Разработка интегрального аналогового устройства. 4-й вариант

Цена:
180 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Курсовая работа.doc

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Курсовая работа
По дисциплине: Электроника
Разработка интегрального аналогового устройства
Техническое задание
Работа должна состоять из введения, двух основных разделов и заключения. Во введении необходимо кратко описать преимущества РЭА с использованием в качестве элементной базы интегральных микросхем.
Первый раздел - электрический расчет цифровой схемы. Для трех комбинаций входных сигналов составить таблицу состояний всех активных элементов и провести электрический расчет, а именно:
- оценить потенциалы в точках, указанных на схеме ( А, В, С и т. д.);
- рассчитать все токи схемы и указать их направления;
- рассчитать мощности, которые рассеиваются на резисторах, и мощности потребляемой всей схемой.
Результаты расчетов свести в таблицы. Примеры расчетов и таблиц будут даны ниже.
Второй раздел - разработка топологии ИМС для выше приведенной схемы.
Разработка топологии включает в себя следующие операции:
- выбор материала для пленочных резисторов согласно варианта;
- расчет размеров всех резисторов;
- выбор материала для проводников и контактных площадок;
- расчет площади, занимаемой активными и пассивными элементами схемы;
-определение и выбор размеров подложки;
-составление топологического чертежа .
Топологический чертеж должен быть выполнен в масштабе 10:1 или 20:1.
В заключении привести краткие выводы о проделанной работе.

№ Варианта – 04
Uпит-12В Кu-7 Rвх4,7Мом Rн2кОм  Uном2В Fн Fв300Гц Мн2дБ  Мв2дБ Тип входа  Тип выхода Несимметр.

