Лабораторная работа 6.8 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Семестр 2-й. Вариант №1
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
26.01.2013
-
Размер:
239 KB
-
Покупок:
11
-
Добавил:
glec
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа 6.8 по физике.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
Технический рисунок модели. Вариант 4
Laguz
: 3 февраля 2025
Варианты ГР-04
Наименование работы – Технический рисунок модели
Тема - Выполнение технического рисунка модели Формат А4
Чертеж сделан в компас 21.
Чертеж сохранен дополнительно в форматы пдф и джпг
Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
Laguz
: 3 февраля 2025
100 руб.
Теория массового обслуживания. Вариант № 10
Sanek1988
: 12 января 2014
1 задача
63% детей выпускников СибГУТИ учатся в СибГУТИ 29% в других вузах и 8% в вузы не поступают. Из детей, родители которых окончили другие вузы, учатся в СибГУТИ – 26%, в других вузах – 68%, нигде не учатся – 6%. Для детей, родители которых не имеют высшего образования, эти проценты соответственно – 15, 35, 50. Какова вероятность того, что в СибГУТИ будут учиться:
1. Внук выпускника СибГУТИ?
2. Его правнук?
3. Очень отдаленный потомок?
2 задача
Известно, что приход покупателей в некоторый
Sanek1988
: 12 января 2014
65 руб.
Банковские операции. Вариант №2. КР.
studypro2
: 14 октября 2017
Задание 1
1. Банковские риски и методы их страхования.
2. Депозитарная деятельность банков. Лицензирование профессиональной деятельности на рынке ценных бумаг.
Задание 2
ЗАО «Октан» обратилось в коммерческий банк с заявлением на предоставление кредита в сумме 1200 тыс. руб. для закупки дизельного топлива. В качестве обеспечения в банк представлен договор страхования кредита. По ранее получаемым ссудам ЗАО «Октан» рассчитывалось своевременно.
10 сентября заключен кредитный договор. Процентная с
studypro2
: 14 октября 2017
100 руб.
Экономическая характеристика Дальневосточного района
alfFRED
: 24 сентября 2013
Крупнейший по территории в стране Дальневосточный район занимает почти 38% площади России. Однако северная и центральная части района в связи с суровым климатом и горным рельефом заселены крайне редко. Здесь используются только наиболее ценные природные ресурсы. Более плотно заселены южные равнинные пространства.
Дальневосточный район обладает особенным экономико-географическим положением и специфическим природно-ресурсным потенциалом. Его уникальность определяется, с одной стороны, большой уда
alfFRED
: 24 сентября 2013
10 руб.
