Лабораторная работа 6.8 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Семестр 2-й. Вариант №1
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
26.01.2013
-
Размер:
239 KB
-
Покупок:
11
-
Добавил:
glec
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа 6.8 по физике.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
Гидравлика Задача 7.383
Z24
: 17 марта 2026
Из большого бака диаметром D, в котором уровень воды Н до горизонтальной оси сливной трубы поддерживается постоянным, через сливную трубу с внутренним диаметром d1 с местным расширением d2 на горизонтальном участке вытекает вода. Движение установившееся. В месте расширения к трубе присоединена стеклянная трубка, полость которой снизу сообщается с полостью сливной трубы, а сверху с атмосферой. Давление над баком равно атмосферному ра = 105 Па. Определить, на какую высоту h поднимется вода в стекл
Z24
: 17 марта 2026
200 руб.
Лабораторные работы №"1-5 по дисциплине: Основы визуального программирования (ВСЕ варианты)
Roma967
: 11 октября 2015
Лабораторная работа №1
Тема: Работа с компонентами TPanel (закладка Standard); TDriveComboBox, TFilterComboBox, TDirectoryListBox, TFileListBox (закладка Win 3.1); Tsplitter, TImage (закладка Additional); TStatusBar (закладка Win32).
Лабораторная работа №2
Тема: Компоненты MainMenu, PopupMenu, Memo, OpenDialog, SaveDialog.
Создание вложенного динамического меню.
Лабораторная работа №3
Тема: Базы данных
Лабораторная работа №4
Тема: Базы данных
Лабораторная работа №5
Тема: Базы данных
Roma967
: 11 октября 2015
1200 руб.
Разработка прогрессивного технологического процесса изготовления корпусных деталей
Рики-Тики-Та
: 2 августа 2012
Содержание
Введение
1.Аналитический раздел
1.1 Выбор материала для изготовления заготовки
1.2 Анализ метода литья выжиманием с кристаллизацией под давлением
1.3 Выбор метода литья для получения заготовки
2.Конструкторский раздел
2.1 Назначение и основные требования к корпусным деталям
2.2 Отработка конструкции детали на технологичность
2.3 Выбор прогрессивного режущего инструмента
2.4 Технологическая оснастка для станков с ЧПУ
3.Организационный раздел
3.1 Организация складского хозяйства в меха
Рики-Тики-Та
: 2 августа 2012
110 руб.
Усыновление
step85
: 28 февраля 2012
1.История усыновления..........................................4
2.Понятие усыновления..........................................9
3.Основание усыновления......................................10
4.Условия усыновления..........................................13
5.Порядок усыновления.........................................17
6.Отмена усыновления...........................................21
7.Усыновление детей иностранными гражданами.....25
Заключение.........................................
step85
: 28 февраля 2012
