Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники. Вариант № 8

Цена:
150 руб.

Состав работы

material.view.file_icon C1E12325-DA13-42BF-B8C1-5F15772B15B1.rar [ 175 KB ]
material.view.file_icon контрольная.doc [ 428 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Задача No 1

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника фототиристора.

Задача No 2

Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр.
Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 1.
GaAsP 0,5 1,6

Задача No3

Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры, соответствующей последней цифре Вашего студенческого билета. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача No 4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в табл. 4.
АЛ102Б  7 560

Дополнительная информация

Оценка:Зачет
Дата оценки: 11.2012
Рецензия:Уважаемая, Вы допустили погрешность при решении задачи ?4 (пояснения внутри)
Игнатов Александр Николаевич

Похожие материалы

Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача №1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Фотодиод с гетероструктурой Фотодиодом с гетероструктурой, или гетерофотодиодом называют прибор, имеющий переходной слой, образованный полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Устройство и принцип действия этого прибора рассмотрим на примере гетероструктуры GaAs-GaAlAs (рис. 1).
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User karimoverkin : 11 июня 2017
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине “Устройства оптоэлектроники”
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 0 Фотодиод на основе р-n перехода Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λ_гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λ_гр. Исходные данные Таблица 2. Варианты и данные фотоприемн
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User Dctjnkbxyj789 : 11 февраля 2017
35 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Таблица 1. Варианты и типы фотоприемников Вариант Тип фотоприемника (ФП) 9 Фоторезистор Решение: Фоторезистором называют полупроводниковый резистор, сопротивление которого чувствительно к электромагнитному излучению в оптическом диапазоне спектра. В фоторезисторах используется явление изменения сопротивления вещества под действием инфракрасно
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User nvm1604 : 27 января 2016
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача № 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 4. Тип фотоприемника (ФП): Лавинный фотодиод
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User lebed-e-va : 28 апреля 2015
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Устройства оптоэлектроники
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Заданный тип - Лавинный фотодиод Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта гр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней гр. Задача No3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикат
СибГУТИ Электроника Работа Контрольная
User ART1800 : 8 мая 2013
150 руб.
Устройства оптоэлектроники. Работа контрольная. Вариант №8.
Задача № 1 Фототиристор. Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фото-приемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней длинноволновую границу фотоэффекта. Тип ПП материала Ge Квантовая эффективность 0.2 Ширина запрещенной зоны 0.6 Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения с
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User SemenovSam : 19 апреля 2016
100 руб.
Устройство оптоэлектроники. Контрольная работа. Вариант №8.
Контрольная работа по дисциплине устройства оптоэлектроники. 8 вариант. Задача 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Задача № 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта Лямбда гр. и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней Лямбда гр. Задача №3 Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводник
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User Mental03 : 23 мая 2015
Устройство оптоэлектроники. Зачетная работа. Вариант №8.
Зачетная работа по дисциплине устройство оптоэлектроники. Раздел: Физические основы оптоэлектроники 1.Диаграмма направленности излучателя. Раздел: Излучатели 2.Электрическая модель светоизлучающего диода. Раздел "Фотоприемные приборы и устройства" 3.Характеристики и параметры фотоприемников. Раздел "Применение оптоэлектронных приборов и устройств" 4.Устройство и принцип действия оптоэлектронных фильтров.
СибГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Зачетная
User Mental03 : 23 мая 2015
Устройство оптоэлектроники. Зачетная работа. Вариант №8.

Другие работы

Курсовая работа «Проектирование локальной корпоративной сети» Вариант 1
Современные инфокоммуникационные сети Задание Корпоративная локальная сеть охватывает несколько отделов: 1. Руководство предприятием. 2. Отдел кадров. 3. Бухгалтерия. 4. Юридический отдел. 5. Инженеры. Каждый отдел работает в своём сегменте сети, который определяется соответствующей VLAN (англ. Virtual Local Area Network). Работники некоторых отделов могут иметь доступ к VLAN других отделов (см. таблицу 2 раздела Варианты заданий). Только работники Отдела кадров имеют доступ к VLAN все
ДО СИБГУТИ Цифровое вещание Работа Курсовая
User savapavel : 31 октября 2022
20 руб.
Контрольная работа по инженерной графике ДВГУПС. Вариант 15
Задание 1 Кулачок Задание 2 проекционное черчение Тема 2 Лист 2,3 Тема 3. Линии среза Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
ДВГУПС Инженерная графика Работа Контрольная
User Laguz : 6 ноября 2025
800 руб.
Контрольная работа по инженерной графике ДВГУПС. Вариант 15
Практикум з курсу «деталі машин»
ВСТУП.......................................................................................................... 4 СУТЬ КОМПЛЕКСНОЇ ЗАДАЧІ ТА ПОРЯДОК ЇЇ РІШЕННЯ............... 4 ОФОРМЛЕННЯ ТЕКСТОВИХ ДОКУМЕНТІВ........................................ 6 ОФОРМЛЕННЯ ГРАФІЧНИХ ДОКУМЕНТІВ........................................ 12 1. ПОСЛІДОВНІСТЬ КІНЕМАТИЧНОГО І СИЛОВОГО РОЗРАХУНКІВ ПРИВОДА............15 2. ПОСЛІДОВНІСТЬ РОЗРАХУНКУ ПЛОСКОПАСОВИХ ПЕРЕДАЧ..... 19 3. ПОСЛІДОВНІСТЬ РОЗРАХУНКУ КЛИНОПАСОВИХ
Учебник Детали машин
User Калян : 1 марта 2012
Конструкция и методика расчёта нагревательных и термических печей сортового проката
Нагревательными печами обычно называют печи, в которых осуществляется нагрев металла перед обработкой давлением (прокаткой, ковкой). Часто прокатку металла ведут последовательно на нескольких станах, что определяет и состав парка печей. Производительность вновь строящихся прокатных станов непрерывно увеличивается. Поэтому общей тенденцией в развитии печей является интенсификация нагрева металла, что позволяет увеличить производительность печного агрегата.
Металлургия Работа Курсовая
User Администратор : 27 января 2010
up Наверх