Лабораторная работа № 4 по дисциплине "Физика"
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
25.12.2012
-
Размер:
271 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
BuKToP89
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Физика_Лаб№4.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Работа 6.8. “Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников”
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Похожие материалы
Лабораторная работа №4 по дисциплине: «Физика». Вариант №7.
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
Лабораторная работа по физике.
На тему: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников».
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1/T.?
3. Вывести формулу для вычисления ширины за
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
70 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине: Физика. Вариант: №7
lebed-e-va
: 30 марта 2015
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности
полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению.
lebed-e-va
: 30 марта 2015
100 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине "Физика" 3 семестр 6 вариант
mastar
: 23 января 2012
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы.
Вопрос 1.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Вопрос 2.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вопрос 3.
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
mastar
: 23 января 2012
125 руб.
Лабораторные работы (4 шт.) по дисциплине: «Физика»
xtrail
: 23 января 2014
Работа 3.2
Изучение характеристик электростатического поля
1. Цель работы
Исследовать электростатическое поле, графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для некоторых конфигураций поля.
Работа 4.1
Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
1.Цель работы
Познакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона.
Работа 6.8
Изучение температурной
xtrail
: 23 января 2014
500 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
den245
: 8 января 2012
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носите
den245
: 8 января 2012
100 руб.
Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика (спецглавы). Вариант № 5
ankomi
: 23 мая 2013
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Основные теоретические сведения.
Электропроводность материалов определяется выражением:
1.
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Коммент
ankomi
: 23 мая 2013
150 руб.
Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика (спец. главы). Вариант: №5
romaneniii
: 6 сентября 2012
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Основные теоретические сведения.
Электропроводность материалов определяется выражением:
romaneniii
: 6 сентября 2012
60 руб.
Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
odja
: 6 февраля 2012
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
odja
: 6 февраля 2012
55 руб.
Другие работы
Установка винтового насоса, Насос винтовой ЭВНМ5-100-1000, Гидравлическая часть, Клапаны-Чертежи-Графическая часть-Курсовая работа-Дипломная работа-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 17 мая 2016
Установка винтового насоса, Насос винтовой ЭВНМ5-100-1000, Гидравлическая часть, Клапаны-Чертежи-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 17 мая 2016
796 руб.
Общие условия судебного разбирательства
Lokard
: 12 марта 2014
Введение
Глава 1. Понятие и значение общих условий
судебного разбирательства …………………………………………………… 3
Глава 2 .Общие условия судебного разбирательства по действующему и по предыдущему УПК ……………………………… 14
1.Непосредственность, устность, гласность судебного разбирательства.
2.Участники уголовного судопроизводства.
3.Решения принимаемые в ходе судебного разбирательства и порядок их принятия
4.Иные общие условия судебного разбирательства.
Заключение
Список использованной литературы
Введение
Отправлени
Lokard
: 12 марта 2014
5 руб.
Автоматизированное проектирование телекоммуникационных сетей (АПТС). Контрольная работа. Вариант №2
vlanproekt
: 9 октября 2013
Исходные данные
Вариант 2
1. План городского населенного пункта соответствующего варианта.
2. Цифры около вершин размеченной графовой модели будущей сети электросвязи города – это номера вершин.
3. Длина (стоимость, вес и т.д.) ребра u= (а,в) вычисляется по формуле l(u) = |a-b| x |N-4| , где N - номер варианта контрольной работы, а a и b вершины инцидентные ребру u.
Задание
1. Сделать теоретико-множественное представление графа.
2. Найти матрицу расстояний графа сети связи по выбранному вариант
vlanproekt
: 9 октября 2013
120 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Информатика (часть 1). Вариант 09
SibGOODy
: 2 января 2019
Теоретическая часть
Вариант 9. Виды программного обеспечения ЭВМ.
Практическая часть
Вариант 9. Сформировать матрицу А размером 5х5 с помощью генератора случайных чисел и вывести элементы матрицы на экран. Найти суммы элементов каждой строки матрицы А и наибольшую из этих сумм.
Схема алгоритма
Программа
Результаты выполнения программы
SibGOODy
: 2 января 2019
400 руб.
