 2012
1500 руб.
up Наверх