Гидравлика УГЛТУ Задача 5 Вариант 9
Состав работы
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Определить расход воды плотностью ρ = 1000кг/м³ и вязкостью ν = 1·10-6 м²/с, вытекающей из бака через трубу длиной l и диаметром d под напором Н. Коэффициенты сопротивления: входа ζвх = 0,5, крана ζкр = 5,5, колена ζкол = 1,1. Трубу считать гидравлически гладкой λ = 0,02.
Похожие материалы
Гидравлика УГЛТУ Задача 9 Вариант 5
Z24
: 8 декабря 2025
В объемном гидроприводе возвратно-поступательного движения заданы: диаметр гидроцилиндра D, диаметр штока d, общая длина труб l, скорость движения штока Vр при рабочем ходе (выхода штока из гидроцилиндра), усилие на штоке Р.
Потери давления:
— в гидрораспределителе Δрр = 0,3 МПа;
— в дросселе Δрдр = 0,2 МПа;
— в фильтре Δрф = 0,1 МПа.
Силу трения в уплотнениях гидроцилиндра принять Ртр = 0,1·Р.
Потери давления в гидролиниях от насоса до гидроцилиндра и от гидроцилиндра до гидро
200 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Программирование на языках высокого уровня. Вариант 0
Учеба "Под ключ"
: 25 июля 2017
Лабораторная работа №1
Тема 1: Стандартные функции. Арифметические выражения.
(в лекциях см. п. 1.4, 2.9 )
Тема 2: Логические выражения. Условный оператор.
(в лекциях см. п. 2.4, 3.3 )
Задание:
Разработать программу для вычисления:
1) значения заданного арифметического выражения (см. вариант по таблице 1);
2) значения заданной функции (см. вариант по таблице 2);
и вывода на экран полученных результатов.
Значения исходных данных выбираются произвольно. Ввод исходных данных организовать любым из
200 руб.
Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников
qawsedrftgyhujik
: 15 декабря 2010
Изучение температурной зависимости
электропроводности полупроводников
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
Электропроводность материалов определяется выражением:
где q+ и q- - соответственно величина заряда положительных и отрицательных носителей электрического заряда, n+ и n- - концентрация соответственно положительных и отрицательных носителей заряда, μ+ и μ- - подвижности
70 руб.
Схемотехника телекоммуникационных устройств (часть 1)\Контрольная работа 1\Вариант03\СибГУТИ
suhinin
: 26 января 2016
Задача № 1.
Начертить принципиальную схему однотактного резисторного каскада предварительного усиления на БТ, включенном по схеме с ОЭ с эмитерной стабилизацией точки покоя. Рассчитать параметры элементов схемы, режим работы каскада по постоянному току, коэффициент усиления в области средних частот, входные параметры каскада и амплитуду входного сигнала.
Исходные данные для расчетов приведены в таблицах 1 и 2.
Таблица 1
Технические данные Номер варианта
0
Марка транзистора КТ352А
Амплитуда сигн
25 руб.
Лабораторная работа № 6.8 Изучение температурной зависимости электропроводности полупроводников. Вариант 10(0)
Доцент
: 23 марта 2013
1. Цель работы:
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны.
Контрольные вопросы:
1)Вывести формулу для собственной электропроводности полупроводника.
2) Почему для проверки температурной зависимости электропроводности полупроводников строится график зависимости lnσ от ?
3) Вывести формулу для вычисления ширины запрещенной зоны полупроводника.
70 руб.