Ключевые элементы на биполярних транзисторах
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Ключевые элементы на биполярних транзисторах
Биполярный транзистор уже давно используется в импульсных источниках электропитания, поэтому не будут подробно рассматриваться особенности его работы в ключевом режиме, а только необходимые для практики сведения.
Как известно, свойства транзистора как усилителя тока описываются следующим уравнением:
где h21 — коэффициент усиления по току;
iб—ток базы;
iк — ток коллектора.
Линейная область работы транзистора хороша тем, что позволяет, регулируя сравнительно небольшой ток базы, тем не менее, управлять значительным током нагрузки, расположенной в коллекторе транзистора. Максимальный ток коллектора, который можно получить в классической схеме с коллекторной нагрузкой, равен:
Максимальному току коллектора соответствует максимальный ток базы iб max. Дальнейшее увеличение тока базы не приведет к увеличению тока коллектора, поскольку транзистор уже находится в состоянии, пограничном с состоянием насыщения.
Что такое состояние насыщения лучше всего пояснять, представив транзистор в виде двух диодов (рис.1). В ненасыщенном состоянии диод VD1 закрыт. В состояние насыщения транзистор можно перевести, «подняв» потенциал базы выше потенциала коллектора с помощью, например, дополнительного источника напряжения UДОП. В этом случае произойдет отпирание диода VD2 и транзистор перейдет в состояние насыщения.
В принципе, пограничное состояние тоже используется в импульсной технике, но оно менее желательно, поскольку потери мощности на ключевом элементе, поскольку потери мощности на ключевом элементе больше, а значит, КПД преобразователя ниже возможного предела.
Насыщение транзистора принято оценивать коэффициентом насыщения. Коэффициент насыщения — это отношение максимального тока базы в пограничном режиме к реальному току, подаваемому в базу в насыщенном состоянии. Само собой разумеется, что значение коэффициента всегда больше единицы. Коэффициент насыщения задается разработчиком импульсного источника, исходя из рекомендаций по проектированию. От его величины зависят динамические характеристики схемы.
Биполярный транзистор уже давно используется в импульсных источниках электропитания, поэтому не будут подробно рассматриваться особенности его работы в ключевом режиме, а только необходимые для практики сведения.
Как известно, свойства транзистора как усилителя тока описываются следующим уравнением:
где h21 — коэффициент усиления по току;
iб—ток базы;
iк — ток коллектора.
Линейная область работы транзистора хороша тем, что позволяет, регулируя сравнительно небольшой ток базы, тем не менее, управлять значительным током нагрузки, расположенной в коллекторе транзистора. Максимальный ток коллектора, который можно получить в классической схеме с коллекторной нагрузкой, равен:
Максимальному току коллектора соответствует максимальный ток базы iб max. Дальнейшее увеличение тока базы не приведет к увеличению тока коллектора, поскольку транзистор уже находится в состоянии, пограничном с состоянием насыщения.
Что такое состояние насыщения лучше всего пояснять, представив транзистор в виде двух диодов (рис.1). В ненасыщенном состоянии диод VD1 закрыт. В состояние насыщения транзистор можно перевести, «подняв» потенциал базы выше потенциала коллектора с помощью, например, дополнительного источника напряжения UДОП. В этом случае произойдет отпирание диода VD2 и транзистор перейдет в состояние насыщения.
В принципе, пограничное состояние тоже используется в импульсной технике, но оно менее желательно, поскольку потери мощности на ключевом элементе, поскольку потери мощности на ключевом элементе больше, а значит, КПД преобразователя ниже возможного предела.
Насыщение транзистора принято оценивать коэффициентом насыщения. Коэффициент насыщения — это отношение максимального тока базы в пограничном режиме к реальному току, подаваемому в базу в насыщенном состоянии. Само собой разумеется, что значение коэффициента всегда больше единицы. Коэффициент насыщения задается разработчиком импульсного источника, исходя из рекомендаций по проектированию. От его величины зависят динамические характеристики схемы.
Другие работы
Информатика (часть 1-я). Работа зачетная. Вопрос № 9.
SemenovSam
: 1 ноября 2015
Информатика (технические факультеты, 2 семестр)
(вопросы к зачету)
Вопрос 9
Двойной циклический процесс: назначение, схема, примеры.
100 руб.
Контрольно-надзорная деятельность в нефтегазовом комплексе
Решатель
: 16 декабря 2024
Вариант: No 12.
Регион: Приволжский федеральный округ, Самарская область.
Месторождение: Байкальское.
Тип сырья: Углеводородное сырье.
Формы для заполнения: No 2-ГР и No 7-ГР:
– Учитывать только данные по углеводородному сырью.
– Остальные виды сырья (чёрные, цветные металлы и др.) не включать.
Стоимостные показатели. Для расчётов использовать следующие параметры:
– Поисковая скважина: 70 тыс. руб./пог. м.
– Разведочная скважина: 50 тыс. руб./пог. м.
– Сейсмика профильная: 10 млн руб./пог. км.
–
1000 руб.
МЕТРОЛОГИЯ, СТАНДАРТИЗАЦИЯ И СЕРТИФИКАЦИЯ. Лаборарная работа №3. Вариант №3
4eJIuk
: 12 февраля 2015
ПОВЕРКА АНАЛОГОВОГО
ИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ПРИБОРА
3.1. Задача № 1
3.1.1. Условие
Определить пиковое, средневыпрямленное, среднеквадратическое (действующее) значения напряжений, если известно показание вольтметра , который проградуирован в среднеквадратических значениях для гармонического сигнала. Исходные данные: вольтметр измеряет средневы-прямленное значение напряжения, коэффициент амплитуды ; коэффи-циент формы .
3.2. Задача № 2
3.2.1. Условие
Определить ЭДС источника , методическую абсолютную и
70 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Беспроводные технологии передачи данных. Билет №16
Учеба "Под ключ"
: 25 августа 2022
Билет №16
Раскрыть теоретический вопрос
Шифрование WPA-TKIP.
200 руб.