Основы схемотехники. Экзамен. Билет № 7

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 107F927A-5823-47E9-8386-532EC1CABBBD.rar [107 KB]
material.view.file_icon Экз_Основы_схемотехники.doc [223 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Билет № 7

Дисциплина «Основы схемотехники».

1. Структурные схемы приёмников супергетеродинного типа и прямого усиления. Достоинства и недостатки этих приёмников.
2. Проходные динамические характеристики усилительных элементов (характеристики прямой передачи).
3. Схемы подачи смещения с эмиттерной стабилизацией.

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Основы схемотехники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Хорошо
Дата оценки: 07.12.2012
Травин Геннадий Андреевич

Похожие материалы

Экзамен по дисциплине «Основы схемотехники» билет 1-7
Билет 1 – 7 1. Нарисовать схему резистивного каскада на БТ с эмиттерной стабилизацией. Биполярный транзистор типа n-p-n и включен по схеме с общим эмиттером. Определить частоту, на которой относительное изменение усиления изменится на 6 дБ, если известно, что разделительная ёмкость равна 5 мкФ, сопротивление делителя в цепи базы равны 10 кОм и 16 кОм, входное сопротивление транзистора равно 1 кОм. Сопротивление источника сигнала принять равным 3 кОм. 2. Для схемы вопроса 1 пояснить принцип эмитт
Схемотехника СибГУТИ Работа Экзаменационная
User gudrich : 8 мая 2011
250 руб.
Основы схемотехники экзамен
Билет 16 Оценка ХОРОШО 1. Паразитная обратная связь через цепи питания. Развязывающие фильтры. 2. Эквивалентные схемы усилительных элементов. 3. Схема каскада импульсного усиления с цепями коррекции в области малых и больших времён.
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User sd80 : 21 августа 2014
250 руб.
Основы схемотехники. 5-й семестр. Экзамен. Билет 1-7.
Билет 1-7. 1. Нарисовать схему резистивного каскада на БТ с эмиттерной стабилизацией. Биполярный транзистор типа n-p-n и включен по схеме с общим эмиттером. Определить частоту, на которой относительное изменение усиления изменится на 6 дБ, если известно, что разделительная ёмкость равна 5 мкФ, сопротивление делителя в цепи базы равны 10 кОм и 16 кОм, входное сопротивление транзистора равно 1 кОм. Сопротивление источника сигнала принять равным 3 кОм. 2. Для схемы вопроса 1 пояснить принцип эмит
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User skaser : 3 января 2012
55 руб.
Основы схемотехники. 5-й семестр. Экзамен. Билет 1-7.
Экзамен по дисциплине: «Основы схемотехники»
1. Привести схему балансного дифференциального каскада на биполярных транзисторах с эмиттерной стабилизацией в каскадах. Рассчитать сопротивление резистора в цепи эмиттеров, если известно, что i КО1 = i КО2 = 4 мА, h21Э1 = h21Э2 = 20, а падение напряжения на этом резисторе равно 1,5 В. 2. Чему равен сквозной коэффициент усиления по напряжению операционного усилителя, если выход соединен с инвертирующим входом резистором 200 кОм. Усиление усилителя по напряжению равно 2000 раз, входное сопротивл
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User oksana111 : 15 февраля 2013
100 руб.
Экзамен. Основы схемотехники. Билет №25
Билет № 25 1. Схемы подачи смещения с комбинированной стабилизацией выходного тока покоя биполярного транзистора. 2. Инвертирующий усилитель (схема, коэффициент усиления, амплитудная характеристика и АЧХ). 3. Особенности широкополосных и импульсных каскадов.
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User bap2 : 2 февраля 2016
50 руб.
Экзамен. Основы Схемотехники. Билет №1
Переходная характеристика – это зависимость: В двухкаскадном усилителе коэффициент усиления по напряжению 1 каскада равен10, второго – 20. Определить общий коэффициент усиления всего усилителя. В усилителе с ООС коэффициент передачи цепи обратной связи = 0,01; сквозной коэффициент усиления по напряжению без ОС К* = 40дБ. Определить глубину обратной связи.
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User sag : 12 ноября 2015
100 руб.
Основы схемотехники. Экзамен. Билет № 9
1. Привести схему балансного дифференциального каскада на биполярных транзисторах с эмиттерной стабилизацией в каскадах. Рассчитать сопротивление резистора в цепи эмиттеров, если известно, что i КО1 = i КО2 = 4 мА, h21Э1 = h21Э2 = 20, а падение напряжения на этом резисторе равно 1,5 В. 2. Чему равен сквозной коэффициент усиления по напряжению операционного усилителя, если выход соединен с инвертирующим входом резистором 200 кОм. Усиление усилителя по напряжению равно 2000 раз, входное сопротивл
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User sanco25 : 21 августа 2013
99 руб.
Основы схемотехники. Экзамен. Билет № 9
Экзамен по основам схемотехники. Билет № 8
Билет № 8 Дисциплина «Основы схемотехники». 1. Классификация усилительных устройств. 2. Эквивалентная схема каскада с резисторно-конденсаторной связью. 3. Схема неинвертирующего операционного усилителя. Ответы. Вопрос 1. Классификация усилительных устройств. Для полного ответа на поставленный вопрос, для начала, требуется некоторое разъяснение – что же такое усилительное устройство? Рассмотрим следующее определение. Усилительное устройство УО.....
СибГУТИ Основы схемотехники Работа Экзаменационная
User andreyka1486 : 29 января 2013
50 руб.

Другие работы

ВСЕ ВАРИАНТЫ Лабораторные работы №1-3 Программирование мобильных устройств (часть 2) ДО СИБГУТИ
Задание 1: Создать базу данных студентов (Имя, вес, рост, возраст - сгенерировать случайно). Вывести из базы данных все записи, отсортированные по возрасту, в таблицу (TableLayout). Приложение должно иметь следующие кнопки. Очистка базы, заполнение, вывод содержимого. Задание 2: Создайте приложение из трех классов (Условно: A, B и С). Из класса А запускаются классы В и С, по завершению своей работы классы В и С возвращают строку в класс А, которая выводится на экран. Интерфейс класса А содерж
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Программирование мобильных устройств
User Petr1 : 3 ноября 2019
220 руб.
ВСЕ ВАРИАНТЫ Лабораторные работы №1-3 Программирование мобильных устройств (часть 2) ДО СИБГУТИ
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 30 сентября 2016
152 руб.
Риски в инвестиционной деятельности
Осуществление инвестиционной деятельности связано с возможным несовпадением условий, учитываемых при обосновании проекта, и фактической ситуации его реализации. Причинами отклонений могут быть поведение конкурентов, изменение конъюнктуры рынка и экономического законодательства. Кроме того, проведение расчетов в рамках разработки проектов также основано на неполной и неточной информации из-за трудностей прогнозирования ситуации на длительный срок (что характерно для реальных инвестиций). Все эти
Банковское дело и кредитование Работа
User evelin : 29 ноября 2013
15 руб.
Дипломная работа по ДВС
СОДЕРЖАНИЕ Принятые обозначения и сокращения ............................................................................................. Введение ............................................................................................................................................. 1. Тепловой расчет двигателя ........................................................................................................... 1.1. Выбор прототипа, исходные данные ....................
Двигатели внутреннего сгорания Диплом и связанное с ним ИНЭКА
User romaa86 : 16 марта 2009
500 руб.
up Наверх