Лабораторная работа 6.8 по дисциплине: Физика Тема: Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников

Цена:
60 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 65D4A913-7422-4695-BFE1-3A4E0AB96558.rar [ 74 KB ]
material.view.file_icon лр3 - зачтено.doc [ 217 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Вариант: 07
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
1. Цель работы
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Экспериментальные результаты. Вывод
5. Контрольные вопросы
6. Литература

Дополнительная информация

Уважаемый слушатель, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физика (спецглавы)
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 2013
Рецензия:Уважаемый .............................., Ваша лабораторная работа ? 3 проверена. Экспериментальный результат правильный.
Работа зачтена.
Стрельцов Александр Иванович

Похожие материалы

«Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников»
1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.........................................
******* Не известно Физика Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 «Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников» 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User chita261 : 8 января 2015
100 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Цель работы: изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Теоретические сведения и ход работы: В нашей работе исследуется собственная электропроводность полупроводника. Поэтому положительными носителями заряда являются дырки, а отрицательными- электроны. Следовательно, |q+| = |q-| = e и, поскольку полупроводник собственный, то n += n- = n Тогда (2)
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User Murlishka : 6 сентября 2011
40 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8. Вариант №10 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы: Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: С ростом температуры электропроводность полупроводников увеличивается по экспоненциальному закону.
СибГУТИ Физика и энергетика Работа Лабораторная
User AndrewZ54 : 23 марта 2011
43 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны 2. Теоретическое введение Электропроводность материалов определяется выражением: где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User qawsedrftgyhujik : 15 декабря 2010
70 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны ВЫВОД В ходе лабораторной работы изучил зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определил ширину запрещенной зоны ( ) Контрольные вопросы 1. Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2. Почему для проверки температурной зависимости электропр
СибГУТИ Физика. Физика математическая Работа Контрольная
User DenKnyaz : 14 декабря 2010
50 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны Вывод: В этой работе изучили зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определили ширину запрещенной зоны для полупроводника. Выяснили, что результаты соответствуют справочным данным и построенный график является прямой, что и требовалось доказать.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User vereney : 25 ноября 2010
30 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
Лабораторная работа 6.8 2сем вариант 7. 1. Цель работы Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны. Контрольные вопросы 1.Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника. 2.Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости от 1 / T .? 3.Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физика. Физика математическая
User gerold66 : 22 октября 2009
49 руб.

Другие работы

Проектирование корпоративной сети предприятия «Автобаза»
Проектирование корпоративной сети предприятия «Автобаза» СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 6 1. АНАЛИЗ ИСХОДНЫХ ДАННЫХ 7 2. IP-АДРЕССАЦИЯ ПРЕДПРИЯТИЯ 8 3. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ЛОКАЛЬНЫХ СЕТЕЙ 11 3.1 Подбор оборудования рабочих мест и серверов 11 3.2 Проектирование ЛВС центрального офиса и подбор оборудования 11 3.3 Проектирование ЛВС 1-го – 6-го филиалов и подбор оборудования 11 4. РАСЧЕТ КОММУТАЦИОННОЙ СЕТИ 17 4.1 Граф сети и топологическая матрица 17 4.2 Расчет длины пакетов, параметров трафика и числа заявок от
Коммуникац.оборудование, системы и сети ХИИК ГОУ ВПО СибГУТИ Работа Курсовая
User emgriby : 7 января 2011
200 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине "Инфокоммуникационные сети". Билет №12
1. Перечислите достоинства систем SDH. 2. Перечислите требования, предъявляемые к линейным цифровым сигналам в ЦСП. 3. Закодируйте симметричным двоичным кодом отсчет сигнала 13,3 , определите ошибку квантования, если шаг квантования Δ=0,5В, разрядность кода m= 6.
Многоканальные системы электросвязи СибГУТИ Работа Экзаменационная
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 8 мая 2013
250 руб.
Микропроцессоры, Билет №4
Билет №4 1. Последовательный порт MCS-51. 2. Оператор выбора на языке С.
ДО СИБГУТИ Билеты Микропроцессорные системы управления
User yulichna : 23 апреля 2021
100 руб.
Диверсификация как метод снижения риска
Содержание 1.1 Диверсифицируемые и недиверсифицируемые риски: понятия и классификация 3 1.2 Диверсификация в системе методов управления предпринимательскими рисками 5 1.3 Основные виды и направления диверсификации 13 2.1 Общая характеристика предприятия 23 2.2 Организация системы управления предпринимательскими рисками в ЗАО "Александр", недостатки системы 25 2.3 Рекомендации по совершенствованию управления предпринимательскими рисками в ЗАО "Александр" 25 Введение Предпринимательство лю
Финансы Работа
User Elfa254 : 27 октября 2013
20 руб.
up Наверх