Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 8

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon контрольная.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника фототиристора.

Задача No 2

Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 1.
GaAsP 0,5 1,6

Задача No3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No 4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
АЛ102Б  7 560

Дополнительная информация

Оценка:Зачет
Дата оценки: 11.2012
Рецензия:Уважаемая, Вы допустили погрешность при решении задачи ?4 (пояснения внутри)
Игнатов Александр Николаевич
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Работа контрольная. Вариант №8.
Задача № 1 Фототиристор. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней длинноволновую границу фотоэффекта. Тип ПП материала Ge Квантовая эффективность 0.2 Ширина запрещенной зоны 0.6 Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения с
User SemenovSam : 19 апреля 2016
100 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №8.
Контрольная работа по дисциплине устройства оптоэлектроники. 8 вариант. Задача 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лямбда гр. и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лямбда гр. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводник
User Mental03 : 23 мая 2015
Устройство оптоэлектроники. Зачетная работа. Вариант №8.
Зачетная работа по дисциплине устройство оптоэлектроники. Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Диаграмма направленности излучателя. Раздел: Излучатели 2.Электрическая модель светоизлучающего диода. Раздел "Фотоприемные приборы и устройства" 3.Характеристики и параметры фотоприемников. Раздел "Применение оптоэлектронных приборов и устройств" 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронных фильтров.
User Mental03 : 23 мая 2015
Устройство оптоэлектроники. Зачетная работа. Вариант №8.
Теплотехника Часть 1 Теплопередача Задача 28 Вариант 6
Средняя температура поверхности токоведущей шины равна tст, а ее интегральная степень черноты ε. Температура окружающего воздуха tв=20ºС. Коэффициент теплоотдачи конвекцией связан с температурой поверхности tст соотношением: αк=2,65(tст-tв)0,25 В результате покрытия шин тонким слоем лака интегральная степень черноты поверхности стала равна ε′=0,9. Какова теперь будет средняя температура поверхности шин t′ст при том же значении тока и прочих неизменных условиях?
User Z24 : 14 октября 2025
150 руб.
Теплотехника Часть 1 Теплопередача Задача 28 Вариант 6
Организация планирования на производстве. Контрольная работа. 1-й вариант
Задания и методические указанияк выполнению контрольной работы Условие задачи Комплекс работ по строительству линейных сооружений связи разбит на три участка, на каждом из которых выполняется четыре вида однородных работ. По каждой работе предусмотрена специализированная бригада (например, по строительству телефонной канализации, прокладке кабеля, монтажу кабеля и испытанию кабеля). Время работы специализированных бригад на каждом участке (tij) приведено в таблице 1. Необходимо: Произвести техн
User djigorfan : 4 апреля 2013
400 руб.
Стойка. Задание №64. Вариант №4
Стойка Задание 64 Вариант 4 Соединить половину фронтального разреза с половиной вида спереди. 3d модель и чертеж (все на скриншотах изображено) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть и выше версиях компаса. Просьба по всем вопросам писать в Л/С. Отвечу и помогу.
User bublegum : 9 ноября 2020
60 руб.
Стойка. Задание №64. Вариант №4
Отчет по практике на предприятия ОАО Уфалейникель
Содержание. Содержание. 2 2.1. Нормативный подход 7 2.2. Интегральный подход западных экономистов 9 Пятифакторная модель Э.Альтмана. 12 Модель Лиса прогнозирования финансовой несостоятельности (четырёхфакторная модель). 15 Модель Таффлера прогнозирования финансовой несостоятельности (четырёхфакторная модель). 16 2.3. Интегральный подход российских экономистов (адаптированные модели) 17 Двухфакторная модель прогнозирования банкротства Лео Хао Суан 17 Четырёхфакторная модель прогнозирован
User Lokard : 5 ноября 2013
15 руб.
up Наверх