Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 6 Вариант 57

Цена:
250 руб.

Состав работы

material.view.file_icon Задача 6 Вариант 57.docx [990 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

Определение скорости истечения водяного пара из сопловых устройств

Определить теоретическую скорость истечения водяного пара из суживающегося сопла и из сопла Лаваля. Начальные давление и температура пара: p1 и t1 (табл. 8). Давление среды, в которую происходит истечение пара, p2 (табл. 8).
К решению задачи приложить изображения адиабатных процессов истечения пара из сопловых устройств в диаграмме h-s.

Дать эскизы профилей суживающегося сопла и сопла Лаваля.

Ответить в письменном виде на следующие вопросы:

1 При каких условиях возникает критическая скорость истечения газа (пара)?

2 Дать характеристику скорости истечения газа (пара) из суживающегося сопла при p2>р2кр.

3 Дать характеристику скорости истечения газа (пара) из суживающегося сопла при p2≤р2кр.

4 Дать характеристику скорости истечения газа (пара) из сопла Лаваля при p2<р2кр.

Похожие материалы

Бруй Л.П. Техническая термодинамика и теплопередача ТОГУ Задача 6 Вариант 57
Вертикальный участок паропровода диаметром 150 мм и длиной 5 м охлаждается воздухом в условиях свободной конвекции. Температура наружной поверхности паропровода tСТ, температура воздуха t1 (табл. 4). Определить коэффициент теплоотдачи от наружной поверхности паропровода к воздуху и величину теплового потока на расчетном участке. Показать примерный график изменения коэффициента теплоотдачи по высоте трубы. В конце задачи следует ответить письменно на следующие вопросы: Что называется ко
Задачи Теплотехника
User Z24 : 14 января 2026
180 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика и теплопередача ТОГУ Задача 6 Вариант 57

Другие работы

Кейс «Увеличить продажи – наша задача!»
Ситуация Prom1.ru - молодой Интерен-магазин. Его создатели поставили перед собой задачу - построить эффективно действующий масштабируемый бизнес, который обеспечивал бы безупречный приём, обработку и отправку заказов, предлагая при этом самые новые и удобные веб-сервисы. Процесс покупок в Prom1.ru должен быть максимально простым, удобным и доступным самому широкому кругу пользователей. Для выполнения таких амбициозных целей и обеспечения устойчивого роста компании нужна мощная аналитическая баз
******* Не известно Менеджмент в телекоммуникациях Практические занятия и отчеты
User studypro : 27 июля 2015
150 руб.
Резисторы
Содержание Введение …………………………………………………………………………. 4 1. Исходные данные для проектирования …………………………………....... 6 1.1. Схемотехнические параметры …….…………………………………....... 6 1.2. Конструктивно – технологические данные для проектирования .………. 6 2. Обзор литературы по теме курсового проекта ………………………….... 12 2.1. Классификация интегральных микросхем и их сравнение ………….... 12 2.2. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем16 3. Расчёт полупроводниковых резисторов …………………………………..
Электроника промышленная Работа
User OstVER : 14 ноября 2012
5 руб.
Контрольная работа по инженерной графике, 5 вариант.
СибГУТИ. Инженерная графика. 1 семестр. Контрольная работа №1. Вариант №5. В архиве содержится 5 файлов, в формате *.dwg (AutoCAD): Лист 1 - Схемы алгоритмов Лист 2 - Плоские сечения Лист 3 - Взаимное пересечение поверхностей Лист 4 - Проекционное черчение Лист 5 - Аксонометрическая проекция (дополнение к 4 листу)
СибГУТИ Инженерная графика Работа Контрольная
User serg04 : 28 апреля 2010
300 руб.
Контрольная работа по инженерной графике, 5 вариант.
Вариант №3. исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Отчет о работе 2.1. Исследовать БТ для схемы с ОБ. Принципиальная схема для транзистора структуры n-p-n для исследования входных и выходных характеристик с ОБ приведена на рис. 2.1. 2.1.1. Снять две входные характеристики транзистора IЭ = f(UЭБ) при UКБ = 0 UКБ = 8В (график 1). Результаты измерений з
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 3 октября 2016
152 руб.
up Наверх