Ключевые элементы на биполярних транзисторах
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Ключевые элементы на биполярних транзисторах
Биполярный транзистор уже давно используется в импульсных источниках электропитания, поэтому не будут подробно рассматриваться особенности его работы в ключевом режиме, а только необходимые для практики сведения.
Как известно, свойства транзистора как усилителя тока описываются следующим уравнением:
где h21 — коэффициент усиления по току;
iб—ток базы;
iк — ток коллектора.
Линейная область работы транзистора хороша тем, что позволяет, регулируя сравнительно небольшой ток базы, тем не менее, управлять значительным током нагрузки, расположенной в коллекторе транзистора. Максимальный ток коллектора, который можно получить в классической схеме с коллекторной нагрузкой, равен:
Максимальному току коллектора соответствует максимальный ток базы iб max. Дальнейшее увеличение тока базы не приведет к увеличению тока коллектора, поскольку транзистор уже находится в состоянии, пограничном с состоянием насыщения.
Что такое состояние насыщения лучше всего пояснять, представив транзистор в виде двух диодов (рис.1). В ненасыщенном состоянии диод VD1 закрыт. В состояние насыщения транзистор можно перевести, «подняв» потенциал базы выше потенциала коллектора с помощью, например, дополнительного источника напряжения UДОП. В этом случае произойдет отпирание диода VD2 и транзистор перейдет в состояние насыщения.
В принципе, пограничное состояние тоже используется в импульсной технике, но оно менее желательно, поскольку потери мощности на ключевом элементе, поскольку потери мощности на ключевом элементе больше, а значит, КПД преобразователя ниже возможного предела.
Насыщение транзистора принято оценивать коэффициентом насыщения. Коэффициент насыщения — это отношение максимального тока базы в пограничном режиме к реальному току, подаваемому в базу в насыщенном состоянии. Само собой разумеется, что значение коэффициента всегда больше единицы. Коэффициент насыщения задается разработчиком импульсного источника, исходя из рекомендаций по проектированию. От его величины зависят динамические характеристики схемы.
Биполярный транзистор уже давно используется в импульсных источниках электропитания, поэтому не будут подробно рассматриваться особенности его работы в ключевом режиме, а только необходимые для практики сведения.
Как известно, свойства транзистора как усилителя тока описываются следующим уравнением:
где h21 — коэффициент усиления по току;
iб—ток базы;
iк — ток коллектора.
Линейная область работы транзистора хороша тем, что позволяет, регулируя сравнительно небольшой ток базы, тем не менее, управлять значительным током нагрузки, расположенной в коллекторе транзистора. Максимальный ток коллектора, который можно получить в классической схеме с коллекторной нагрузкой, равен:
Максимальному току коллектора соответствует максимальный ток базы iб max. Дальнейшее увеличение тока базы не приведет к увеличению тока коллектора, поскольку транзистор уже находится в состоянии, пограничном с состоянием насыщения.
Что такое состояние насыщения лучше всего пояснять, представив транзистор в виде двух диодов (рис.1). В ненасыщенном состоянии диод VD1 закрыт. В состояние насыщения транзистор можно перевести, «подняв» потенциал базы выше потенциала коллектора с помощью, например, дополнительного источника напряжения UДОП. В этом случае произойдет отпирание диода VD2 и транзистор перейдет в состояние насыщения.
В принципе, пограничное состояние тоже используется в импульсной технике, но оно менее желательно, поскольку потери мощности на ключевом элементе, поскольку потери мощности на ключевом элементе больше, а значит, КПД преобразователя ниже возможного предела.
Насыщение транзистора принято оценивать коэффициентом насыщения. Коэффициент насыщения — это отношение максимального тока базы в пограничном режиме к реальному току, подаваемому в базу в насыщенном состоянии. Само собой разумеется, что значение коэффициента всегда больше единицы. Коэффициент насыщения задается разработчиком импульсного источника, исходя из рекомендаций по проектированию. От его величины зависят динамические характеристики схемы.
Другие работы
Коллекторы «Надым» 1 - штуцера для замера давления; 2,6 - центробежные завихрители; 3 - отбойник; 4,11 - корпуса; 5 - обтекатель; 7 - фильтрующий элемент; 8 - кольцевая камера; 9 - отбойник примесей; 10 - каркас фильтрующего элемента; 12 - заглушка; 13 -
lelya.nakonechnyy.92@mail.ru
: 14 ноября 2017
Коллекторы «Надым» 1 - штуцера для замера давления; 2,6 - центробежные завихрители; 3 - отбойник; 4,11 - корпуса; 5 - обтекатель; 7 - фильтрующий элемент; 8 - кольцевая камера; 9 - отбойник примесей; 10 - каркас фильтрующего элемента; 12 - заглушка; 13 - ДИКТ; 14 - вентиль; 15-термокарман; 16 - полухомут; 17 - штуцера для уравнительных трубок; 18 - контейнер; 19 - гайка накидная.-Плакат-Картинка-Фотография-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа-
275 руб.
Ломка старых традиций, зарождение новой культуры при Петре 1
Slolka
: 3 сентября 2013
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МУНИЦИПАЛЬНАЯ СРЕДНЯЯ ОБЩЕОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ
ШКОЛА № 80
РЕФЕРАТ
на тему:
ЛОМКА СТАРЫХ ТРАДИЦИЙ, ЗАРОЖДЕНИЕ НОВОЙ КУЛЬТУРЫ ПРИ ПЕТРЕ I
Выполнила Попова А.
Проверила Шапошник С.Г.
Хабаровск
1999г.
Вступление................................................................................................... 3
1. Политические идеи петровских реформ, отражающие объективную необходимость кардинальных изменений в стране..................................
10 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Информатика и программирование (часть 2-я). Вариант № 12
IT-STUDHELP
: 15 апреля 2021
Вариант No 12
ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ
Часть I – Рекурсия
Цель: освоение составления и тестирования алгоритмов и программ рекурсивных вычислений, использования рекурсии при решении задач.
Задание
Имеется вычислительное устройство, исполняющее только заданные арифметические действия. Составить рекурсивный алгоритм и написать программу для вычисления общего числа программ для преобразования заданного числа a в заданное число b. Программа – это последовательность команд из множества заданных
800 руб.
Характеристики процесса бурения как объекта автоматизированного управления
VikkiROY
: 27 сентября 2013
Специалисты американской фирмы IBM, имеющие большой опыт в области создания управляющих систем с ЭВМ, для сложных технологических процессов, которые потенциально необходимо автоматизировать, приводят следующие общие характеристики и факторы:
. необходимость частных и значительных перестроек рабочих режимов;
. мощность установки;
. возмущения, действующие на процессы;
. сложность процесса и др.
Процесс бурения геологоразведочных скважин характеризуется частыми и значительными перестройками р
5 руб.