Лабораторная работа № 4 по дисциплине "Физика"
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
25.12.2012
-
Размер:
271 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
BuKToP89
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Физика_Лаб№4.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Работа 6.8. “Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников”
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Похожие материалы
Лабораторная работа №4 по дисциплине: «Физика». Вариант №7.
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
Лабораторная работа по физике.
На тему: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников».
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1/T.?
3. Вывести формулу для вычисления ширины за
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
70 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине: Физика. Вариант: №7
lebed-e-va
: 30 марта 2015
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности
полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению.
lebed-e-va
: 30 марта 2015
100 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине "Физика" 3 семестр 6 вариант
mastar
: 23 января 2012
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы.
Вопрос 1.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Вопрос 2.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вопрос 3.
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
mastar
: 23 января 2012
125 руб.
Лабораторные работы (4 шт.) по дисциплине: «Физика»
xtrail
: 23 января 2014
Работа 3.2
Изучение характеристик электростатического поля
1. Цель работы
Исследовать электростатическое поле, графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для некоторых конфигураций поля.
Работа 4.1
Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
1.Цель работы
Познакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона.
Работа 6.8
Изучение температурной
xtrail
: 23 января 2014
500 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
den245
: 8 января 2012
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носите
den245
: 8 января 2012
100 руб.
Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика (спецглавы). Вариант № 5
ankomi
: 23 мая 2013
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Основные теоретические сведения.
Электропроводность материалов определяется выражением:
1.
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Коммент
ankomi
: 23 мая 2013
150 руб.
Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика (спец. главы). Вариант: №5
romaneniii
: 6 сентября 2012
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Основные теоретические сведения.
Электропроводность материалов определяется выражением:
romaneniii
: 6 сентября 2012
60 руб.
Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
odja
: 6 февраля 2012
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
odja
: 6 февраля 2012
55 руб.
Другие работы
Проблемы Аральского моря
Szarbat
: 26 апреля 2010
Существует много причин аральской катастрофы, но как мы знаем главная из них это очень резкое сокращение речного стока. Раньше в море впадало много рек, но теперь много воды расходуется на полив, орошение земель лежащих рядом с реками, поэтому до самого моря-озера не доходит достаточное количество воды.
Если посмотреть для чего расходуется вода, взятая из рек, то можно увидеть что не вся она расходуется рационально.Около её половины расходуется на так называемую промывку полей. После полива
Szarbat
: 26 апреля 2010
Гидравлика ИжГТУ им. М.Т. Калашникова Задача 9 Вариант 4
Z24
: 10 декабря 2025
На горизонтальной водопроводной трубе установлен манометр, показывающий давление рман, кгс/см². Определить гидростатический напор в трубе относительно ее оси (радиусом трубы пренебречь).
Z24
: 10 декабря 2025
120 руб.
Исторические границы столицы: от Кремля до МКАД
Qiwir
: 26 августа 2013
В начале нашего необычного путешествия в прошлое столицы и родной русской речи хочу напомнить вам основные сведения о росте и смене кольцевых крепостных и иных укреплений Москвы, превращающихся от века к веку в линию границы города.
Древнейшее кольцо, защищавшее сердце города, — Кремль. Историки и археологи полагают, что небольшая славянская крепость возникла на высоком Боровицком холме у места впадения Неглинки в реку Москву не позднее конца XI века. Почти столетие спустя, в 1156 году, Юрий До
Qiwir
: 26 августа 2013
10 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 4.12 Вариант З
Z24
: 19 декабря 2025
Вода с расходом Q1=Q подается по трубопроводу 1, в котором установлен кран с коэффициентом сопротивления ζкр=5. В точке М трубопровод 1 разветвляется на два трубопровода 2 и 3, у которых длины l2 и l3, а диаметры всех трубопроводов одинаковы и равны d. Определить расходы Q2 и Q3 в трубопроводах 2 и 3, а также давление в точке К рК, если давление в конечных сечениях трубопроводов 2 и 3 атмосферное и центры тяжести этих сечений так же как и точки К и М располагаются в одной горизонтальной плоскост
Z24
: 19 декабря 2025
160 руб.
