Лабораторная работа 6.8 по дисциплине: Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Семестр 2-й. Вариант №1
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
26.01.2013
-
Размер:
239 KB
-
Покупок:
11
-
Добавил:
glec
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Лабораторная работа 6.8 по физике.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения:
Электропроводность материалов определяется выражением:
(1)
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, µ+ и µ- - подвижности положительных и отрицательных носителей заряда.
В нашей задаче исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны.
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
ВЫВОД
В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( )
Контрольные вопросы
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
DenKnyaz
: 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
vereney
: 25 ноября 2010
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
vereney
: 25 ноября 2010
30 руб.
Другие работы
3 вариант. Мотивация и стимулирование трудовой деятельности.
studypro3
: 27 марта 2018
Задание 1. Применение методов оценки эффективности системы материального и нематериального стимулирования в организации.
Задание 2. Кейс.
а) Определение уровня оплаты труда работников
Заработная плата работника (совокупный доход) состоит из постоянной и переменной части, где постоянная часть это оклад по штатному расписанию, а переменная часть дополнительные выплаты (премиальные выплаты, компенсации, льготы и т. д.)
Определите постоянную и переменную (окладную и премиальную) части месячной зараб
studypro3
: 27 марта 2018
600 руб.
Средства коммутации и доставки сообщений в широкополосных цифровых сетях связи. Экзамен. Билет 0.
syberiangod
: 16 октября 2011
Средства коммутации и доставки сообщений в широкополосных цифровых сетях связи, Экзамен, Билет 0.
1. Перечислите основные интерфейсы и их функции, применяемые в сетях с технологией ATM.
2. Подробно объясните диаграммы, изображенные на Рисунках 4.13 – 4.17(лекционный материал).
1. Перечислите основные интерфейсы и их функции, применяемые в сетях с технологией ATM.
Выделим основные интерфейсы и их функции, которые применяются в сетях с технологией АТМ:
- частный интерфейс “Пользователь – сет
syberiangod
: 16 октября 2011
90 руб.
Лабораторная работа №1 "Теория электрических цепей"
sabzero7777777
: 20 декабря 2016
Лабораторная работа № 1
Законы Ома и Кирхгофа в резистивных цепях
1. Цель работы:
Изучение и экспериментальная проверка законов Ома и Кирхгофа в разветвленной электрической цепи, содержащей источник и резистивные элементы.
2. Подготовка к выполнению работы:
При подготовке к работе необходимо изучить: законы Ома для пассивного участка цепи, участка цепи с активными (источники) и пассивными (нагрузки) элементами; первый закон Кирхгофа – для узла цепи; второй закон Кирхгофа – для замкнутого контура
sabzero7777777
: 20 декабря 2016
50 руб.
Радиопередающие устройства систем радиосвязи и радиодоступа, вариант 12
Дистанционное обучение СибГУТИ 2026
: 25 октября 2025
Экзамен по курсу «Радиопередающие устройства систем радиодоступа и радиосвязи»
Тест №9
1. Генератор потребляет от источника коллекторного напряжения 20 Вт при электронном к.п.д. = 0,8; мощность тепловых потерь на коллекторе равна ( в ваттах): ( 2, 4, 6, 8).
2. Для увеличения коэффициента усиления генератора при постоянной мощности на выходе необходимо:
- снизить напряженность режима;
- увеличить напряженность режима;
- перев
Дистанционное обучение СибГУТИ 2026
: 25 октября 2025
200 руб.