Дополнительная информация

Оценка:Хорошо Дата оценки: 22.01.2013 Рецензия:в Вашей работе имеются погрешности:неверен ход нагрузочной прямой (Вы построили для случая питания 15 В), невыдержан правильный размер сопротивления в цепи затвора на топологии
Разработка интегрального аналогового устройства
Вариант №10; По указанию преподавателя напряжение питание принимаю равным 10В, так как это максимально допустимое напряжение для полевого транзистора 2П201А. UПИТ = -10 В; Коэффициент усиления по напряжению KU = 8 раз; Входное сопротивление RВХ = 0,33 МОм; Сопротивление нагрузки RН = 2 кОм; Номинальное напряжение UНОМ = 2 В; Нижняя рабочая частота FН = 50 Гц; Верхняя рабочая частота FВ = 10 кГц; Коэффициент частотных искажений на нижней частоте MН = 1 дБ; Коэффициент частотных искажений на верх
User Mikhasolodovnik : 11 февраля 2019
1000 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Введение 4 1. Разработка структурной схемы 7 2. Разработка принципиальной схемы 8 3. Разработка интегральной микросхемы 10 3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов 10 4. Расчёт первого каскада на VT1 13 5. Расчёт ёмкостей СР1, СК, СР2, СР3. 14 6. Расчет АЧХ. 15 7. Выбор навесных элементов и расчёт конфигурации плёночных элементов 16 8. Этапы изготовления ГИМС 21 Литература 24
User Adam : 26 сентября 2017
300 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Разработка интегрального аналогового устройства
Исходные данные: 1. Напряжение источника питания - Uпит = +15 В. 2. Коэффициент усиления по напряжению - Кu = 13. 3. Входное сопротивление - Rвх = 2,7 МОм. 4. Сопротивление нагрузки - Rн = 2 кОм. 5. Номинальное входное напряжение - Uном = 3 В. 6. Нижняя рабочая частота (НРЧ) - fн = 300 Гц. 7. Верхняя рабочая частота (ВРЧ) - fв = 3,4 кГц. 8. Коэффициент частотных искажений на НРЧ - Мн =3 дБ. 9. Коэффициент частотных искажений на ВРЧ - Мв =3 дБ. 10. Тип входа - Н. 11. Тип выхода - С.
User Эрик4 : 9 апреля 2017
200 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Разработка интегрального аналогового устройства
Исходные данные курсовой работы: Напряжение источника питания U_пит=-12 В; Коэффициент усиления по напряжению K_u=8; Входное сопротивление R_вх=0,33 МОм; Сопротивление нагрузки R_Н=2кОм; Номинальное выходное напряжение U_ном=2 В; Нижняя рабочая частота f_н=50 Гц; Верхняя рабочая частота f_в=10 кГц; Частотные искажения (НЧ) М_н=1 дБ; Частотные искажения (ВЧ) М_в=1 дБ; Тип входа – несимметричный; Тип выхода – несимметричный.
User Dctjnkbxyj789 : 16 января 2016
100 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ Разработать принципиальную схему усилителя на основе полевых и биполярных транзисторов и реализовать устройство в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИС). ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ варианта 02 1. Напряжение источника питания UПИТ = + 9 В. 2. Коэффициент усиления по напряжению: Кu = 6. 3. Входное сопротивление: RВХ = 5,1 МОм. 4. Выходное сопротивление: RН = 1,0 кОм. 5. Выходное номинальное напряжение UНОМ = 1 В. 6. Нижняя рабочая частота: fН = 50 Гц. 7. Верхняя рабочая частота: FВ
User nik5590585 : 22 января 2015
360 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Содержание Техническое задание…………………………………………………………….3 Введение………………………………………………………………………….4 1. Разработка структурной и принципиальной схем устройства ………..5 2. Расчет элементов принципиальной схемы……………………………...7 3. Расчет амплитудно-частотной характеристики..…………………….....9 4. Разработка интегральной микросхемы…………………………………12 4.1.Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов…………………………………………….……....12
User Amor : 10 июня 2013
150 руб.
promo
Разработка интегрального аналогового устройства
Содержание Техническое задание………………………………………………………………….2 Введение………………………………………………………………………………3 1.Разработка структурной схемы……………………………………………………5 2.Разработка принципиальной схемы………………………………………………6 2.1 Электрический расчет…………………………………………………………….7 2.2. Расчет элементов определяющих АЧХ………………………………………..11 3.Разработка интегральной схемы………………………………………………….15 4.Этапы изготовления ГИМС……………………………………………………….18 Заключение…………………………………………………………………………..20 Литература…………………………………………………………………………...2
User paandreevna : 28 февраля 2012
50 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Разработка интегрального аналогового устройства
Курсовая работа сдана на "4" Вариант 06 Содержание: Техническое задание…………………………………………………… Введение………………………………………………………………..... 1. Разработка структурной схемы…………………………………… 2. Разработка принципиальной схемы....……………………………. 3. Разработка интегральной микросхемы…………………………... 3.1. Электрический расчет…………………………………………….. 3.2. Расчёт элементов определяющие АЧХ………………………... 4. Разработка интегральной микросхемы…………………………... 5 Этапы изготовления устройства в виде гибридной Интегральной микросхемы……
User paandreevna : 28 февраля 2012
50 руб.
Разработка интегрального аналогового устройства
Курсовая работа по дисциплине «Основы организационно-правового обеспечения информационной безопасности сетей и систем». Вариант 01.
Курсовая работа по дисциплине «Основы организационно-правового обеспечения информационной безопасности сетей и систем» «Разработка проекта организационного обеспечения защиты персональных данных в «Администрации Новосибирского района Новосибирской области» ОГЛАВЛЕНИЕ ВВЕДЕНИЕ 6 1. ЗАДАНИЕ НА КУРСОВУЮ РАБОТУ 8 2. ОСНОВЫ БЕЗОПАСНОСТИ ПЕРСОНАЛЬНЫХ ДАННЫХ В АДМИНИСТРАЦИИ НОВОСИБИРСКОГО РАЙОНА 8 2.1 Законодательные основы защиты ПД 8 2.2 Цели и задачи обеспечения защиты информации в автоматизиров
User teacher-sib : 23 октября 2016
500 руб.
Разработка и моделирование технологического процесса механической обработки "корпуса подшипника".
Введение 1 Аналитическая часть 2 Технологическая часть 2.1 Служебное назначение детали 2.2 Анализ исходных данных для разработки технологического процесса 2.3 Определение типа производства 2.4 Обоснование выбора вида заготовки 2.5 Параметры точности заготовки и припуска 2.6 Расчет припусков 2.7 Выбор оборудования 2.8 Проектирование маршрутной технологии и выбор технологических баз 2.9 Расчет режимов резания 2.10 Нормирование операционного технологического процесса
User DocentMark : 19 ноября 2011
49 руб.
Зачетная работа по дисциплине: «ФИЗИКА (СПЕЦГЛАВЫ)». Билет № 13
Билет No 13 1. Соотношение неопределенностей Гейзенберга. 2. Вычислите силу тока, протекающего по вольфрамовой проволоке диаметром 0,8 мм, температура которой в вакууме поддерживается равной 2800 °C. Поверхность проволоки считать серой с коэффициентом поглощения 0,343. Удельное сопротивление проволоки при данной температуре 9,2∙10-5 Ом∙см. Температура окружающей проволоку среды 17 °C.
User Aleks3434 : 3 июня 2013
120 руб.
up Наверх