Лабораторная работа № 4 по дисциплине "Физика"
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
25.12.2012
-
Размер:
271 KB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
BuKToP89
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Физика_Лаб№4.doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Работа 6.8. “Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников”
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1 / T ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Похожие материалы
Лабораторная работа №4 по дисциплине: «Физика». Вариант №7.
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
Лабораторная работа по физике.
На тему: «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников».
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lns от 1/T.?
3. Вывести формулу для вычисления ширины за
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
70 руб.
Лабораторная работа №4 по дисциплине: Физика. Вариант: №7
lebed-e-va
: 30 марта 2015
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности
полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению.
lebed-e-va
: 30 марта 2015
100 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине "Физика" 3 семестр 6 вариант
mastar
: 23 января 2012
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы.
Вопрос 1.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Вопрос 2.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вопрос 3.
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
mastar
: 23 января 2012
125 руб.
Лабораторные работы (4 шт.) по дисциплине: «Физика»
xtrail
: 23 января 2014
Работа 3.2
Изучение характеристик электростатического поля
1. Цель работы
Исследовать электростатическое поле, графически изобразить сечение эквипотенциальных поверхностей и силовые линии для некоторых конфигураций поля.
Работа 4.1
Определение удельного заряда электрона методом магнетрона
1.Цель работы
Познакомиться с законами движения заряженных частиц в электрическом и магнитном полях, определить удельный заряд электрона с помощью цилиндрического магнетрона.
Работа 6.8
Изучение температурной
xtrail
: 23 января 2014
500 руб.
Лабораторная работа № 4 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
den245
: 8 января 2012
Лабораторная работа 6.8
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носите
den245
: 8 января 2012
100 руб.
Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика (спецглавы). Вариант № 5
ankomi
: 23 мая 2013
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Основные теоретические сведения.
Электропроводность материалов определяется выражением:
1.
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
Коммент
ankomi
: 23 мая 2013
150 руб.
Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика (спец. главы). Вариант: №5
romaneniii
: 6 сентября 2012
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Основные теоретические сведения.
Электропроводность материалов определяется выражением:
romaneniii
: 6 сентября 2012
60 руб.
Лабораторная работа № 4 (6.8) по дисциплине: Физика: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 5
odja
: 6 февраля 2012
Цель работы.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln от 1 / T ?
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
odja
: 6 февраля 2012
55 руб.
Другие работы
Проявление экономического кризиса в Казахстане
Slolka
: 3 ноября 2013
Введение
1. Промышленность
1.1 Спад производства
1.2 Заработная плата
2. Предпринимательство
3. Транспорт и связь
4. План по стабилизации и дальнейшему развитию экономики ВКО
Заключение
Использованная литература
Введение
Экономический кризис (др.-греч. Krisis – поворотный пункт) – нарушение равновесия между спросом и предложением на товары и услуги. Основные виды – кризис недопроизводства и кризис перепроизводства. Кризис недопроизводства, как правило, вызывается внеэкономическим
Slolka
: 3 ноября 2013
5 руб.
Зачет. Технологические основы отрасли. Билет №5
karinjan
: 5 октября 2014
1. Виды структур сетей связи с подвижными объектами.
2. Особенности распространения декаметровых волн.
3. Структура организации системы массовой информации.
karinjan
: 5 октября 2014
50 руб.
Разработка РТК на базе станка 16К20Ф3, напольного ПР и ТНС
Рики-Тики-Та
: 1 февраля 2011
СОДЕРЖАНИЕ
1 Задание………………………………………………………………………………..1
2 Станок токарный патронно-центровой с числовым программным управлением модели 16К20Ф3С32…………………………………………………………………3
2.1 Назначение и конструктивные особенности…………………………………….. 3
2.2 Описание кинематической схемы………………………………………….............3
2.3 Техническая характеристика токарного станка с ЧПУ модели 16К20Ф3С32…………………………………………………………………………5
3 Выбор метода получения заготовки……………………………………………….6
4 Выбор способов механообработки…………………………………………
Рики-Тики-Та
: 1 февраля 2011
55 руб.
Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 2 Вариант 10
Z24
: 28 января 2026
Сжатие воздуха в компрессоре происходит: а) по изотерме; б) по адиабате; в) по политропе с показателем n. Масса сжимаемого воздуха m, начальное давление р1=0,1 МПа, начальная температура t1, степень повышения давления X.
Определите величину теоретической работы и мощности компрессора, а также изменение внутренней энергии и энтропии при сжатии для всех вариантов процессов. Теплоемкость воздуха считать 0,723 кДж/(кг·К) постоянной. Постройте диаграмму процессов сжатия в координатах p-υ, на одном
Z24
: 28 января 2026
250 руб.
