Толстопленочные интегральные микросхемы: общие сведения, резисторы, полупроводники, топология
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ
Толстопленочными называются интегральные микросхемы с толщиной пленок 10—70 мкм, изготавливаемые методами трафаретной печати (сеткография).
Сущность процесса изготовления толстопленочных микросхем заключается в нанесении на керамическую подложку специальных проводниковых, резистивных или диэлектрических паст путем продавливания их через сетчатый трафарет с помощью ракеля и в последующей термообработке (вжигании) этих паст, в результате чего образуется прочная монолитная структура.
Проводниковые и резистивные пасты состоят из порошков металлов и их окислов, а также содержат порошки низкоплавких стекол (стеклянную фритту). В диэлектрических пастах металлические порошки отсутствуют. Для придания пастам необходимой вязкости они замешиваются на органических связующих веществах (этил-целлюлоза, вазелины).
При вжигании паст стеклянная фритта размягчается, обволакивает и затем при охлаждении связывает проводящие частицы проводниковых и резистивных паст. Диэлектрические пасты после термообработки представляют однородные стекловидные пленки.
Относительная простота технологии при сравнительно низких затратах на оборудование и материалы, достаточно высокая эксплуатационная надежность и другие достоинства толстопленочных микросхем способствуют увеличению их производства и расширению областей применения. Конструктивно подобные микросхемы выполняются в виде наборов резисторов или конденсаторов, а также в виде гибридных микросхем, т. е. могут содержать навесные активные и пассивные компоненты. Широкое применение находит толстопленочная многоуровневая разводка межсоединений в гибридных микросхемах.
2. ПОДЛОЖКИ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ
Для изготовления подложек обычно используются керамические материалы или стекла. Чаще всего употребляется керамика на основе 96%-ной поликристаллической окиси алюминия. Для мощных микросхем применяется также бериллисвая керамика, обладающая хорошей теплопроводностью, но требующая особых мер обеспечения безопасности при обработке вследствие ее токсичности.
Точность получаемого в процессе трафаретной печати рисунка микросхемы в значительной степени зависит от плоскостности поверхности подложки и ее шероховатости. Максимальная кривизна поверхности (макронеровность) не должна превышать 4 мкм на 1 мм длины. Шероховатость (микронеровность) рабочей поверхности подложки должна быть не ниже восьмого класса (Ra = 0,32—0,63 мкм). Необходимо также иметь в виду, что слишком малая шероховатость может приводить к ухудшению адгезии наносимых пленок.
Размеры плат определяются конкретной конструкцией применяемых корпусов микросхем. Рекомендуются размеры 8х15 мм2, 10х16 мм2 и кратные им. Толщина плат составляет 0,6 мм.
Толстопленочными называются интегральные микросхемы с толщиной пленок 10—70 мкм, изготавливаемые методами трафаретной печати (сеткография).
Сущность процесса изготовления толстопленочных микросхем заключается в нанесении на керамическую подложку специальных проводниковых, резистивных или диэлектрических паст путем продавливания их через сетчатый трафарет с помощью ракеля и в последующей термообработке (вжигании) этих паст, в результате чего образуется прочная монолитная структура.
Проводниковые и резистивные пасты состоят из порошков металлов и их окислов, а также содержат порошки низкоплавких стекол (стеклянную фритту). В диэлектрических пастах металлические порошки отсутствуют. Для придания пастам необходимой вязкости они замешиваются на органических связующих веществах (этил-целлюлоза, вазелины).
При вжигании паст стеклянная фритта размягчается, обволакивает и затем при охлаждении связывает проводящие частицы проводниковых и резистивных паст. Диэлектрические пасты после термообработки представляют однородные стекловидные пленки.
Относительная простота технологии при сравнительно низких затратах на оборудование и материалы, достаточно высокая эксплуатационная надежность и другие достоинства толстопленочных микросхем способствуют увеличению их производства и расширению областей применения. Конструктивно подобные микросхемы выполняются в виде наборов резисторов или конденсаторов, а также в виде гибридных микросхем, т. е. могут содержать навесные активные и пассивные компоненты. Широкое применение находит толстопленочная многоуровневая разводка межсоединений в гибридных микросхемах.
