Моделирование схемы усилителя НЧ на МДП-транзисторах
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
1. Задание
2. Технические характеристики усилителя НЧ
3. Теоретические сведенья
4. Описание схемы усилителя
4.1 Описание
4.2 Конструкция и детали
4.3 Налаживание
5. Моделирование схемы в пакете Multisim 8
5.1 Подбор элементной базы и проверка работоспособности
5.2 Частотные и фазовые искажения
5.3 Анализ по переменному току
5.4 Анализ Фурье
5.5 Переходная характеристика
5.6 Переходный анализ
5.7 Коэффициент гармоник
5.8 Анализ искажений
5.9 Анализ сигнал/шум
5.10 Анализ шума
5.11 Температурный анализ
5.12 Параметрический анализ
6. Заключение
Список литературы
1. Задание
Промоделировать схему усилителя НЧ на МДП- транзисторах в программе Multisim 8. Также проверить характеристики получившийся схемы на соответствие техническим характеристикам данного усилителя используя следующие анализы, входящие в пакет Multisim 8:
- Анализ по переменному току (АЧХ, ФЧХ);
- Анализ Фурье;
- Переходный анализ;
- Температурный анализ;
- Параметрический анализ;
- Анализ шума
- Анализ сигнал/шум
- THD анализ
-Анализ искажений
1. Задание
2. Технические характеристики усилителя НЧ
3. Теоретические сведенья
4. Описание схемы усилителя
4.1 Описание
4.2 Конструкция и детали
4.3 Налаживание
5. Моделирование схемы в пакете Multisim 8
5.1 Подбор элементной базы и проверка работоспособности
5.2 Частотные и фазовые искажения
5.3 Анализ по переменному току
5.4 Анализ Фурье
5.5 Переходная характеристика
5.6 Переходный анализ
5.7 Коэффициент гармоник
5.8 Анализ искажений
5.9 Анализ сигнал/шум
5.10 Анализ шума
5.11 Температурный анализ
5.12 Параметрический анализ
6. Заключение
Список литературы
1. Задание
Промоделировать схему усилителя НЧ на МДП- транзисторах в программе Multisim 8. Также проверить характеристики получившийся схемы на соответствие техническим характеристикам данного усилителя используя следующие анализы, входящие в пакет Multisim 8:
- Анализ по переменному току (АЧХ, ФЧХ);
- Анализ Фурье;
- Переходный анализ;
- Температурный анализ;
- Параметрический анализ;
- Анализ шума
- Анализ сигнал/шум
- THD анализ
-Анализ искажений
Похожие материалы
Биполярный транзистор
vilkiber
: 21 сентября 2018
Вариант 04. Дан биполярный транзистор ГТ310A, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=1∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=8В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора. Нагрузочная линия определяет режим работы выходной цепи транзистора, поэтому она строится на выходной вольт-амперной характеристике транзистора и определяется следующим уравнением:
I_к=(E_п-U_кэ)/R_н . (2.1
2000 руб.
Биполярный транзистор
vilkiber
: 21 сентября 2018
Вариант 04. Дан биполярный транзистор ГТ310A, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=1∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=8В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора. Нагрузочная линия определяет режим работы выходной цепи транзистора, поэтому она строится на выходной вольт-амперной характеристике транзистора и определяется следующим уравнением:
I_к=(E_п-U_кэ)/R_н . (2.1
2000 руб.
Биполярные транзисторы
alfFRED
: 13 ноября 2012
ТЕМА 4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
4.1 Устройство и принцип действия
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с чередующимися типами электропроводности и пригодный для усиления мощности.
Выпускаемые в настоящее время биполярные транзисторы можно классифицировать по следующим признакам:
Ø по материалу: германиевые и кремниевые;
Ø по виду проводимости областей: типа р-n-р и n-p-n;
Ø по мощности: малой (Рмах £ 0,3Вт), средней (Рмах £ 1,5Вт) и большой мо
10 руб.
Лабораторная работа: Элементы ИМС на МДП-транзисторах и КМОП-транзисторах
DocentMark
: 6 декабря 2012
В данной схеме на входы поданы два сигнала, соответствующие логической единице. На выходе будет сигнал 0, так как два транзистора открыты и сигнал уходит через них. При подаче высокого уровня U хотя бы на один из выходов схемы, открывается соответствующий транзистор и на выходе устанавливается низкий уровень сигнала. Если на обоих входах логический ноль, то VT1 и VT2 — закрыты и на выходе формируется логическая единица.
