Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физика(спецглавы). Тема:"Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников". Вариант 7. (2-й семестр)
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физика. Физика математическая
-
Добавлен:
26.03.2013
-
Размер:
286 KB
-
Покупок:
17
-
Добавил:
Jack
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
02FB407E-1BDA-4B53-A476-83A6FD512757.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретические сведения
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Вывод
5. Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретические сведения
3. Описание лабораторной установки
4. Выполнение задания
Вывод
5. Контрольные вопросы:
1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2. Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости ?
3. Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
Дополнительная информация
Специальность МТС(бывш. МЭС)
Зачтено
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Рецензия
на лабораторную работу № 3
Выполнил: слушатель МУЦПС СибГУТИ
Проверил: старший преподаватель кафедры физики СибГУТИ А. И. Стрельцов.
Дата и время проверки:
Заключение: работа зачтена.
Комментарии: измерения и расчёты выполнены правильно. Ошибок не найдено.
Зачтено
Преподаватель: Стрельцов А.И.
Рецензия
на лабораторную работу № 3
Выполнил: слушатель МУЦПС СибГУТИ
Проверил: старший преподаватель кафедры физики СибГУТИ А. И. Стрельцов.
Дата и время проверки:
Заключение: работа зачтена.
Комментарии: измерения и расчёты выполнены правильно. Ошибок не найдено.
Похожие материалы
Лабораторная 4 Физика (спецглавы). Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
verunchik
: 7 июля 2012
Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Устанавливаем силу тока через образец 8,6 мА.
verunchik
: 7 июля 2012
100 руб.
Физика. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Саша78
: 9 апреля 2020
Вариант 09
Сила тока в соответствии с вариантом равна 9.4
Саша78
: 9 апреля 2020
100 руб.
Физика (спецглавы). Лабораторная работа №6.8. Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Gila
: 15 октября 2017
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Работа зачтена.
Gila
: 15 октября 2017
180 руб.
Лабораторная работа №6.8 по физике(спецглавы) Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников.
Zenkoff
: 25 марта 2014
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Краткие теоретические сведения
Электропроводностью материалов называется величина, обратная удельному сопротивлению. Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда,
n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей з
Zenkoff
: 25 марта 2014
30 руб.
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
chita261
: 8 января 2015
Лабораторная работа 6.8
«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
chita261
: 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Murlishka
: 6 сентября 2011
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Теоретические сведения и ход работы:
В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно,
|q+| = |q-| = e
и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n
Тогда (2)
Murlishka
: 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
AndrewZ54
: 23 марта 2011
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
Вывод:
С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
AndrewZ54
: 23 марта 2011
43 руб.
Другие работы
Лабораторная работа № 3 по дисциплине: Сети связи и системы коммутации. Тема: Принципы цифровой коммутации. Вариант общий. Год сдачи: 2022.
ilya2213
: 12 ноября 2022
Тема: Принципы цифровой коммутации.
Указания по выполнению лабораторной работы No 3.
Для запуска программы необходимо выбрать файл ʺmain.exeʺ.
Выполнить допуск в виде теста.
Решить 4 задачи, используя сведения из соответствующих пунктов теории, приведенной в лабораторной работе.
Пройти итоговый тест.
Отчет по лабораторной работе 3, посвященной изучению принципов коммутации в цифровых системах коммутации на телефонной сети, должен содержать:
1. Тему и цель лабораторной работы.
2. Скриншот резуль
ilya2213
: 12 ноября 2022
95 руб.
Расчет элементов автомобильных гидросистем МАМИ Задача 1.10 Вариант Е
Z24
: 17 декабря 2025
Определить силу F0 на штоке диафрагмы, обеспечивающую ее равновесие, если заданы: диаметр D, показание вакуумметра рвак, высота его расположения Н, плотность жидкости ρ=900 кг/м³. Пружина сжатия, установленная в правой полости, при этом создает силу Fпр. Упругостью диафрагмы пренебречь. (Величины Н, рвак, Fпр и D, взять из таблицы 1).
Z24
: 17 декабря 2025
160 руб.
Контрольная работа. Теория электрической связи (ТЭС). Вариант №15.
Vladimirus
: 27 февраля 2016
Задача 1
Стационарный случайный процесс x(t) имеет одномерную функцию плотности вероятности (ФПВ) мгновенных значений w(x), график и параметры которой приведены в таблице 1.
Требуется:
1 Определить параметр h ФПВ.
2 Построить ФПВ w(x) и функцию распределения вероятностей (ФРВ) F(x) случайного процесса.
3 Определить первый m1 (математическое ожидание) и второй m2 начальный моменты, а также дисперсию D(x) случайного процесса.
Дано (шифр 15): М=1; N=5.
Задача 2
Энергетический спектр гауссовского
Vladimirus
: 27 февраля 2016
200 руб.
Термодинамика и теплопередача ИРНИТУ 2019 Задача 6 Вариант 51
Z24
: 15 мая 2026
Плоская стальная стенка толщиной δ1 (λ1 = 40 Вт/(м⸱К) с одной стороны омывается газами; при этом коэффициент теплоотдачи равен α1. С другой стороны стенка изолирована от окружающего воздуха плотно прилегающей к ней пластиной толщиной δ2 (λ2 = 0,15 Вт/(м⸱К). Коэффициент теплоотдачи от пластины к воздуху равен α2. Определить тепловой поток ql, Вт/м² и температуры t1, t2, и t3 поверхностей стенок, если температура продуктов сгорания tг, а воздуха — tв.
Z24
: 15 мая 2026
200 руб.