2. ПОДЛОЖКИ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ
Для изготовления подложек обычно используются керамические материалы или стекла. Чаще всего употребляется керамика на основе 96%-ной поликристаллической окиси алюминия. Для мощных микросхем применяется также бериллисвая керамика, обладающая хорошей теплопроводностью, но требующая особых мер обеспечения безопасности при обработке вследствие ее токсичности.
Точность получаемого в процессе трафаретной печати рисунка микросхемы в значительной степени зависит от плоскостности поверхности подложки и ее шероховатости. Максимальная кривизна поверхности (макронеровность) не должна превышать 4 мкм на 1 мм длины. Шероховатость (микронеровность) рабочей поверхности подложки должна быть не ниже восьмого класса (Ra = 0,32—0,63 мкм). Необходимо также иметь в виду, что слишком малая шероховатость может приводить к ухудшению адгезии наносимых пленок.
Размеры плат определяются конкретной конструкцией применяемых корпусов микросхем. Рекомендуются размеры 8х15 мм2, 10х16 мм2 и кратные им. Толщина плат составляет 0,6 мм.
Похожие материалы
Общие сведения о неметаллических материалах
Виталий97
: 24 января 2026
Введение 3
1. ПОЛИМЕРЫ 4
1. Классификация полимеров 4
1.2. Особенности свойств полимеров 7
2.1. Общая характеристика пластических масс 14
2.2. Термопластичные пластмассы (термопласты) 16
2.3. Термореактивные пластмассы (термореактопласты) 18
2.4. Газонаполненные пластмассы 19
3. РЕЗИНЫ 20
3.1. Состав и классификация резин 20
3.2. Получение изделий из резины 21
3.3. Классификация резиновых материалов по назначению и области применения 22
4. СТЕКЛА 24
4.1. Основные свойства стекла 25
200 руб.
Сварочные генераторы: общие сведения
Elfa254
: 12 сентября 2013
Существует много способов и технологий сварки, объединенных одним общим принципом: в месте соединения детали расплавляют, что приводит к образованию шва. Для этого применяют электрическую, механическую и химическую энергию либо их сочетание. Для сварки металлов при помощи электрического тока создан целый ряд приборов:
1. сварочные трансформаторы;
2. инверторы;
3. установки для дуговой сварки;
4. машины для контактно-точечной сварки;
5. сварочные выпрямители;
6. сварочные генераторы (свароч
10 руб.
Общие сведения о реке Неве
Elfa254
: 3 сентября 2013
Река Нева вытекает из мелководной Шлиссельбургской губы Ладожского озера и впадает в Невскую губу Финского залива. Длина реки 74 км. Открытые районы Ладоги отгорожены от истока реки Невы широкой песчано-каменистой отмелью в самой южной части Шлиссельбургской губы. Устье же реки отделено от Невской губы песчаной отмелью, носящей название Невского бара.
Истоком реки принято считать место у города Петрокрепость (б. Шлиссельбург), напротив старинной Шлиссельбургской крепости на острове Орешек. За
45 руб.
Общие сведения о магнитных жидкостях
Aronitue9
: 14 августа 2013
Магнитные жидкости представляют собой взвесь однодоменных микрочастиц ферро- и ферримагнетиков в жидкой среде (керосине, воде, толуоле, минеральных и кремнийорганических маслах и т.п.). В качестве магнетика используется высокодисперсное железо, ферромагнитные окислы g Fe2O3, Fe3O4, ферриты никеля, кобальта. Дисперсные частицы, вследствие малости их размеров (около 10 нм), находятся в интенсивном броуновском движении. Агрегативная устойчивость коллоидных систем с магнитными частицами обеспечивает
5 руб.
Общие сведения об организации радиосвязи
Aronitue9
: 23 февраля 2013
Общие сведения об организации радиосвязи в авиации. Авиационное радиосвязное оборудование предназначено для обеспечения двухсторонней радиосвязи между экипажем самолета и наземными пунктами управления, между экипажами нескольких самолетов в полёте,для внутрисамолётной телефонной связи между членами экипажа, оповещения пассажироов и подачи сигнала бедствия с места приземления или приводнения. Комплекс технических средств, обеспечивающих передачу необходимой
информации, называется каналом связи.К
30 руб.
