Физика. Лабораторная работа № 3 (6.8). Изучение температурной зависимости. Вариант № 6
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
13.02.2013
-
Размер:
105 KB
-
Покупок:
10
-
Добавил:
Fatony
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Л.Р. 6.8 (физика спец. главы).doc
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторная работа №6.8 вариант 6
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению.
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является ...
4. Задание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению.
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Нагрузкой источника является ...
4. Задание
Установить силу тока через образец в пределах от 3 до 10 мА. Записать силу тока в отчет по лабораторной работе.
5. Контрольные вопросы
Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график
Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Коментарии: 2011 г.
Вариант 06
Проверил Грищенко И.В.
Лабораторная работа 6.8 выполнена верно. Л.Р. 6.8 зачтена.
Вариант 06
Проверил Грищенко И.В.
Лабораторная работа 6.8 выполнена верно. Л.Р. 6.8 зачтена.
Похожие материалы
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Вариант 6
salut135
: 8 апреля 2011
Лабораторная работа №6.8 вариант 6
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
2. Основные теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность у материалов определяется выражением...
3. Описание лабораторной установки
Схема лабораторной установки приведена на рис.1.
Сила тока источника (1) не зависит от сопротивления нагрузки. Наг
salut135
: 8 апреля 2011
45 руб.
Лабораторная работа №3 по физике (спецглавы).Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.10-й вариант
hbifn
: 17 мая 2014
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спец. главы)
Вид работы: Лабораторная работа
Оценка:Зачет
Дата оценки: 05.2014
Рецензия:Уважаемый Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
hbifn
: 17 мая 2014
50 руб.
Лабораторная работа по физике “ Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников”.
ChrisTref
: 19 сентября 2009
Лабораторная работа по физике No4 (работа 6.8), вариант 6.
Тема работы: “ Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников”.
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
Вопрос 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
Вопрос 2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ln
ChrisTref
: 19 сентября 2009
300 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Другие работы
Итоговая работа по Английскому языку. 1 семестр. ДО СибГУТИ
Olya
: 5 декабря 2017
Наборы конечного пользователя GSM
диапазон наборов конечного пользователя для GSM доступные от Alcatel.
V Alcatel 9109 НА
(Alcatel терминал карманного компьютера GSM):
Это - маленький карманный легкий телефон, изготовленный для использования в окружающей среде GSM. Батареи поддерживают один час непрерывного разговора или 12 часов в режиме ожидания.
Alcatel 9109 НА
V Alcatel 9109 DA
(Alcatel GSM transmobile):
Alcatel 9109 DA является GSM автомобильным телефоном. Он выпускается в портат
Olya
: 5 декабря 2017
200 руб.
Онлайн Тест 10 по дисциплине: Архитектура вычислительных систем.
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
Вопрос №1
Наиболее эффективный способ повысить общую производительность ВС - это:
повысить производительность самого производительного компонента ВС
повысить производительность компонента, являющегося узким местом ВС
сбалансированно повышать производительность всех основных компонентов ВС
Вопрос №2
При конвейерном исполнении команд:
Одинаковые стадии исполнения нескольких команд могут выполняться одновременно (на одном и том же такте)
Несколько команд могут выполняться одновременно (на одн
IT-STUDHELP
: 29 сентября 2023
600 руб.
Нефтеперерабатывающая установка MFU - 2000, Нефтеперерабатывающий комплекс, Генеральный план, Технологическая схема приема, приготовления, хранения и отгрузки светлых нефтепродуктов, Электронасосный агрегат НМШ 8-25-6,3/25Б-Чертеж-Оборудование транспорта
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 19 мая 2016
Нефтеперерабатывающая установка MFU - 2000, Нефтеперерабатывающий комплекс, Генеральный план, Технологическая схема приема, приготовления, хранения и отгрузки светлых нефтепродуктов, Электронасосный агрегат НМШ 8-25-6,3/25Б-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование транспорта нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 19 мая 2016
796 руб.
Скорость обработки запросов на SQL серверах
VikkiROY
: 30 сентября 2013
ЗМІСТ
1.Вступ………..………………………………………………………….2
2.Швидкість роботи SQL сервера…………………………………….5
2.1 Технологія DAO…….………………………………………………6
2.2 Технологія ODBC…..………………………………………………6
2.3 JSCRIPT……………………………………………………………..7
3. Результати тестування..…………………………………………….17
Висновок………………………………………………………………..21
Список використаної літератури…………………………………….22
Частина 1 : ВСТУП
У світі сучасних інформаційних технологій особливо виділяє-ться всесвітня мережа Internet. Опорним елементом в цій мережі є серве
VikkiROY
: 30 сентября 2013
5 руб.