Нагрузочный транзистор VT3 всегда открыт.
10 руб.
Биполярный транзистор KT605А
marilottar
: 24 марта 2017
Дан биполярный транзистор КТ605А, включенный по схеме с общим эмиттером. Выходная цепь транзистора нагружена резистор R_н=2,4∙〖10〗^3 Ом и питается от источника ЭДС E_п=240В. Построим нагрузочную линию, выберем рабочую точку и определим основные параметры и характеристики транзистора
500 руб.
История изобретения транзистора
elementpio
: 13 ноября 2012
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. История изобретения транзистора
2. Первый транзистор
3. Создание биполярного транзистора
4. «Холодная война» и ее влияние на электронику
5. Первые советские транзисторы
6. Полевые транзисторы
7. Область применения транзистора
ВВЕДЕНИЕ
Трудно найти такую отрасль науки и техники, которая так же стремительно развивалась и оказала такое–же огромное влияние на все стороны жизнедеятельности человека, каждого отдельного и общества в целом, как электроника. Как самостоятельное на
Транзистор как линейный четырехполюсник
ostah
: 13 сентября 2012
Транзистор как линейный четырехполюсник.
Система Z – параметров.
Система Y – параметров.
Система H – параметров.
Связь между системами параметров транзистора.
Связь между параметрами в различных схемах включения.
Связь между H – параметрами транзистора в различных схемах включения.
Определение h – параметров транзистора по характеристикам.
П – образная эквивалентная схема транзистора.
Гибридная эквивалентная схема транзистора.
5 руб.
Автоколивальний мультивібратор на транзисторах
QWR
: 15 января 2012
Мета роботи:дослідження принципу та особливостей роботи автоколивального мультивібратора на біполярних транзисторахна биполярных транзисторах
30 руб.
Другие работы
История высшего образования в Украине
Qiwir
: 2 сентября 2013
История образования в Украине тесно связана со всей историей украинского народа. Многовековое существование в состоянии раздробленности, под гнетом монголо-татарских орд, польских, литовских и венгерских феодалов оказало сильное влияние на развитие образования.
Во 2-й половине XVI века произошли изменения в государственно-административном положении значительной части украинских земель. Воспользовавшись ослаблением Великого княжества Литовского, принимавшего с 1558 г. участие в многолетней войне
10 руб.
Контрольная работа по предмету "Инженерная и компьютерная графика". Вариант №4
Nightmare86
: 1 октября 2016
Задание 1. Схема алгоритма последовательного выявления в целочисленном массиве из 50 элементов тех элементов, значения которых кратны 3.
Задание 2.
Задание 3. Схема электрическая принципиальная.
Наименование изделия: Выпрямитель.
Задание 4. Корпус пускателя.
360 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Деловая риторика «Образ делового человека в кино»
Samolyanova
: 12 декабря 2017
«Образ делового человека в кино»
(Образ Л.П. Калугиной из к/ф «Служебный роман»)
1. Эпоха как фон создания образа (интересы, традиции, ценности, потребности).
2. Первое представление героя: имидж персонажа (внешний вид, манера поведения, общения, невербальные средства общения)
3. Речь персонажа.
4. Личностные и деловые качества персонажа.
5. Способы построения взаимоотношений с партнерами ( использование приемов Искусства комплимента, Искусства словесной атаки с примерами, цитированием).
6. Общ
350 руб.
Модели оптимизации машиностроительного производства
Elfa254
: 31 октября 2013
Задание 1. Управление запасами
Рассчитать размер экономического заказа в рамках задачи материально-технического снабжения предприятия.
1.1. Постановка задачи
Компания ежегодно закупает D = 8000 штук деталей по цене Ц = 10 руб./шт. и использует их на сборке. Затраты хранения одной детали в течение года Н = 3 руб./шт. Затраты заказа 8 = 30 руб./заказ. Эффективный фонд времени работы за год Ф = 200 рабочих дней. Производственная мощность поставщика 10670 транзисторов в год. Затраты резерви
10 руб.