Общие сведения о лекарственных растениях
GnobYTEL
: 6 февраля 2013
Содержание
1. Биологически активные вещества лекарственных растений
2. Сбор, сушка и хранение
3. Применение
4. Культура лекарственных растений
5. Охрана лекарственных растений и восстановление их ресурсов
6. Лекарственные растения семейства губоцветные (Labiatae), их практическое применение
Заключение
Использованная литература
Введение
Лечение растениями (фитотерапия) и фитопрепаратами прошли испытание временем и в настоящее время получило широкое признание в медицине во всем мире. Существенным
Общие сведения об электронных приборах.
ostah
: 13 сентября 2012
Общие сведения об электронных приборах.
Классификация.
Режимы, характеристики и параметры электронных приборов.
Модели электронных приборов.
Электрофизические свойства полупроводников.
Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
Неравновесное состояние полупроводника.
Электрические переходы в полупроводниковых приборах.
Электрические переходы.
Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.
Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии.
Вольт-амперная характ
5 руб.
Общие сведения о спиртах. Полиолы
wizardikoff
: 8 февраля 2012
Спирты представляют собой соединения общей формулы ROH, в которых гидроксильная группа присоединена к насыщенному атому углерода. По номенклатуре ИЮПАК насыщенные спирты называют алканолами, нумерация в которых определяется гидроксильной группой. Гидроксильная группа при наличии двойной и тройной связей является старшей.
1-бутанол 2-бутанол 2-метил-1-пропанол 2-метил-2-пропанол
н-бутиловый втор-бутиловый изобутиловый трет-бутиловый спирты
При нумерации атомов г
Другие работы
Проектирование сварочно-наплавочного участка ЦРМ хозяйства (АО)
elementpio
: 25 сентября 2013
Мы живём сегодня в условиях социальной напряжённости, характеризующейся наличием безработицы (32,2 млн. чел.), коррумпированности, ростом правонарушений, детской беспризорностью, снижением прожиточного минимума, национальными конфликтами.
В границах Российской Федерации в 1913 году в городах проживало 15,7 млн. чел., а в деревнях и сёлах более 74 млн. чел. За восемьдесят лет население России увеличилось до 109 млн. чел. граждан, а семей уменьшилось до 39 млн. чел. В сельской местности
5 руб.
Скрепер с импульсными колебаниями ковша с вместимостью 25 м
OstVER
: 8 ноября 2014
2 КОНСТРУКТОРСКАЯ ЧАСТЬ
2.1 Расчет основных параметров скрепера
2.2 Расчет основных параметров ковша
2.3 Тяговый и мощностной расчет скрепера
2.4 Расчет механизма подъема ковша
2.5 Расчет механизма управления заслонкой
2.6 Расчет механизма разгрузки ковша
2.7 Расчет механизма импульсных колебаний ковша
2.8 Расчет металлоконструкции тяговой рамы
2.9 Тяговый и мощностной расчет скрепера
2.10 Определение центра удара
2.11 Расчет энергии удара ковша скрепера
2.12 Оценка рекуперируемой энергии
500 руб.
Теория сложностей вычислительных процессов и структур. Лабораторная работа №2. Вариант №5
zhekaersh
: 1 марта 2015
Графы. Поиск остова минимального веса.
Написать программу, которая по алгоритму Краскала находит остов минимального веса для связного взвешенного неориентированного графа, имеющего 7 вершин. Граф задан матрицей весов дуг, соединяющих всевозможные пары вершин (0 означает, что соответствующей дуги нет). Данные считать из файла.
40 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Основы надежности средств связи. Вариант №3
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Вариант No3
Задача 1
Провести анализ сети, структура которой представлена на рис. 1:
а) построить дерево всех возможных простых путей от узла коммутации УКi ко всем другим узлам сети, используя графический способ. Номер узла i взять из таблицы 1 в соответствии с номером варианта задания;
б) выделить пути ранга r не более трех в дереве путей для заданной в таблице 1 пары узлов УКi и УКj;
в) найти структурную матрицу сети;
г) используя структурную матрицу, определить пути ранга r не более 3 от уз
580 руб.