Моделирование схемы усилителя НЧ на МДП-транзисторах

Цена:
10 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon bestref-169099.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Содержание
1. Задание
2. Технические характеристики усилителя НЧ
3. Теоретические сведенья
4. Описание схемы усилителя
4.1 Описание
4.2 Конструкция и детали
4.3 Налаживание
5. Моделирование схемы в пакете Multisim 8
5.1 Подбор элементной базы и проверка работоспособности
5.2 Частотные и фазовые искажения
5.3 Анализ по переменному току
5.4 Анализ Фурье
5.5 Переходная характеристика
5.6 Переходный анализ
5.7 Коэффициент гармоник
5.8 Анализ искажений
5.9 Анализ сигнал/шум
5.10 Анализ шума
5.11 Температурный анализ
5.12 Параметрический анализ
6. Заключение
Список литературы

1. Задание
Промоделировать схему усилителя НЧ на МДП- транзисторах в программе Multisim 8. Также проверить характеристики получившийся схемы на соответствие техническим характеристикам данного усилителя используя следующие анализы, входящие в пакет Multisim 8:
- Анализ по переменному току (АЧХ, ФЧХ);
- Анализ Фурье;
- Переходный анализ;
- Температурный анализ;
- Параметрический анализ;
- Анализ шума
- Анализ сигнал/шум
- THD анализ
-Анализ искажений
Биполярный транзистор
Вариант 04. Дан биполярный транзистор ГТ310A, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=1∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=8В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора. Нагрузочная линия определяет режим работы выходной цепи транзистора, поэтому она строится на выходной вольт-амперной характеристике транзистора и определяется следующим уравнением: I_к=(E_п-U_кэ)/R_н . (2.1
User vilkiber : 21 сентября 2018
2000 руб.
Биполярный транзистор
Биполярный транзистор
Вариант 04. Дан биполярный транзистор ГТ310A, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=1∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=8В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора. Нагрузочная линия определяет режим работы выходной цепи транзистора, поэтому она строится на выходной вольт-амперной характеристике транзистора и определяется следующим уравнением: I_к=(E_п-U_кэ)/R_н . (2.1
User vilkiber : 21 сентября 2018
2000 руб.
Биполярный транзистор
Биполярные транзисторы
ТЕМА 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 4.1 Устройство и принцип действия Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности. Выпускаемые в настоящее время биполярные транзисторы можно классифицировать по следующим признакам: Ø по материалу: германиевые и кремниевые; Ø по виду проводимости областей: типа р-n-р и n-p-n; Ø по мощности: малой (Рмах £ 0,3Вт), средней (Рмах £ 1,5Вт) и большой мо
User alfFRED : 13 ноября 2012
10 руб.
Биполярные транзисторы
Лабораторная работа: Элементы ИМС на МДП-транзисторах и КМОП-транзисторах
В данной схеме на входы поданы два сигнала, соответствующие логической единице. На выходе будет сигнал 0, так как два транзистора открыты и сигнал уходит через них. При подаче высокого уровня U хотя бы на один из выходов схемы, открывается соответствующий транзистор и на выходе устанавливается низкий уровень сигнала. Если на обоих входах логический ноль, то VT1 и VT2 — закрыты и на выходе формируется логическая единица. Нагрузочный транзистор VT3 всегда открыт.
User DocentMark : 6 декабря 2012
10 руб.
Биполярный транзистор KT605А
Дан биполярный транзистор КТ605А, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=2,4∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=240В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора
User marilottar : 24 марта 2017
500 руб.
История изобретения транзистора
СОДЕРЖАНИЕ Введение 1. История изобретения транзистора 2. Первый транзистор 3. Создание биполярного транзистора 4. «Холодная война» и ее влияние на электронику 5. Первые советские транзисторы 6. Полевые транзисторы 7. Область применения транзистора ВВЕДЕНИЕ Трудно найти такую отрасль науки и техники, которая так же стремительно развивалась и оказала такое–же огромное влияние на все стороны жизнедеятельности человека, каждого отдельного и общества в целом, как электроника. Как самостоятельное на
User elementpio : 13 ноября 2012
Транзистор как линейный четырехполюсник
Транзистор как линейный четырехполюсник. Система Z – параметров. Система Y – параметров. Система H – параметров. Связь между системами параметров транзистора. Связь между параметрами в различных схемах включения. Связь между H – параметрами транзистора в различных схемах включения. Определение h – параметров транзистора по характеристикам. П – образная эквивалентная схема транзистора. Гибридная эквивалентная схема транзистора.
User ostah : 13 сентября 2012
5 руб.
Автоколивальний мультивібратор на транзисторах
Мета роботи:дослідження принципу та особливостей роботи автоколивального мультивібратора на біполярних транзисторахна биполярных транзисторах
User QWR : 15 января 2012
30 руб.
Автоколивальний мультивібратор на транзисторах
3.1. Тема 1. Свойства углеводородов при эксплуатации технических систем нефтегазовых объектов
Задача 3.1.1 Молярная масса газа равна M. Определить его плотность при t,°С и абсолютном давлении p. Задача 3.1.2. Определить абсолютную плотность газовой смеси при следующем объемном составе: А % метана, В % этана и С % пропана при стандартных условиях и относительную плотность смеси по воздуху. Молярные массы: Плотности при 20°С и 1 атм: метан 16,043 0,717 этан 30,07 1,344 пропан 44,097 1,967 воздух 28,96 1,206 Задача 3.1.3. Газ относительной плотностью 0,75 при температуре
User rifgeo : 11 марта 2015
200 руб.
3.1. Тема 1. Свойства углеводородов при эксплуатации технических систем нефтегазовых объектов promo
Оптические мультисервисные сети . Лабораторная работа №1. Вариант №03.
Изучение технологии EPON и GPON Цель работы: • Ознакомиться с технологиями пассивных оптических сетей. • Изучить основные теоретические сведения по технологиям PON, ознакомиться с разновидностями данной технологии, рассмотреть их сравнительный анализ, параметры и реализацию; • Решить предложенные задачи согласно варианту; • Пройти итоговый тест. Порядок выполнения работы: 1. Краткие теоретические сведения по технологиям PON. Первые шаги в технологии PON (passive optical networks) были предпр
User Uiktor : 22 февраля 2018
49 руб.
Курсовая работа по дисциплине: “Схемотехника ”. Вариант: 9
Задание 1. Выбрать режим работы транзистора. 2. Рассчитать элементы схемы по постоянному току. 3. Построить нагрузочные прямые по постоянному и переменному току. 4. Рассчитать параметры усилителя по переменному току: входное сопротивление, коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности, коэффициент полезного действия. 5. Выполнить расчет стабилизации режима работы. 6. Выполнить расчет емкостей (входная и выходная разделительная емкость, емкость в цепи эмиттера). Параметры Значения Тип тр
User mangysti4ek : 29 марта 2012
100 руб.
Лабораторная работа 1-3 по дисциплине: Операционные системы LINUX. Вариант 19
Лабораторная работа No1 Задание к лабораторной работе No1 Выполнить указанные действия. Создать отчет, в котором отразить выполняемое задание, команды, с помощью которых выполняются указанные действия и результат, полученный после выполнения команды (в виде скриншотов). 1. Создать файл a1 с помощью команды cat; ввести в файл текст из 6-ти строк вида (строка начинается с цифры порядкового номера строки): 1. my name is ... 2. my surname is ... 3. login is ... 4. <текст произвольного со
User IT-STUDHELP : 16 мая 2022
1200 руб.
promo
up Наверх